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In this paper,we investigate the performance of the bulk fin field effect transistor(FinFET) through a threedimensional(3D) full band Monte Carlo simulator with quantum correction.Several scattering mechanisms,such as the acoustic and optical phonon scattering,the ionized impurity scattering,the impact ionization scattering and the surface roughness scattering are considered in our simulator.The effects of the substrate bias and the surface roughness scattering near the Si/SiO2 interface on the performance of bulk FinFET are mainly discussed in our work.Our results show that the on-current of bulk FinFET is sensitive to the surface roughness and that we can reduce the substrate leakage current by modulating the substrate bias voltage. 相似文献
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针对全双工通信系统设计了光子集成射频自干扰消除功能芯片.该芯片采用相位调制将射频信号转换至光域,在光域内进行光载射频信号的幅相调控以实现干扰对消功能.对功能芯片中主要功能单元进行优化设计后,延时调谐范围为0~10ps,30GHz带宽内的延时抖动小于0.1ps;滤波响应阻带抑制度为36.5dB,通带带宽为60.6GHz,边沿陡峭度为9.2dB/GHz.建立了光子集成芯片射频自干扰消除系统的理论模型,对功能芯片中可调光延时线、可调光衰减器及滤波器等引入的延时、幅度不匹配对系统消除性能的影响进行了仿真分析.结果表明,幅度失配量为0.02dB时,2GHz带宽信号下系统抑制度为-42.7dB;延时抖动为0.07ps时,2GHz带宽信号下系统的抑制度为-37dB.研究结果可为光子集成射频干扰抑制功能芯片的研制提供参考. 相似文献
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Bcklund变换是孤立子数学理论的重要组成部分。由方程的Backlund变换出发常可引出方程的无穷多个守恒律,解的非线性迭加公式以及孤立子解;然而,在Backlund变换的这些功用中,它所含参数的任意性极为重要,因而探讨不同参数的Backlund变换之间的关系是很重要的。本文就李翊神最近得到的一类演化方程的Backlund交换进行类似的讨论,给出了这类方程的Backlund变换与scale变换的关系。 相似文献
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给出了线和n-2的n阶(0,1)-矩阵的最大积和式的积分表达式,并证明了该积分表达式与[1]得到的组合表达式等价。 相似文献