数字化预案中基于中介逻辑的不确定事件表示

突发公共事件本身的不确定性以及紧急状态下信息采集的时空局限性,要求数字化预案对不确定事件进行有效地表达.基于中介逻辑,研究了不确定事件的有效表示及不确定程度的度量,采用区间代数方法对不确定事件进行了表示,建立了一维和n维情形下不确定事件的不确定程度的度量模型.在此基础上,利用中介逻辑对数字化预案中应急响应规则进行表达,对具体算例进行了分析,初步验证了该模型的有效性.     

一种可视化检测肼的苯并噁唑类荧光增强型探针

以苯并噁唑为荧光基团,合成和表征了一种用于可视化检测N₂H₄的荧光增强型探针(HL2),并研究了其光谱性质。实验结果表明,HL2对N₂H₄具有高的选择性和灵敏度,抗干扰能力强,响应快,它对N₂H₄的检测限为0.072 μmol·L^-1。此外,HL2可应用于实际水体样品中N₂H₄的检测,并且还能实现HeLa细胞中N₂H₄的荧光成像。     

液相对流对定向凝固胞/枝晶间距的影响

采用类金属透明模型合金丁二腈-1.8 wt%丙酮(SCN-1.8 wt%Ace)合金, 研究了平行于生长界面前沿的液相对流对定向凝固胞/枝晶生长行为及胞/枝晶间距的影响. 对于胞晶生长, 在液相对流作用下, 其尖端将会出现分岔, 使得胞晶间距减小, 并且液相对流流速越大, 胞晶尖端分岔越明显, 胞晶组织越细小, 胞晶间距越小. 至于枝晶生长, 其生长行为与胞晶不同. 当抽拉速度较小时, 液相对流作用下枝晶两侧三次臂的生长速度将会超过枝晶尖端生长速度, 形成新的枝晶列, 使得枝晶一次间距减小, 并且液相对流流速越大枝晶一次间距越小; 当抽拉速度较大时, 液相对流作用下迎流侧二次臂生长发达,且会抑制上游枝晶生长, 使得枝晶一次间距增大, 并且液相对流越强枝晶一次间距越大. 关键词： 定向凝固 胞晶间距 枝晶间距 液相对流     

基于MeshTV界面重构算法的二元合金自由枝晶生长元胞自动机模型

本文基于MeshTV界面重构算法, 发展了二元合金凝固自由枝晶生长的元胞自动机 (cellular automaton, CA) 模型. 通过采用MeshTV界面重构算法, 在细化的界面元胞内重构出了固液界面的位置. 在此基础上, 发展了一种同时适合描述纯物质与合金凝固界面生长的动力学模型. 与非界面重构的CA模型相比, 本文所发展的模型可以在较大的网格尺寸下实现模型的收敛, 同时网格各向异性不明显, 且能够反映界面能各向异性参数ε 对自由枝晶生长的影响. 在ε =0.02时, 通过与描述自由枝晶生长的LGK理论模型相比较, 发现计算的枝晶尖端速度与LGK理论模型的预测符合较好, 而计算的枝晶尖端半径比LGK理论预测值大于约20%.     

表面波等离子体沉积类金刚石膜结构的Raman光谱和XPS分析

本文使用Raman光谱和X 射线光电子能谱 (XPS)的分析方法对表面波等离子体沉积的类金刚石(DLC)薄膜的结构进行了研究。采用 4峰的高斯解谱的方法对不同沉积时间的膜的Raman谱进行处理 ,并由此对膜中sp3键的百分含量PD 进行了定量计算 ;同时还采用 3峰的高斯解谱方法对不同沉积时间的膜的光电子能谱进行处理 ,也对膜中sp3键的百分含量进行了计算。两种方法均得到膜中sp3含量在 2 0 %～ 4 0 %之间 ,且随沉积时间的增加而增加。     

氩气掺入对类金刚石沉积过程的影响

在电子助进化学气相沉积(EACVD)类金刚石薄膜中,使用和比较CH₄/H₂与CH₄/H₂/Ar两种体系,用静电探针测量这两种体系的电子温度、电子密度,结果表明,在CH₄/H₂/Ar体系中,电子密度较高,使成膜的速率增加。 关键词：     

基于Wenzel模型的粗糙界面异质形核分析

异质形核是形核发生的主要形式. 经典形核理论对基底界面作了理想化平面假设,然而实际异质形核体系中理想平直的固体界面是不存在的,这导致了异质形核描述与实际情况的偏差. 考察了固相晶胚在非平整界面上的异质形核过程,基于Wenzel润湿模型,分析了非理想界面的粗糙度因子对固相晶胚形核功的影响规律. 结果表明:当基底与晶核之间的本征润湿角小于90°时,基底界面越粗糙越有利于形核;本征润湿角大于90°时,基底界面越粗糙越不利于形核. 同时,游离晶胚在基底上润湿是球冠晶胚形成的重要途径,粗糙界面润湿过程中界面自由能的 关键词： 异质形核 粗糙界面 Wenzel模型 润湿过程     

远场来流条件下过冷熔体球晶生长的稳定性

建立了远场来流条件下过冷熔体球晶生长的温度场和浓度场稳态模型,分析了对流对球晶周围温度场和浓度场的影响,并以Trivedi的纯扩散球晶稳定性判据为基础,推导出远场来流条件下过冷熔体球晶生长的临界稳定性判据. 研究表明:远场来流条件下,迎流面的扰动振幅增加速率明显大于背流面的扰动振幅增加速率. 振幅增加速率最大值对应的扰动阶次从迎流面到背流面逐渐减小,随着球晶半径增加而增大. 对流使迎流面的稳定性降低,背流面的稳定性增大. 随着流速的增加,球晶的临界稳定半径减小. 关键词： 球晶 远场来流 界面形态稳定性 Trivedi判据     

单边合格品链长中位数控制图设计

针对过程数据存在异常值的问题,为了监控过程均值的偏移,采用中位数统计量(X)代替传统均值(X)统计量,提出了一种单边合格品链长X(Sided Sensitive Conforming Run Length X, SCRL & X)控制图。采用马尔科夫链方法研究了SCRL & X控制图的性能,首先推导出其一步状态转移矩阵,进一步根据马尔科夫链的性质得到其平均链长(Average Run Length, ARL)。为了获得控制图的最优设计参数和性能指标值,保证其处于过程受控状态下的性能,并使其处于过程失控状态下的平均链长最小。研究结果表明,提出的SCRL & X控制图的统计性能优于传统的双边合格品链长X(Conforming Run Length, CRL & X)控制图,尤其针对过程均值产生较小偏移的情形,其优势较为明显。     

Orientation-dependent morphological stability of grain boundary groove

Crystal orientation influences the morphological stability of solid–liquid interface during directional solidification of alloy, resulting in the variation of solidified microstructure. In this paper, the morphological evolution near grain boundary grooves（GBGs） with different crystal orientations in a dilute succinonitrile alloy under low temperature gradient and interface velocity is observed in situ. Under experimental conditions, the macroscopic solid–liquid interface is planar and keeps stable, while in GBGs there emerge protrusion and undulation. It is found that the morphological stability of GBG is dependent on crystal orientation. Specifically, for succinonitrile with a body-centered cubic crystal structure, GBGs around the 100 crystal orientation keep stable, while those apart from the 100 crystal orientation become unstable under the same conditions. So it is concluded that 100 crystal orientation favors the morphological stability of GBG.