首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1678篇
  免费   528篇
  国内免费   612篇
化学   1065篇
晶体学   80篇
力学   123篇
综合类   56篇
数学   419篇
物理学   1075篇
  2024年   16篇
  2023年   51篇
  2022年   79篇
  2021年   53篇
  2020年   69篇
  2019年   75篇
  2018年   81篇
  2017年   78篇
  2016年   72篇
  2015年   49篇
  2014年   108篇
  2013年   111篇
  2012年   96篇
  2011年   120篇
  2010年   107篇
  2009年   111篇
  2008年   124篇
  2007年   98篇
  2006年   90篇
  2005年   77篇
  2004年   91篇
  2003年   90篇
  2002年   78篇
  2001年   59篇
  2000年   72篇
  1999年   83篇
  1998年   72篇
  1997年   88篇
  1996年   57篇
  1995年   46篇
  1994年   69篇
  1993年   53篇
  1992年   41篇
  1991年   34篇
  1990年   37篇
  1989年   23篇
  1988年   20篇
  1987年   19篇
  1986年   25篇
  1985年   17篇
  1984年   13篇
  1983年   26篇
  1982年   14篇
  1981年   9篇
  1980年   5篇
  1979年   3篇
  1978年   2篇
  1959年   1篇
  1957年   2篇
  1956年   1篇
排序方式: 共有2818条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备 Mg2Si 薄膜。首先在钠钙玻璃衬底上交替溅射沉积两层Si、Mg 薄膜,冷却至室温后原位退火4 h,制备出一系列 Mg2Si 薄膜样品。通过 X 射线衍射仪(XRD) 、 扫描电子显微镜(SEM)对所得薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征, 讨论了退火温度和溅射Si/Mg/Si/Mg 时间对制备 Mg2Si 薄膜的影响。结果表明,采用磁控溅射法在钠钙玻璃衬底上交替溅射两层Si、Mg 薄膜, 通过原位退火方式成功制备出单一相的 Mg2Si 薄膜,溅射Si/Mg/Si/Mg 的时间为12.5/9/12.5/9 min,退火温度为550 ℃ 时,制备的 Mg2Si 薄膜结晶度最好,连续性和致密性最强。这对后续 Mg2Si 薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考。 积两层Si、Mg 薄膜, 冷却至室温后原位退火4 h, 制备出一系列 Mg2Si 薄膜样品. 通过 X 射线衍射仪(XRD) 、 扫描 电子显微镜(SEM)对所得薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征, 讨论了退火温度和溅射Si/Mg/Si/Mg 时间 对制备 Mg2Si 薄膜的影响. 结果表明, 采用磁控溅射法在钠钙玻璃衬底上交替溅射两层Si、Mg 薄膜, 通过原位退火 方式成功制备出单一相的 Mg2Si 薄膜, 溅射Si/Mg/Si/Mg 的时间为12.5/9/12.5/9 min, 退火温度为550 ℃ 时, 制 备的 Mg2Si 薄膜结晶度最好, 连续性和致密性最强. 这对后续 Mg2Si 薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考.  相似文献   
52.
使用第一性原理赝势方法及量子化学从头算方法计算的物理量以及最小二乘法拟合的数据构建了多元合金Fe-Cr-V-Ni-Si-C系的原子间互作用势,并利用该原子间互作用势计算了实验合金N5(Fe9.07Cr7.56V0.8Ni0.49 Mo0.96Mn1.52Si3.3C),N6(Fe9.65Cr7.72V1.17Ni0.50Mo0.91Mn1.42Si3.3C),N7(Fe9.81Cr7.65V1.58Ni0.46Mo0.86Mn1.35Si3.3C),N8(Fe10.05Cr7.59V2.24Ni0.40M 关键词: F-S多体势 多元合金 第一性原理  相似文献   
53.
54.
三元体系C_sCl-SbCl_3-HOAc(25℃)的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文测定了三元体系CsCl-SbCl_3-HOAc在25℃时的稳定平衡态的溶度及饱和溶液折光指数,绘制了相应的溶度图。稳定平衡态时体系中有五种固相:CsCl,SbCl_3两种原始盐;3CsCl·SbCl_3,3CsCl·2SbCl_3两种二元复盐和CsCl·5SbCl_3·4HOAc三元复盐。3CsCl·2SbCl_3相区极大,该复盐是固液同组成的。3CsCl·SbCl_3与CsCl·5SbCl3·4HOAc是固液异组成的。三元复盐在以往的文献中未见报道。3CsCl·SbCl_3,3CsCl·2SbCl_3在空气中稳定,不吸潮水解。三元复盐仅能在溶液中稳定存在,移出母液后易转变为3CsCl·2SbCl_3。测定了该体系25℃时一根甚长的介稳溶度曲线及饱和溶液折光指数。介稳溶度曲线所对应的固相为5CsCl·2SbCl_3。向该体系中的饱和溶液加入晶种,长时间搅拌,5CsCl·2SbCl_3转变为稳定态的3CsCl·2SbCl_3,溶液的组成亦降到3CsCl·2SbCl_3的溶度曲线上。在本实验条件下没有发现7CsCl·5SbCI_3复盐形成。除了文献报道过的从液态SO_2中制取3CsCl·8bCl_3的方法之外,本文提供了又一种制取该复盐的方法。本文为从铯榴石中提取CsCl的工艺及铯的定量分析,提供了相图上的根据.  相似文献   
55.
