基于sEMG的特征包络线提取与动作识别研究

针对表面肌电信号模式识别在康复器械以及智能假肢中的应用问题,通过平方调解法来提取多通道sEMG特征包络线,以提高手指动作识别速率与正确率;首先将手指动作采集实验获取的表面肌电信号进行平方处理,再经低通滤波形成包络线;利用幅值乘方法对不同的动作类型的包络线进行处理并形成学习用的教师样本标签,最后通过BP神经网络完成动作的识别分类;实验结果显示,屈拇指、屈食指、屈中指、屈无名指、屈小指和屈五指这6种动作的平均识别正确率为94.93%,每次动作识别的平均延时为50.7 ms。     

锆酸钡/聚合物复合中空纳米球的水热合成

采用聚合物辅助水热合成方法, 在强碱条件下加入PAA和PVA的混合液,实现了聚合物/锆酸钡复合中空纳米球的软化学一步合成, 而且球壳为有机-无机复合材料, 有望用于吸附分离、催化剂载体、轻质陶瓷和涂料等方面.     

我们是怎样在基础有机化学实验中进行催化氢化实验的

自1898年萨巴悌埃(Sabatier)、森德伦斯(Senderens)等人发现不饱和烃可以催化加氢以来,催化氢化已成为有机合成中重要的单元操作,这不仅在于它能对于一些含有碳-碳重键、羰基、硝基、氰基等化合物的加成或还原上,而且,催化氢化反应条件温和(可以在低温低压甚至常温常压下进行),几乎可以定量进行,并且不需要什么特殊溶剂。因此,催化氢化成为还原方法中的骄骄者。     

室温磁性斯格明子材料及其应用研究进展

磁性斯格明子是一种具有涡旋状非共线自旋结构的准粒子,具有独特的拓扑保护特性,可在极低电流驱动下运动,有望在信息技术领域获得广泛应用.从2015年开始,科学家已经发现了多种室温磁性斯格明子材料,例如斯格明子多层膜、人工斯格明子材料、β-Mn型单晶材料、中心对称材料(铁氧体、六方Ni₂In型)等.其中多层膜材料由于其制备工艺简单、可通过调节各膜层厚度优化性能、器件集成度高等优点而备受关注.这些室温磁性斯格明子材料具有涌生电动势、拓扑霍尔效应、斯格明子霍尔效应等特性,有望用来制备多种新型自旋电子器件,例如赛道存储器、微波探测器、纳米振荡器等,其中赛道存储器有望成为下一代非易失性、低能耗和高密度的存储器.本文首先介绍了磁性斯格明子的基本特性,然后综述了近年来室温磁性斯格明子材料的研究进展、制备技术及表征方法,最后简单介绍了用室温磁性斯格明子材料研制赛道存储器、微波探测器等原型器件的研究进展,展望了室温磁性斯格明子材料的未来发展趋势.     

范德华尔斯材料在转角光学中的研究进展

极化激元是光与不同极化子相互作用形成的半光半物质的准粒子,可用于亚波长尺度的光场调控,在光学成像、非线性效应增强及新型超构材料设计等领域扮演着举足重轻的角色.近年来,随着人们对转角范德华尔斯材料体系的制备工艺和物性研究的不断深入,其中许多新奇的极化激元现象也被揭示.本文综述了近年来转角范德华尔斯材料在光学领域的研究进展...     

微纳技术及微纳机电系统(上)

今天,在一个所谓“云计算”与“大数据”到来的时代,人们面对着大量的数据信息,不仅需要对获取的数据进行传递,而且需要进行处理和分析。之所以如此,是因为人们已经能够将信息的获取从分散、断续、孤立的点扩展到整体、连续、相关的面或体上,即从“点式”扩展到“网式”,从宏观延伸到微观,并能够以更精细的分辨、更快的速率和在更大的尺度上来获取数据。     

半导体蓝光二极管的发光之路

2014 年10 月7 日,瑞典皇家科学院将诺贝尔物理奖授予了日本科学家赤崎勇(Isamu Akasaki),天野浩(Hiroshi Amano) 和中 村修二(Shuji Nakamura),表彰他们成功研制出一种有效的、环境友好的光源——蓝光发光二极管(LED,light-emittingdiode)。这是继热辐射型白炽灯、充氩、汞的荧光放电灯和金属卤化物灯等类型后的新型固体光源,是一次继爱迪生发明的灯泡之后,在凝聚态固体物理上一次划时代的光革命。就如同人类从未停止对火,对电,到对光的追求、应用和研究一样,人类始终对光有一种更热切的渴望和向往。因为,光代表了生命,光代表了希望。而其中半导体蓝光二极管更由于其代表了继红光、绿光二极管之后,近三十年没有突破和解决的问题从此有了突破性的进展,以至于今天实用化了。     

化学类在线开放课程的认识与思考

继精品课程、精品开放课程之后,在线开放课程将成为下阶段高校课程建设的主要形式。化学类在线开放课程为进一步提高化学类专业课程的教学水平和学习质量提供了一条可行的途径。然而,要建设好一门在线开放课程,不但需要对其有正确的认识,还要在课程设计和机制建设方面多做工作,如此才能保证其健康、持续发展。     

电光感生静态等效透镜

本文提出了一种关于稳恒电场下由二阶电光效应感生等效透镜的理论,并分析了电场的空间特征、材料的内禀对称性及其几何形状等因素可能产生的影响.初步的估算表明,对子m3m类晶体,在10~4～10~5V的直流电压下,可观察到明显的聚焦效应.