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Nb2O5掺杂对提高钨酸铅晶体发光性能的微观研究 总被引:4,自引:2,他引:2
通过透射谱、X射线激发发射谱(XSL)的测试,研究了布里奇曼(Bridgman)法生长的掺铌钨酸铅晶体的发光性能,并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X射线光电子能谱(XPS)的实验手段,对其微观缺陷进行了深入研究。结果表明,铌掺杂能够有效地改善钨酸铅晶体的350nm吸收带,提高钨酸铅晶体的发光快成分比例,并使得晶体中的正电子捕获中心浓度上升,低价氧浓度上升。提出掺铌钨酸铅晶体中Nb^5 将占据W^6 格位并使得晶体内部分(WO4)^2-根团成为(NbO3 Vo)^-,由此可改善钨酸铅的发光性能。 相似文献
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掺钇钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过透射谱、X射线激发发射谱(XSL)的测试,研究了Bridgman法生长的掺钇钨酸铅晶体的发光性能,并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X光电子能谱(XPS)实验手段,对掺钇钨酸晶体的微观缺陷进行研究。实验表明,钇掺杂能够提高钨酸铅晶体的发光快成分比例,并使得晶体中的正电子俘获中心浓度下降,低价氧浓度下降。提出掺钇钨酸铅晶体中钇的掺杂主要以Y^3 占据VPb的形式存在。Y^3 占据VPb可能是钨酸铅晶体吸收边得到改善的原因,而由于晶体内低价氧浓度的减少,作为绿光发光中心的(WO3+O^-)基团的减少可能会使发光快成分比例有所增加。 相似文献
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All-fiber erbium-doped dissipative soliton laser with multimode interference based on saturable-reserve saturable hybrid optical switch
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Reverse saturable absorption is essential for the realization of dissipative solitons. In this paper, we introduce reverse saturable absorption by using nonlinear multimode interference (NL-MMI), for the first time, to the best of our knowledge, and obtain a stable dissipative soliton operation. By adjusting the coupling efficiency from multimode fiber to single mode fiber, the absorption properties of NL-MMI can be switched between saturation and reverse saturation. The dissipative soliton can be obtained with pulse width of 975 fs in the experiment, the 3-dB bandwidth at 1555 nm is 16 nm, and the maximum output power is 11.48 mW. The nonlinear absorption optical modulation and high damage threshold characteristics of the NL-MMI based ultrafast optical switch provide a new idea for realizing dissipative solitons. 相似文献
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采用操作简单的溶胶-凝胶法和射频磁控溅射法在石英衬底上分别制备了MgxZn1-xO薄膜和MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层结构的透明导电薄膜并对样品进行退火处理。利用紫外-可见分光光度计、X射线衍射仪、光致发光、霍尔效应测试对在不同退火温度下薄膜的晶体结构、光学和电学性质进行表征分析,并研究退火温度对其影响。测试结果表明:所制备的薄膜样品均具有良好的c轴(c-axis)取向并呈现出六角纤锌矿结构。Mg组分的增加使得ZnO基薄膜的光学带隙逐渐增大,PL发光谱和吸收光谱的谱线出现了明显的蓝移现象,但薄膜的电学特性有所降低。而在MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层结构的薄膜样品中,Au夹层的存在使薄膜的光学性质变差,在紫外区域透光率约为60%。但薄膜的电学性质得到明显改善,相比MgxZn1-xO薄膜,其电阻率和迁移率显著提高。此外通过高温退火处理可以有效提高所制备薄膜的晶体质量,进一步提高样品电学特性,其中经过500℃退火后的薄膜迁移率达到了40.9cm2·Vs-1,电阻率为0.005 7Ω·cm。但随着退火温度的进一步升高,薄膜晶体尺寸从25.1nm增大到32.4nm,从而降低了该薄膜的迁移率。因此该夹层结构的MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO薄膜对于促进ZnO基透明导电薄膜在深紫外光学器件中的应用有重要作用。 相似文献
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设计并研究了一种工作于2 μm波段的GaSb基亚波长高对比度光栅反射镜,其具有低折射率光栅层结构。通过严格耦合波理论优化结构,以最大限度地满足VCSEL腔面反射镜对反射率带宽的要求。反射镜对2 μm波段的TM模式具有优良的反射效率,带宽与设计波长之比达15%(反射率R>99%),在反射率R>99.9%的部分Δλ/λ0>9.5%,带宽中心波长为2.003 μm,与此同时TE模的反射率不超过70.20%。该反射镜结构中几个参数的制作容差较大,且厚度低于1.1 μm,有利于在垂直腔面发射半导体激光器上的单片集成。 相似文献
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