徐土根  王连邦  李晟  马淳安 《化学学报》2009,67(20):2275-2278
磷酸铁锂作为动力锂离子电池的正极材料正逐渐走向市场.以Li3PO4,FePO4,Fe粉以及乙醇为原料,采用高温热分解方法成功地制得乙醇碳包覆的LiFePO4正极材料.实验结果表明,该LiFePO4/C材料颗粒均匀,分散性好,粒径大约在200nm~1μm之间,颗粒表面被碳包覆,颗粒之间由碳纤维连接.该正极材料首次放电容量达137mAh·g-1,首次充放电库仑效率在95%以上,50次循环后,放电容量基本不衰减,显示出良好的循环稳定性和可逆性.本研究降低了锂离子电池的生产成本,显示了良好的工业化应用前景.  相似文献   
56.
通过氧化偶联聚合方法成功地合成出电活性聚芳醚酮. 该反应条件温和, 操作简单, 室温下即可进行. 用红外光谱、核磁共振谱、高效凝胶渗透色谱、循环伏安、热失重、X射线衍射等技术对所合成的聚合物进行了表征, 并探讨了聚合物的性能.  相似文献   
57.
介绍用脉冲荧光分析仪对氮中二氧化硫标准气体定值的分析方法,对方法的精密度、准确度及定值的不确定度进行了考察。该方法的定值结果与重量法的配制值相一致。用该法对荷兰国家计量院制备的氮中二氧化硫标准气体进行比对试验,取得了良好的等效性。  相似文献   
58.
以2-羟基-1,8-萘啶衍生物为原料,POBr3为溴化剂,通过简单高效的一步反应合成得到5个2-溴代1,8-萘啶衍生物,分别为2-溴-7-甲基-1,8-萘啶(L1)、2-溴-7-溴甲基-1,8-萘啶(L2)、2-溴-5,7-二甲基-1,8-萘啶(L3)、2-溴-5-甲基-7-溴甲基-1,8-萘啶(L4)和2-溴-5,7-二溴甲基-1,8-萘啶(L5).反应在高温或延长反应时间下易发生自由基取代反应,通过对影响2-溴代1,8-萘啶产物产率的反应条件(反应温度、反应时间、有无自由基猝灭剂)进行优化,得出各2-溴代1,8-萘啶衍生物的最优合成条件.L1和L3的最佳合成条件为60℃反应10min,若高温或延长时间反应,可加入FeCl3或四甲基哌啶氮氧化物(TEMPO)抑制自由基以保证产率;L2的最佳合成条件为80℃反应30min,L4的最佳条件为100℃反应20min,L5的最佳条件为100℃反应30min.优化条件下,各产物产率分别可达62.3%,67.5%,64.2%,56.9%和47.3%.  相似文献   
59.
以具有活血化瘀作用的中药有效成分阿魏酸为先导物,按生物电子等排原理,设计合成了6个((吡啶-3-基)甲氧基)芳酸衍生物,其结构经IR,1H NMR,13C NMR及MS确证.体外药效筛选结果显示,部分((吡啶-3-基)甲氧基)芳酸衍生物对二磷酸腺苷(ADP)诱导的血小板聚集具有较好的抑制活性,其中化合物1a的抑制作用明...  相似文献   
60.
将1mg多壁碳纳米管(MWCNT's)分散在5mL的0.5g·L~(-1)壳聚糖溶液中后,滴涂在铂电极表面,制得多壁碳纳米管修饰电极。将上述修饰电极在辣根过氧化物酶(HRP)溶液中浸泡8h,在MWCNT's修饰电极表面静电吸附辣根过氧化物酶,制成过氧化氢生物传感器,用于过氧化氢的测定。试验结果表明:在pH 6.0的磷酸盐缓冲溶液中,HRP/MWCNT's修饰电极对过氧化氢具有明显的电催化还原作用,过氧化氢的浓度在3.5×10~(-5)~9.0×10~(-3)mol·L~(-1)范围内与其还原峰电流呈线性关系,检出限(3S/N)为2.4×10~(-5)mol·L~(-1)。用标准加入法作回收试验,回收率在96.0%~101.8%之间。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号