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181.
182.
研究了钝化在抑制电流崩塌的同时,会引起HEMT器件击穿电压的下降.而采用场板结构的AlGaN/GaN场板HEMT器件(FP-HEMT)的击穿电压从46V提高到了148V,表明了场板对提高击穿电压有显著作用(3倍以上).接着,比较了FP-HEMT器件与常规HEMT器件,钝化后HEMT器件在应力前后的电流崩塌程度,得出了采用场板结构比之钝化对器件抑制电流崩塌有更明显作用的结论.从理论上和实验上都表明,采用场板结构能够很好解决提高击穿电压与抑制电流崩塌之间的矛盾.
关键词:
GaN
场板
击穿电压
电流崩塌 相似文献
183.
Electrical Characteristics of Copper Phthalocyanine Thin-Film Transistors with Polyamide-6/Polytetrafluoroethylene Gate Insulator 下载免费PDF全文
Polyamide-6(PA 6)/polytetrafluoroethylene is studied as a potential gate dielectric for flexible organic thin film transistors. The same method used for the formation of organic semiconductor and gate dielectric films greatly simplifies the fabrication process of devices. The fabricated transistors show good electrical characteristics. Ambipolar behaviour is observed even when the device is operated in air. 相似文献
184.
The axial emitted bremsstrahlung spectra were measured on SECRAL(Superconducting ECR ion source with Advanced design in Lanzhou)using an HPGe detector.The spectral temperature T_(spe) was obtained from the linear fit of the spectra in the semi-log present.The evolution of T_(spe) with microwave power and magnetic field configuration is investigated in this paper. 相似文献
185.
Hyperbolic Bending of Vortex Lines with Finite Number and Length in Rotating Trapped Bose-Einstein Condensates 下载免费PDF全文
The minimal energy configurations of hyperbolic bending vortex lines in the rotating trapped Bose-Einstein condensates are investigated by using a variational ansatz and numerical simulation. The theoretical calculation of the energy of the vortex lines as a function of the rotation frequency gives self-consistently vortex number, curvature and configuration. The numerical results show that bending is more stable than straight vortex line along the z-axis, and the vortex configuration in the xy-plane has a little expansion by increasing z. 相似文献
186.
毕达哥拉斯学派将抽象的数作为万物的本原,认为"万物皆数",试图通过揭示数的奥秘来探索宇宙的真理.因此,他们对数作了深入的研究.并获得了很多重要的结果,其中有很多发现是对后来影响深远的趣味数学问题. 相似文献
187.
188.
用俄歇能谱仪对比研究了添加0.2%Y对高硅不锈钢在93%H2SO4介质中所形成的钝化膜中各元素浓度分布的影响,添加0.2%Y增大了SiO2在不锈钢钝化膜中的比例,从而使合金中Si可充分形成富SiO2的钝化膜。 相似文献
189.
马长兴 《数学物理学报(A辑)》2000,20(1):25-30
(7)中给出并研究了均匀设计抽样(UDS)及随机化均匀设计(RUD)的一些优良性质,作者给出该设计和抽样的一、二阶矩。 相似文献
190.
在Lw-空间中引入拟w-Lindelof性的概念,讨论拟w-Lindelof性的一些基本性质,给出拟w—Lindelof性的几个等价刻画。 相似文献