高频原子波导中冷原子的磁导引

建立了高频原子波导模型,分析了铷冷原子在该波导内与磁场的相互作用势。高频波导线圈输入电流,在线圈中心轴线区域的势阱深度为mK量级,在线圈的径向能对温度为100 K左右的冷原子实现囚禁。通过分析可知改变输入波导线圈的输入电流大小,可改变势场的大小。计算了进入高频原子波导的冷原子和波导磁场产生相互作用束缚力的大小。在波导轴线中心区域,原子受到的束缚力较大,最大为1.710－23 N,为原子所受重力的10倍。     

Ge(Ⅳ)与Ga(Ⅲ)、Pb(Ⅱ)、Ce(Ⅲ)、V(Ⅴ)和W(Ⅵ)的析相绿色萃取分离和富集

用光度法研究了正丙醇-碘化钾-水体系萃取分离锗的行为,探讨了Ge（Ⅳ）与一些金属离子的分离条件。实验表明.当溶液中正丙醇、碘化钾和硫酸铵的浓度分别为30%（V/V）、8.0×10^-3mol/L和0.20g/mL时,Ge（Ⅳ）与Ga（Ⅲ）、Pb（Ⅱ）、Ce（Ⅲ）、V（Ⅴ）和W（Ⅵ）可定量分离。     

积分球内的铷原子激光冷却

研究了积分球内激光冷却原理,设计积分球时对积分球的反射率、尺寸及球上开孔大小对于激光冷却的影响进行了讨论. 进行了积分球冷却⁸⁷Rb实验,实验结果表明积分球有效的冷却了球腔中的铷原子,获得了积分球内冷原子的吸收信号以及冷原子随冷却光失谐的变化曲线. 关键词： 漫反射光场 积分球 全光冷却     

Difference-frequency ultrasound generation from microbubbles under dual-frequency excitation

The difference-frequency (DF) ultrasound generated by using parametric effect promises to improve detection depth owing to its low attenuation, which is beneficial for deep tissue imaging. With ultrasound contrast agents infusion, the harmonic components scattered from the microbubbles, including DF, can be generated due to the nonlinear vibration. A theoretical study on the DF generation from microbubbles under the dual-frequency excitation is proposed in formula based on the solution of the RPNNP equation. The optimisation of the DF generation is discussed associated with the applied acoustic pressure, frequency, and the microbubble size. Experiments are performed to validate the theoretical predictions by using a dual-frequency signal to excite microbubbles. Both the numerical and experimental results demonstrate that the optimised DF ultrasound can be achieved as the difference frequency is close to the resonance frequency of the microbubble and improve the contrast-to-tissue ratio in imaging.     

Dopant diffusion and surface morphology of vanadium implanted 4H-silicon carbide

The diffusion behaviours of vanadium implanted p- and n-type 4H-SiC are investigated by using the secondary ion mass spectrometry (SIMS). Significant redistribution, especially out-diffusion of vanadium towards the sample surface is not observed after 1650℃ annealing for both p- and n-type samples. Atomic force microscopy (AFM) is applied to the characterization of surface morphology, indicating the formation of continuous long furrows running in one direction across the wafer surface after 1650℃ annealing. The surface roughness results from the evaporation and re-deposition of Si species on the surface during annealing. The chemical compositions of sample surface are investigated using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results of C 1s and Si 2p core-level spectra are presented in detail to demonstrate the evaporation of Si from the wafer and the deposition of SiO₂ on the sample surface during annealing.     

低能He~(2+)入射He原子转移电离实验中出射电子成像研究

利用反应显微谱仪对70keV He2+-He转移电离过程中的出射电子进行了成像,研究了出射电子的空间速度分布特征.结果表明:电子主要集中在散射平面内;在散射平面内,电子速度分布介于零与入射离子速度Vp之间(即前向出射)且在散射离子和靶核核间轴处有一极小值,呈现出典型的双峰结构.出射电子的上述分布特征可由出射电子波函数σ振幅和π振幅的干涉进行定性解释,σ振幅和π振幅对出射电子波函数的贡献与碰撞参数相关.在小碰撞参数下,π振幅的贡献更加明显;而在大碰撞参数下,σ振幅的贡献更加显著.     

α-苯甲胺基-β-(3-吲哚基)-丙酸甲酯的合成

以L-色氨酸为原料经过4步得到α-苯甲胺基-β-(3-吲哚基)-丙酸甲酯,它是一种具有潜在的抗肿瘤活性的吲哚二酮哌嗪化合物的中间体,首先通过“酰氯法”合成L-色氨酸甲酯盐酸盐,再脱去盐酸,与苯甲醛发生缩合反应形成希夫碱,最后选择性还原,得目的产物,得率54.9%.     

k（k〉2）光子Jaynes—Cummings模型中自发辐射场的位相演化特性

应用Ｐｅｇｇ－Ｂａｒｎｅｔ（ＰＢ）位相理论，研究了ｋ光子Ｊａｙｎｅｓ－Ｃｕｍｍｉｎｇｓ（Ｊ－Ｃ）模型中自发辐射场的位相演化特性，计算了辐射场的位相几率分布函数与位相涨落，给出了在极坐标中位相几率分布演化曲线。     

稀土钻酸盐的电子和红外光谱研究

本文考察了具有钙钛矿型晶体结构的稀土钴酸盐LnCoO_3(Ln=La～Er)的电子和红外光谱,用晶体学和Ln-O,Co-O键的共价性讨论了实验结果,发现中心离子Co~(3+)的电子跃迁受到稀土离子Ln~(3+)的有规律的影响。LnCoO_3有其特定的CoO_6基团振动光谱,Ln-O的共价性随着稀土元素原子序数的增大而加强:重稀土的红外光谱比轻稀土更丰富,有的还出现分裂现象。用IR技术考察了制备等过程中晶体结构的变化。     

单轴〈111〉应力硅价带结构计算

基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构, 并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较. 给出了单轴〈111〉应力作用下硅价带顶处能级的移动、分裂以及空穴有效质量的变化情况. 计算所得未受应力作用时硅价带顶处重空穴带、轻空穴带有效质量与相关文献报道体硅有效质量结果一致. 拓展了单轴应力硅器件导电沟道应力与晶向的选择范围,给出的硅价带顶处重空穴带、轻空穴带能级间的分裂值和有效质量随应力的变化关系可为单轴〈111〉应力硅其他物理参数的计算提供参考. 关键词： 单轴应力硅 k·p法')" href="#">k·p法 价带结构