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采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对未掺杂及稀土材料La掺杂3C-SiC的电子结构和光学性质进行理论计算.计算结果表明,La掺杂引起3C-SiC晶格体积增大,掺杂体系能量更小,掺杂体系的结构更稳定;未掺杂3C-SiC是直接带隙半导体,其禁带宽度为1.406 eV,La掺杂后带隙宽度下降为1.161 eV,La掺杂3C-SiC引入了3条杂质能级,能量较高的1条杂质能级与费米能级发生交叠,另外2条杂质能级都在费米能级以下价带顶之上,La掺杂引起3C-SiC吸收谱往低能区移动,未掺杂3C-SiC的静态介电常数为2.66,La掺杂引起静态介电常数增加为406.01,La掺杂3C-SiC是负介电半导体材料. 相似文献
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采用高温固相法合成了一种新型近红外发光材料Mg_(2-x)SnO_4∶xCr~(3+)。利用X射线粉末衍射仪对样品的结构进行了表征,证明所得到的荧光粉具有单一尖晶石结构,掺杂离子的加入并没有改变晶体结构。利用荧光光谱和荧光衰减光谱对荧光粉的发光性质进行了研究。当被470 nm的蓝光激发时,荧光粉在700 nm处出现一个尖锐的发射峰(R锐线)和中心发射在750 nm处的宽带发射峰,分别归属于Cr~(3+)的~2E→~4A_2和~4T_2(~4F)→~4A_2跃迁。研究不同浓度Cr~(3+)掺杂对样品发光性质的影响,发现样品的发光强度随着Cr~(3+)浓度的增加而增大。当Cr~(3+)掺杂浓度x=0.02时达到最大值,之后出现发光强度的猝灭,猝灭机理为多极相互作用。样品的荧光寿命随着Cr~(3+)掺杂浓度的增大逐渐减小,从而证明Cr~(3+)之间存在着能量传递现象。Mg_(2-x)SnO_4∶xCr~(3+)系列荧光粉还表现出了近红外长余辉发光性质。 相似文献
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824.
近年来,含硅金属化合物由于在催化工业等领域的广泛应用受到了化学工作者的重视。本文综述了以硅原子或硅杂链为配体的桥形成的金属络合物、金属硅氧烷、硅-金属化合物、金属不饱和硅化物、含硅多金属络合物五种含硅金属化合物的研究进展。最后,并对该领域的研究方向提出了展望。 相似文献
825.
针对超声成像逐点聚焦延时参数容量大、工程实现困难的问题,提出一种基于相对声程差的高精度逐点聚焦实现方法。该方法对逐点聚焦延时参数进行分解,压缩存储,并在逐点聚焦过程中实时解压生成聚焦延时参数,用于高精度的逐点聚焦中。为了验证该方法,本文以128阵元16通道的凸阵探头为例,进行了相关的数学推导和证明。在此基础上,给出了基于FPGA(Field Programmable Gate Array)的高精度逐点聚焦模块的硬件实现原理框图,并对该逐点聚焦方法的性能进行了分析讨论,验证了该方法的优越性。 相似文献
826.
827.
Nd3+-doped tellurite glass and a single mode tellurite glass fiber with a core diameter of 8 μm were prepared in this work. The 1.33-μm emission from the 4F3/2→4I13/2 transition of Nd3+ with a spectral bandwidth of 55 nm in tellurite glass fiber is observed.The lifetime of 164μs of 4F3/2 level and quantum
efficiency of about 100 % are obtained. 相似文献
828.
829.
830.