InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱

利用MOCVD在Al_2O_3(0001)衬底上制备InGaN/GaN MQW结构蓝光LED外延片。以400 mW中心波长405 nm半导体激光器作为激发光源,采用自主搭建的100～330 K低温PL谱测量装置,以及350～610 K高温PL测量装置,测量不同温度下PL谱。通过Gaussian分峰拟合研究了InGaN/GaN MQW主发光峰、声子伴线峰、n-GaN黄带峰峰值能量、相对强度、FWHM在100～610 K范围的温度依赖性。研究结果表明:在100～330 K温度范围内,外延片主发光峰及其声子伴线峰值能量与FWHM温度依赖性,分别呈现S与W形变化;载流子的完全热化分布温度约为150 K,局域载流子从非热化到热化分布的转变温度为170～190 K;350～610 K高温范围内,InGaN/GaN MQW主发光峰峰值能量随温度变化满足Varshni经验公式,可在MOCVD外延生长掺In过程中,通过特意降温在线测PL谱,实时推算掺In量,在线监测外延片生长。以上结果可为外延片的PL发光机理研究、高温在线PL谱测量设备开发、掺In量的实时监测等提供参考。     

泥质盐岩单轴蠕变寿命研究

岩石流变力学的研究中，蠕变寿命是一个重要问题.由于长期蠕变试验资料的缺乏，难以估计蠕变破坏时间.该文进行了泥质盐岩单轴全应力 应变压缩试验，并采用陈氏加载法进行了单轴蠕变试验.对蠕变曲线进行了处理，获得了不同应力水平下的蠕变曲线簇，进而得到了等时应力-应变曲线簇.通过拟合分析，建立了等时应力-应变曲线割线模量随时间变化关系模型和等时应力 应变曲线的数学模型.对等时应力 应变曲线与全应力-应变曲线之间的关系进行了分析，获得了蠕变破坏强度和破坏应变分别与蠕变寿命之间的数学表达式.该文研究成果可以估计泥质盐岩的蠕变寿命、长期强度、长期模量、蠕变破坏线和蠕变终止线，对相关岩石流变寿命的估计具有借鉴意义.     

矩阵方程组的{P,Q,k+1}-自反解（英文）

主要研究了矩阵方程组AX=C,XB=D, AXB=E的{P, Q, k+1}-自反解和反自反解.通过奇异值分解,得到了以上方程组有{P,Q,k+1}-自反解和反自反解的充要条件,并给出了解的表达式.更进一步地,考虑了一般情况下方程组的最小二乘{P,Q,k+1}-自反解和反自反解.最后,给出了一个算法,且通过两个算例验证了其有效性.     

α-可分解4-圈系统

An m-cycle system of order ν and index λ, denoted by rn-CS(ν, λ), is a collection of cycles of length m whose edges partition the edges of λκ_v. An m-CS(ν, λ) is α-resolvable if its cycles can be partitioned into classes such that each point of the design occurs in precisely α cycles in each class. The necessary conditions for the existence of such a design are m|λν(ν-1)/2,2|λ(ν-1), m|αν,α|λ(ν-1)/2 It is shown in this paper that these conditions are also sufficient when m = 4.     

非偏振贝塞尔高斯光束的球散射

无衍射光束球散射性质的研究目前一般采用贝塞尔光束,但是贝塞尔光束在物理上是不可实现的。贝塞尔高斯光束作为近似无衍射光束,是亥姆霍兹方程在傍轴条件下的解,并且可以用激光振荡器直接产生,但其光束宽是有限的。应用傅里叶变换,平面波谱展开和球面矢量波函数展开法,推导了非偏振贝塞尔高斯光束的球散射远场的无量纲散射函数。通过数值模拟,对非偏振的贝塞尔高斯光束与贝塞尔光束,高斯光束的球散射远场进行了比较,比较发现:当球散射体偏离光轴时,非偏振贝塞尔高斯光束跟贝塞尔光束散射远场的差异主要是散射强度的差异,但是散射极点所在的方向基本保持不变;贝塞尔高斯光束和贝塞尔光束的散射在光束圆锥角方向上比较显著,但高斯光束的前向散射比较显著。     

糖的基质辅助激光解吸/电离质谱(MALDI-MS)研究

通过糖类化合物3种常用基质MALDI-MS分析效果的比较以及寡糖和多糖正、负离子MALDI-MS谱的对比,找到了适合糖分析的基质2,5-DHB,探讨了糖类化合物激光解吸/电离条件下形成离子的过程,指出了Na⁺、K⁺离子在寡糖分子量测定中的重要作用,借助柱层析分离手段,成功地测出了分子量大于10000的葡聚糖的分子量。     

甲基丙烯酸八氟戊酯乙烯基咪唑共聚物的合成及与钴卟啉复合物的氧结合性能

研究了甲基丙烯酸八氟戊酯单体及其与乙烯基咪唑共聚物的合成与表征 ,以及该共聚物与氧载体钴卟啉配位复合物的氧结合性能 .共聚物分子量和乙烯基咪唑含量分别由GPC和元素分析方法测定 ,结果为5 0× 10 4 和 2 5mol % .共聚物中的咪唑基与钴卟啉在溶液中配位 ,复合物具有快速、可逆的氧结合特性 .溶剂对复合物的氧结合性能影响较大 ,复合物在四氢呋喃中的氧结合亲合力大于在N ,N 二甲基甲酰胺中的亲合力     

桔皮苷与牛血清白蛋白相互作用的研究

运用荧光光谱、紫外光谱法研究了桔皮苷与牛血清白蛋白(BSA)的相互作用。桔皮苷分子与BSA作用导致BSA内源荧光猝灭,猝灭机理主要为静态猝灭,并存在非辐射能量转移。测定了不同温度下该反应的结合常数、结合位点数及结合热力学参数。结果表明:桔皮苷与BSA之间主要为氢键或范德华作用力,作用过程是一个熵增加、自由能降低的自发分子间作用过程;测得了供体与受体间结合距离r和能量转移效率E;并用同步荧光技术考察了桔皮苷对BSA构象的影响。     

实时直接分析高分辨质谱技术研究碳硼烷类化合物

该文运用高分辨质谱技术对实时直接分析(Direct analysis in real time,DART)离子化条件下碳硼烷化合物的质谱行为进行了研究,对碳硼烷化合物DART高分辨质谱中所得到的同位素峰簇进行了表征与归属.研究结果表明,选取的碳硼烷化合物在DART负离子条件下均能得到较好的质谱信号,这可能与硼笼结构的"...     

Mn掺杂GaN的电子结构及光学性质

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mn掺杂GaN(Ga1-xMnN)晶体的电子结构及光学性质,详细讨论掺杂后电子结构的变化.计算表明,Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N 2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,Ga1-xMnxN表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料.另结合实验结果分析掺杂后体系的光学性质,发现吸收谱在1.3 eV处出现吸收峰,吸收系数随Mn2+浓度增加而增大.分析表明,该峰是源于Mn2+离子e态与t2态间的带内跃迁.