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本文研究一类带粗糙核的参数型Marcinkiwicz积分算子与BMO(R~n)函数生成的交换子μ_(?,b)~ρ在齐次Morrey-Herz空间MK˙_(p,q)~(α,λ)(R~n)上的有界性,利用经典调和分析的方法和实变技巧,证明了μ_(?,b)~ρ是从MK˙_(p,q)~(α,λ)(R~n)到MK˙_(p,q)~(α,λ)(R~n)上有界的. 相似文献
42.
基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法, 构建了未掺杂与相同掺杂浓度的Zn1-xTMxO (TM=Al, Ga, In) 超胞模型,分别对模型进行了几何结构优化、态密度分布和能带分布的计算. 结果表明, 分别高掺杂 (Al, Ga, In) 相同原子分数3.125 at%的条件下, In掺杂对ZnO导电性能最好的结果, 计算结果和实验结果相一致.
关键词:
(Al,Ga,In) 高掺ZnO
导电性能
第一性原理 相似文献
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本文报道了采用分子束外延技术制备的三色InAs/GaAs量子点红外探测器. 器件采用nin型结构, 吸收区结构是在InGaAs量子阱中生长含有AlGaAs插入层的InAs量子点, 器件在77 K下的红外光电流谱有三个峰值: 6.3, 10.2和11 μm. 文中分析了它们的跃迁机制, 并且分别进行了指认. 因为有源区采用了不对称结构, 所以器件在外加偏压正负方向不同时, 光电流谱峰值的强度存在一些差异. 不论在正偏压或者负偏压下, 当偏压达到较高值, 再进一步增大偏压时, 都出现了对应于连续态的跃迁峰强度明显下降的现象, 这是由量子点基态与阱外连续态的波函数交叠随着偏压进一步增大而迅速减小导致的. 相似文献
46.
INFLUENCE OF γ-RADIATION ON THE DIELECTRIC CHARACTERISTICS IN Rb2ZnCl4 SINGLE CRYSTALS AT INCOMMENSURATE-COMMENSURATE PHASE TRANSITION 下载免费PDF全文
In this paper the influence of γ-radiation on the dielectric constants of Rb2ZnCl4 crystal at incommensurate-commensurate phase transition (hereafter abbreviated as INC-C transition) are studied. The thermal hysteresis occurs upon both cooling and heating runs, irrespective of whether the samples have been treated with γ-radiation or not. For the γ-irradiated sample, its transition point, Tc, between the INC and C phases is not changed, but the peak value of the dielectric constant at Tc increases abruptly, compared with that before γ-irradiation, When this sample is annealed at 40℃, the peak value restores to the incipient value for the sample free from γ-irradiation. The origin of the phenomenon of the thermal hysteresis of the dielectric constant may be due to the pinning effect of dejects or impurities in the samples. 相似文献
47.
对应于混沌振子的各个Lyapunov指数,在切空间中定义了广义相位和广义旋转数.广义旋转数和Lyapunov指数相结合,可以更完整地描述混沌吸引子的各个运动模式的运动特征,包括伸缩与旋转.用耦合Duffing振子研究了时空混沌系统在同步混沌失稳时发生的分岔行为.结果表明,耦合振子的同步混沌态可以发生一种Hopf分岔,在Hopf分岔后,系统的功率谱中出现了一个特征频率,其值恰好等于分岔前临界横模的广义旋转数.
关键词: 相似文献
48.
49.
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对p型掺杂13 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析.实验上,测量了不同腔长激光器阈值电流密度与总损耗的对应关系,拟合出的最大模式增益为175 cm-1,与相同结构非掺杂量子点激光器的最大模式增益一致.同时理论分析表明,p型掺杂对InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益并无影响,并且最大模式增益的计算结果与实验值相符.具有较小高度或高宽比的量子点能达到更高的最大模式增益,而较高的最大模式增益对p型掺杂13 μm InAs/GaAs自组织量子点激光器在光通信系统中的应用具有重要意义.
关键词:
最大模式增益
p型掺杂
InAs/GaAs量子点激光器 相似文献