对乙酰基偶氮胂两波长标准加入法同时测定铁和镍

ｐＨ５．５的ＨＡｃ－ＮａＡｃ绶冲介质中，铁和镍与对乙酰基偶氮胂形成最大吸收波长分别为６２０ｎｍ和６３０ｎｍ的有色配合物，其吸收光谱严重重叠。本文用两波长标准加入法，同时光度测定微量铁和镍。该法灵敏度高、选择性好、操作简便、应用于铝合金中铁、镍的同时测定．结果满意。     

溴酸钾氧化亮绿SF催化光度法测定痕量亚硝酸根

本文基于亚硝酸根对溴酸钾氧化亮绿ＳＦ而使其褪色所起的催化作用，建立了高灵敏度催化吸光光度法测定痕量亚硝酸根的新方法，测定范围为０．０５－２０ｎｇ／ｍｌ，用于不同水样中亚硝酸根的测定，获得了满意结果。     

Theoretical Study on the Structural and Optoelectronic Properties of the Linear Perfluorooctane Sulfonate （PFOS）

The perfluoroalkyl substances(PFS) have attracted considerable attention in recent years as a persistent global pollutant to be able to bioaccumulate in higher organisms.In this paper,theoretical analysis on electronic structures,optoelectronic properties and absorption spectra properties of the perflurooctane sulfonate(PFOS) in gas phase have been investigated by using the DFT/TD-DFT method.The geometric structures,electrostatic potentials,energy gaps,ionization potentials,electron affinities,frontier molecular orbital,excitation energies and absorption spectra for the ground state of PFOS were calculated.The result indicates that the ability of accepting electron of neutral PFOS is larger than that of anionic PFOS,while the electron excited by UV irradiation from HOMO to LUMO in the anionic PFOS is easier than that in the neutral PFOS.     

基于电源电流和输出电压的模拟电路故障模型研究

基于模拟电路电源电流和输出电压的协同分析,研究了复数域的故障建模方法,提出了一种2D故障模型的数学表达式,该模型为复平面上的一簇圆轨迹。为了扩大故障轨迹之间的距离,在相同测量精度和元件容差条件下提高故障检测率和隔离率,进一步提出了3D复数空间的优化故障模型。两种故障模型都极大简化了测点选择算法和模拟故障状态仿真的复杂度,理论上对模拟电路单故障的覆盖率为100%。基于滤波器电路的实验仿真结果验证了两种故障模型的有效性。     

卤代烃的S_N1、S_N2反应

卤代烃的亲核取代反应机制—S_N1、S_N2反应,是有机化学中的一个重要概念。一个卤代烃的亲核取代过程是遵循S_N1还是S_N2机制,将依赖于卤代烃的结构、试剂的亲核性及溶剂等多种因素。本实验主要考查卤代烃的结构对S_N1、S_N2反应速率的影响。本着理论与实验相结合的原则和不断更新、充实有机实验的目的,几年来我们把这方面的内容引入到基础有机实验中来,收到了较好的效果。通过实验,加深了同学们对这一重要概念的理解和     

用于光学实验的稳态汽泡式低温恒温器

本文报道一台用于光学实验的稳态汽泡式低温恒温器的结构和性能。该恒温器的工作温度是4—300K。     

CaBa-铝酸盐玻璃中Cr4+谱线宽度随温度的变化

测量了15~300K温度范围内57.5%Al_1.5O-35%CaO-7.5%BaO玻璃中四价铬的发射光谱.这种材料中铬离子的能级处于Tanabe-Sugano图上弱场范围中,最低的激发态是³T₂,发射谱是一个宽带.按照单频近似理论拟合低温下的光谱,得到³T₂能级的零声子线位置E_zp=8400cm^-1,声子能量tω=320cm^-1,黄昆因子S=358.尽管单频近似能够较好地描述低温下的线形,发射光谱宽度随温度的变化却与单频近似理论的结果不符.讨论了这种差别的原因,认为可能的解释是与激发态耦合的声子能量大于与基态耦合的声子能量.     

偏振学编码及解码研究

提出了用LiNbO3晶体制作的光耦合双泡克耳斯楔编码器的设计方法，分析了在远场空间的偏振编码原理，并对其用琼斯矩阵法作了解码分析。     

AlxGa1-xN/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响

通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,研究了Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气性质的影响,给出了AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气分布和面密度,导带能带偏移以及子带中电子分布随AlxGa1-xN势垒层中Al组分的变化关系,并用AlxGa1-xN/GaN异质结构自发极化与压电极化机理和能带偏移对结果进行讨论分析.     

触媒组分对高温高压金刚石大单晶生长及裂纹缺陷的影响

本文利用六面顶压机,在5.6 GPa, 1250—1450℃的高压高温条件下,分别选用FeNiCo和NiMnCo触媒合金开展了金刚石大单晶的生长实验,系统地考察了触媒组分对金刚石单晶裂纹缺陷的影响.首先,通过对两种组分触媒晶体生长实验对比发现,金刚石大单晶裂纹缺陷出现的概率与触媒组分相关联.同NiMnCo触媒相比, FeNiCo触媒生长的金刚石单晶更容易出现生长裂纹.我们认为,这与FeNiCo触媒黏度高、流动性差、碳素输运能力差、生长中晶体比表面积大,进而导致其对生长条件稳定性的要求较高有关.其次,两种触媒极限增重速度和生长时间的关系曲线表明,相同生长时间条件下, NiMnCo触媒生长金刚石单晶的极限增重速度相对较大.再次,扫描电子显微镜测试结果表明,裂纹缺陷的出现与否同晶体表面平整度的高低无必然联系,表面平整度高的金刚石单晶内部也可能存在裂纹缺陷.最后,经对金刚石单晶傅里叶微区红外测试结果进行分析,得出了氮杂质含量的高低与金刚石单晶裂纹缺陷的出现与否无内在关联性的研究结论.