浅谈珠脑速算的发展前景

珠脑速算教育是启迪智力,进行素质教育,功在当代,利在千秋的“重要工程”。它具有早期开发儿童智力,增强儿童感知力、想象力、记忆力等功能,那么这项科研项目,它的发展前景如何?成为从事这项科研的工作者     

GamN (m＝1～9)团簇结构与稳定性的量子化学研究

用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法, 在6-31G*水平上对Ga_mN (m＝1～9)团簇的几何构型、电子结构、振动频率等性质进行了理论研究. 给出了将Ga_mN团簇中化学键键型和成键数目的多少与团簇的稳定性相结合, 可以较快找到Ga_mN团簇基态结构的一种方法. 通过对基态结构的能量二次差分讨论, 得到m为奇数的Ga_mN团簇比m为偶数的稳定.     

193 nm深紫外光刻胶用成膜树脂的研究进展

本文综述了用于193 nm深紫外光刻胶的主体成膜树脂的种类及常用合成单体的研究进展,包括聚(甲基)丙烯酸酯体系、环烯烃-马来酸酐共聚物(COMA)体系、乙烯醚-马来酸酐共聚物(VEMA)体系、降冰片烯加成聚合物体系、环化聚合物体系、有机-无机杂化树脂体系以及光致产酸剂(PAG)接枝聚合物主链型等,并分析了目前关于曝光、分辨率和抗蚀刻性能方面存在的问题及未来的发展方向。     

氯化聚氯乙烯热稳定性研究 Ⅰ.氯含量对热稳定性影响

本文用红外光谱分析了聚氯乙烯(PVC)和氯化聚氯乙烯(CPVC)的分子结构,用电导法评价了它们的热稳定性. 试料 PVC系天津化工厂生产,XS-7型;CPVC系前者的氯化产品,由安徽化工研究所提供,含氯量64％,日本产CPVC,牌号H827,含氯量68.5％.     

AlmN2－ (m=1～8)团簇的结构与稳定性

用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法, 在6-311G*水平上对AlmN2－ (m =1～8)团簇的几何构型、电子结构、振动频率、电荷分布与成键方式进行了理论研究. 结果表明, AlmN2－ 团簇的基态结构有两种基本构型, 一种是以N—N键为核心, 周围与Al原子配位形成的； 另一种是由两个AlnN(n＜m)分子碎片通过共用Al原子或Al—Al键相互结合形成的. 对AlnN分子碎片相互结合形成的基态结构亲和能讨论得到, m为奇数的AlmN2－团簇比m为偶数的稳定.     

双扩散对流与晶体生长

本文概述了双扩散对流效应及其对晶体生长的影响.双扩散对流是能在静力稳定的流体系统中发生的一种特殊的对流效应.某些晶体生长过程中具备发生双扩散对流的条件,忽视双扩散对流效应的晶体生长理论会引起与实际过程的明显偏离.文中还评述了现有双扩散对流与结晶过程耦合的计算结果及有待进一步研究的问题.      

2-氨基-5-取代基4-噻唑基膦酸酯的质谱研究

本文对一系列2-氨基-5-取代基-4-噻唑基膦酸酯进行了质谱研究,发现2-氨基-5-取代基-4-噻唑基膦酸酯的膦酰基中的烷基在碎裂过程中产生了一种新的γ-烷基重排反应,并且讨论了这类化合物的质谱碎裂行为,用电子轰击碰撞活化质量分析离子动能谱(EI-CA-MIKES)和高分辨精确质量测量技术(AMMT)作了进一步的研究。     

α粒子反常扩散效应及等离子体温度空间自洽分布

本文采用多群方法研究了慢化过程中快α粒子反常扩散对其能谱及空间分布的影响，并与本底等离子体的能量平衡方程结合起来求解了等离子体的空间自洽温度分布。以ＩＴＥＲ－ＣＤＡ设计参数为例，分析了不同密度条件下氘氚自持燃烧过程与α粒子反常扩散的关系。     

数字的妙趣

我省克山县珠算协会郝友福、刘永发二位谈了《数字的妙用》一文,我们拜读后受益非浅。在他们的启迪下,我们也来试谈一下“数字在算术里”的奥妙和趣味所在。 数字:数字是表示数目的书写符号。常见数字有中国数字(大写:零、壹、贰、参、肆、伍、陆、柒、捌、玖、拾;小写:0、一、二、三、四、五、六、七、八、九、十);阿拉伯数字(0、1、2、3、4、     

利用界面调控制备二维有机半导体晶体及其机制研究

二维有机半导体晶体是利用分子间的范德瓦耳斯力进行自组装生长的单晶材料。本质上的单晶属性使其具备优异的电学特性。更重要的是,二维极限下增强的界面特性能够大幅调控器件行为,为构建多功能界面器件提供可能。此外,充分暴露的电荷输运沟道和极少的晶面内缺陷能够为研究本征的有机电子输运特性创造可能。目前,对于二维有机半导体晶体的生长工艺研究已经取得了较大的进展,但是从理论层面上研究二维晶体生长的自组装过程仍然十分匮乏。本工作利用添加剂辅助结晶技术成功制备出二维有机半导体晶体,并通过偏光显微镜和原子力显微镜对二维晶体进行了全面的表面形貌和结构表征。通过SEM结合EDS技术对关键的形核界面进行了结构和组成的表征以研究晶体生长的机制。研究结果表明:在添加剂界面上,生长材料能够稳定形核,并计算出添加剂构建的有利界面能够将形核势垒降低为SiO₂界面上的1/5。这项工作充分展现了生长界面对于晶体生长的关键作用,并从理论上揭示了界面的调控行为,为二维有机半导体晶体的生长工艺设计提供了可靠的思路。