超宽禁带半导体 β-Ga2O3单晶生长突破2英寸

<正>氧化镓(β-Ga_2O_3)单晶是一种第四代超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.8~4.9eV,具有独特的紫外透过特性(吸收截止边~260nm);击穿电场强度高达8MV/cm,是Si的近27倍、SiC及GaN的2倍以上,巴利加优值分别是SiC、GaN的10倍、4倍以上,并且可以采用熔体法生长大尺寸体单晶,因此β-Ga_2O_3已成为超高压功率器件和深紫外光电子器件的优选材料之一。由于其在军事、能源、医疗、环境等领域的重要应用价值,近年来,氧化镓材料及器件的研究与应用成为当前美国、日本、德国等国家的研究热点和竞争重     

低碳中锰抗磨球墨铸铁的研制及其磨粒磨损性能研究

从回收和再生利用高锰钢废料中铝资源的角度出发,探讨了以高锰钢废料作为主要原材料生产低碳中铝抗磨球星铸铁的可能性及存在的技术问题,并对比考察了所研制的材料同中铝抗磨球星铸铁KMTQMn6的磨粒磨损性能和环境协调性．研究结果表明,所研制的低碳中铝球星铸铁的耐磨性能更好、环境负荷更低,是具有良好环境协调性的球星铸铁．     

p型掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究

对p型掺杂13 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析.实验上,测量了不同腔长激光器阈值电流密度与总损耗的对应关系,拟合出的最大模式增益为175 cm^-1,与相同结构非掺杂量子点激光器的最大模式增益一致.同时理论分析表明,p型掺杂对InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益并无影响,并且最大模式增益的计算结果与实验值相符.具有较小高度或高宽比的量子点能达到更高的最大模式增益,而较高的最大模式增益对p型掺杂13 μm InAs/GaAs自组织量子点激光器在光通信系统中的应用具有重要意义.关键词：最大模式增益p型掺杂InAs/GaAs量子点激光器     

一类耦合非线性振子同步混沌Hopf分岔及其电路仿真

对于一类同时存在扩散耦合和梯度耦合的非线性振子系统, 通过空间傅里叶变换,得到具有不同波矢的各运动模式的相互独立的运动方程. 计算各横截模的Lyapunov指数, 可在耦合参数平面上确定同步混沌的稳定区域. 在稳定区域边界, 一对共轭横截模式失稳,导致同步混沌的Hopf分岔. 对耦合Lorenz振子系统进行了数值模拟,并设计了耦合Lorenz振子系统的电路, 进行耦合振子系统同步混沌Hopf分岔的电路仿真实验. 计算和仿真的结果表明,Hopf分岔的特征频率等于失稳横截模式的振荡频率.关键词：耦合非线性振子同步混沌横截模式电路仿真     

表面张力对Rayleigh-Taylor不稳定性谐波的影响

Using the method of the parameter expansion up to the third order, explicitly investigates surface tension effect on harmonics at weakly nonlinear stage in Rayleigh-Taylor instability (RTI) for arbitrary Atwood numbers and compares the results with those of classical RTI within the framework of the third-order weakly nonlinear theory. It is found that surface tension strongly reduces the linear growth rate of time, resulting in mild growth of the amplitude of the fundamental mode, and changes amplitudes of the second and third harmonics, as is expressed as a tension factor coupling in amplitudes of the harmonics. On the one hand, surface tension can either decrease or increase the space amplitude; on the other hand, surface tension can also change their phases for some conditions which are explicitly determined.     

Cu对Ni50Mn36In14相变和磁性的影响

文章研究了Cu替代部分Ni对铁磁性形状记忆合金Ni₅₀Mn₃₆In₁₄相变和磁性的影响规律. 研究表明,在Ni_50-xCu_xMn₃₆In₁₄中,随着Cu含量的增加,相变温度逐渐降低. Cu含量低于5%时,奥氏体的磁性强于马氏体的磁性, 母相和马氏体相的饱和磁化强度的差值ΔM随着Cu含量的增加而增大. 当Cu含量x=4.5时, ΔM迅速增加到80 emu/g, 并在该材料中观察到了磁场驱动的马氏体到奥氏体的转变,显示了该材料作为磁驱动磁电阻材料的潜在应用前景.当Cu含量高于5%时,奥氏体保持铁磁状态, 马氏体相由反铁磁状态变为铁磁状态,马氏体的磁性强于奥氏体的磁性, ΔM大大削弱,磁场驱动性质消失.     

旋声晶体NaBrO3与NaClO3的弹性研究

用中子相干非弹性散射、沿三个主晶轴方向测量了同构异质晶体NaBrO₃和NaClO₃的声子色散关系。从小波矢区的实验结果获得了沿晶体这些方向的弹性波速及三个独立的弹性常数C₁₁,C₁₂,C₄₄。实验结果表明,尽管这两种晶体在旋声方面表现出十分不同的特性,但是,它们的左旋和右旋圆偏振声子的声速都是在一个特定的平均速度v_(TD)上下均衡的分布,这个平均速度可由关键词：     

Zn1-xTMxO (TM=Al,Ga, In)导电性能的模拟计算

基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法, 构建了未掺杂与相同掺杂浓度的Zn_1-xTM_xO (TM=Al, Ga, In) 超胞模型,分别对模型进行了几何结构优化、态密度分布和能带分布的计算. 结果表明, 分别高掺杂 (Al, Ga, In) 相同原子分数3.125 at%的条件下, In掺杂对ZnO导电性能最好的结果, 计算结果和实验结果相一致.关键词：(Al,Ga,In) 高掺ZnO导电性能第一性原理     

Czochralski晶体生长中非定常热对流过程的数值模拟

本文应用有限控制体算法,采用中心差分格式处理具有Boussinesq近似的N-S方程的对流和扩散通量项,计算了无坩埚和籽晶旋转情况下CZ晶体生长中熔体的非定常自然对流。数值计算的结果得到了某些典型时刻的流场结构和温度分布情况。结合计算得到的CZ熔体总动能和总热能随时间变化的规律,分析了流场和温度场的不稳定变化过程。此外,计算结果还给出了在非稳定热对流影响下的晶-液界面热通量的变化。非定常计算的结果对于研究自然对流和CZ单晶生长,具有理论和实际意义。关键词：     

混沌振子的广义旋转数和同步混沌的Hopf分岔

对应于混沌振子的各个Lyapunov指数,在切空间中定义了广义相位和广义旋转数．广义旋转数和Lyapunov指数相结合,可以更完整地描述混沌吸引子的各个运动模式的运动特征,包括伸缩与旋转．用耦合Duffing振子研究了时空混沌系统在同步混沌失稳时发生的分岔行为．结果表明,耦合振子的同步混沌态可以发生一种Hopf分岔,在Hopf分岔后,系统的功率谱中出现了一个特征频率,其值恰好等于分岔前临界横模的广义旋转数．关键词：