异戊二烯分子10a''''轨道的电子动量谱

首次获得了异戊二烯分子10a′轨道的电子动量谱的实验结果,并与用Hatree-Fock方法和密度泛函理论计算得到的结果作了比较,实验结果和理论结果符合较好.     

含氮杂环多芳基咪唑衍生物的合成及其光物理性能

以冰醋酸为溶剂和催化剂,苯偶酰/9,10-菲醌、3-吲哚甲醛/3-咔唑甲醛及醋酸铵经"一锅"反应高效合成了系列含吲哚或咔唑结构单元的多取代咪唑衍生物.考察了反应物配比、溶剂的选择和用量及温度等因素对反应的影响,研究了所合成化合物的光物理性能;筛选出对p H值敏感且结构独特的两个化合物作为p H荧光探针,检测在其作用下MCF-7细胞在不同p H值环境中的荧光成像,结果表明探针2-(9-苄基-9H-咔唑-3-基)-4,5-二苯基-1H-咪唑(2d)和2-(9-苄基-9H-咔唑-3-基)-1H-菲并[9,10-d]咪唑(4)都可用作检测活细胞内p H变化的p H荧光探针.     

在Tween-80存在下以4,5-二溴苯基荧光酮光度法测定微量钛

本文研究了在非离子表面活性剂Tween-80存在下,用4,5-二溴苯基荧光酮(DBPF)光度法测定微量钛的基本条件。结果表明,在选定条件下,显色产物的ε=1.02×10~5,显色体系的对比度Δλ达75nm,且选择性高。实验方法于25毫升容量瓶中,依次加入0—4μg钛的溶液、2.5毫升Tweeu-80溶液(2％乙醇溶液),3毫升1mol/L H_2SO_4溶液及1.2毫升1.0×1×10~(-3)mol/L DBPF溶液,用水稀释至刻度。摇匀。以试剂空白作参比测量吸光度。试验表明,络合物相对于试剂溶液的最大吸收峰值λ_(max)=550nm。在该波长下工作时,1mol/LH_2SO_4用量在2.0—3.5毫升内吸光度值基本不变。为     

用条带织构装饰技术研究液晶全芳共聚酯的取向和非取向膜

用退火使条带织构装饰在全芳共聚酯的取向膜上，在偏光显微镜下同时观察到微纤和条带。微纤分三个层次，即直径分别为数十微米的微纤束、数微米的微纤和０．３微米的亚微纤，退火后三个层次的微纤松弛成不同的形态，微纤束仍笔直沿剪切方向取向，微纤松弛成螺旋形，而亚微纤松弛成波浪形从而观察到条带织构：微纤直径越小越易松弛，另一方面，非取向态织构退火后由亚微纤形成的条带装饰结果直观地揭示了微区内外分子指向矢的分布和它们在边界上的变化。退火时条带织构的形成被解释为分子的弹性回缩力缓慢发生作用使分子松弛所致。     

多取代芳香族化合物的合成：5.卤素—苯硒基取代的丁二烯和丁炔二酸二？…

本文报道用环加成－芳构化串连反应制备多取代芳香族化合物的方法，将１－氯－２－卤－３－苯硒基－１，３－丁二烯（５）与丁炔二酸二甲酯进行Ｄｉｅｌｓ－Ａｌｄｅｒ反应时，能直接生成多取代的芳香族化合物４－苯硒基－５－卤代邻苯二甲酸二甲酯（４）。若用２－卤素－３－苯硒基－１，３－丁二烯（１）与丁炔二酸二甲酯进行Ｄｉｅｌｓ－Ａｌｄｅｒ反应，只得到正常的加成产物４－苯硒基－５－卤素－１，４－环己二烯－１，２－二     

一种大口径无液氦低温超导磁体系统的研制

将铜和不锈钢材料制作成Φ646mm×1175mm大口径低温超导磁体复合骨架,骨架两端设计有传热热桥。选用1.5W@4.2K的G-M制冷机作为冷源,采用高导热的无氧铜编织带作为制冷机二级冷头和传热热桥之间的柔性连接件,来实现柔性传热。经过124h后,实现了低温超导磁体系统的冷却。超导磁体闭环运行后,磁场强度达到设计值,均匀区内不均匀度优于指标要求。     

He-N2碰撞体系散射截面的理论研究

本文运用量子化学从头计算MP2方法6-311 G(3df,2p)基组,计算了He-N2相互作用的势能,拟合出He原子与N2分子相互作用的各向异性势函数,其势函数参数:势能球平均势阱位置、势阱深度、势能零点位置与通过散射实验数据分析的ESMSV(Exponential-Spline-Morse-Spline-Van der waals)势比较吻合.然后,用公认精确度高的密耦方法计算了He原子与N2分子碰撞体系的总微分截面、弹性微分截面、转动激发的非弹性微分截面和积分截面,计算结果与实验数据符合得较好.     

Characteristics of High In-Content InGaN Alloys Grown by MOCVD

InN and In0.46 Ca0.54N films are grown on sapphire with a CaN buffer by metalorganic chemical vapour deposition （MOCVD）. Both high resolution x-ray diffraction and high resolution transmission electron microscopy results reveal that these films have a hexagonal structure of single crystal. The thin InN film has a high mobility of 4 75 cm^2V^-1s^-1 and that oflno.46 Gao.54N is 163 cm^2 V^-1s^-1. Room-temperat ure photoluminescence measurement of the InN film shows a peak at 0.72eV, confirming that a high quality InN film is fabricated for applications to full spectrum solar cells.     

改进教材中的一个公式

在人教版高二下B第37页有: 设a→=(a1,a2,a3),b→=(b1,b2,b3),则 事实上,①式是错误的．例如取a→=(1,1, 1),b→=(0,0,o),则a→∥b→．而根据①式有a→∥ b→(?)1=λ·0(λ∈R)．这是不可能的． 笔者认为,教材中①式前面应补上一个条 件b→≠0．或者,可将①式改进为 下面对②式证明: