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在高中一年級講解二元二次联立方程組时,会碰到將二元二次式分解成質因式的問題。將一个实系数的二元二次式分解成兩个实系数的二元一次式之积的方法依賴於下面这个定理: 定理 設有实系数的二元二次式(1) F(x,y)=ax~2+bxy+cy~2+ +dx+ey+f,並假定a≠0。如果F(x,y)可以分解成兩个实系数的二元一次式之积,則一元二次方程(2) au~2+bu+c=0及(3) av~2+dv+f=0有实数解;而且如以m,n表(2)的解而以p,q表(3)的解,則(4) pn+qm=e/a或pm+qn=e/a。 証 設F(x,y)可分解成兩个实系数的二元一次式之积, 相似文献
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Analysis of the influence shifts of the acetylene of various effects on frequency saturated absorption lines
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Frequency shifts of the acetylene saturated absorption lines at 1.5μm with temperature, gas pressure and laser power have been investigated in detail. The second-order Doppler effect, the recoil effect, the Zeeman effect, the pressure shift and the power shift are taken into consideration. The magnitudes of those shifts caused by various effects are evaluated. In order to reproduce the stability of 5.7 × 10^-14 obtained by Edwards, all necessary conditions are given. The results show that when there is a larger external magnetic field, the Zeeman shift could not be neglected, so that the shield should be employed. And the design of a long cavity is advantageous to reduce the influence of the second-order Doppler effect. The results also show that at least 4-2.5℃ temperature control for cavity can effectively prevent several effects and improve the frequency stability. 相似文献
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氧化亚硅(SiO)作为锂离子电池负极材料,具有较高的理论比容量(~2043 mAh·g-1)以及合适的脱锂电位(< 0.5 V),且原料储量丰富、制备成本较低、对环境友好,被认为是下一代高能量密度锂离子电池负极极具潜力的候选材料。然而,SiO在脱/嵌锂过程中存在着较严重的体积效应(~200%),易导致材料颗粒粉化、脱落,严重影响了SiO负极电极的界面稳定性和电化学性能。近年来,人们围绕SiO负极结构优化和界面改性开展了大量工作。本文先从SiO负极材料的结构特点出发,阐述了该材料面临的主要瓶颈问题;继而从SiO的结构优化、SiO/碳复合和SiO/金属复合等三方面,系统总结了迄今已有的SiO负极结构设计和界面调控策略,并分别对其方法特点、电化学性能以及二者间关联规律进行了比较和归纳,最后对SiO负极材料结构和界面改性的未来发展方向进行了展望。 相似文献
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水下条纹沟槽表面近壁区流场的数值分析 总被引:4,自引:0,他引:4
近年来对于水下条纹沟槽表面减阻的研究多集中在试验方面,理论分析和数值计算进行的却不多。而由于受实验条件的限制,条纹沟槽表面减阻的微观机理也一直没有搞清楚。本文正是通过理论方面的分析和计算来进一步揭示条纹沟槽表面的微观流场。首先基于“第二涡群”论对条纹沟槽表面流场的减阻特性进行了理论分析,阐述了其减阻机理;在此基础上采用B.L两层代数模型,建立了条纹沟槽表面水下流场的简化数学模型;并利用有限差分法对近壁区流场进行了数值计算.首次通过理论计算的方法获得了条纹沟槽表面水下微观流场的速度分布;为以后进一步从理论和实验上研究条纹沟槽减阻特性奠定了重要的基础。 相似文献
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血红蛋白在裸银电极上的光谱电化学研究 总被引:7,自引:0,他引:7
光谱电化学作为把光谱技术和电化学方法有机结合起来的一门新技术[1],已成为将电化学研究提高到分子水平的强有力手段.多种类型及不同用途的光谱电化学池[2]成功地应用于生物分子的电化学及光谱电化学性质研究[3].我们利用自制的长光程薄层光透光谱电化学池研... 相似文献
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激光诱导击穿光谱(LIBS)定量分析中的自吸收效应不仅会降低谱线强度和增加线宽,而且使定标结果饱和,从而影响最终的分析精度。为了消除该效应的影响,提出了一种基于共振双线与非共振双线选择的自吸收免疫激光诱导击穿光谱(SAF-LIBS)技术,通过比较所测谱线强度比值和理论强度比值来确定等离子体的光学薄时刻,并使用共振线与非共振线来拓展元素含量的可测量范围。该技术可以分为定标和定量两个分析过程,其定标过程为:计算待测元素的共振双线及非共振双线的理论强度比,通过对比不同待测元素含量样品的共振双线及非共振双线在不同延时下的强度比和理论比,确定等离子体的光学薄时刻;使用一系列标准样品建立LIBS非共振线的单变量定标曲线;利用准光学薄谱线建立共振线和非共振线的SAF-LIBS单变量分段定标曲线。其定量分析过程为:先用非共振线和LIBS定标曲线确定未知样品所属的含量分段,再用准光学薄谱线以及与所属分段的共振或非共振SAF-LIBS定标曲线完成定量分析。对Cu元素的单变量定标结果表明,对于共振线,最佳延时随着样品含Cu量的增加而增加,且只有当含Cu量低于0.05%时,才可能获得准光学薄的共振线,而随着Cu含量的增加,自吸收变得非常严重,以至于无法获得光学薄的共振线;对于非共振线,当含Cu量在0.01%~30%范围内,均可获得准光学薄的非共振谱线,而当Cu含量大于50.7%时,将无法在等离子体寿命期内捕获到光学薄谱线。对Cu元素的定量分析结果表明,基于共振双线与非共振双线的自吸收免疫LIBS技术可以有效地避免自吸收效应的影响,各分段定标曲线的线性度均大于0.99,对两个未知样品中Cu元素含量的绝对测量误差分别为0.01%和0.1%,探测限达到了1.35×10-4%,最大可测量范围拓展至50.7%。 相似文献
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