Transient simulation and analysis of current collapse due to trapping effects in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor

In this paper, two-dimensional(2D) transient simulations of an Al Ga N/Ga N high-electron-mobility transistor(HEMT)are carried out and analyzed to investigate the current collapse due to trapping effects. The coupling effect of the trapping and thermal effects are taken into account in our simulation. The turn-on pulse gate-lag transient responses with different quiescent biases are obtained, and the pulsed current–voltage(I–V) curves are extracted from the transients. The experimental results of both gate-lag transient current and pulsed I–V curves are reproduced by the simulation, and the current collapse due to the trapping effect is explained from the view of physics based on the simulation results. In addition, the results show that bulk acceptor traps can influence the gate-lag transient characteristics of Al Ga N/Ga N HEMTs besides surface traps and that the thermal effect can accelerate the emission of captured electrons for traps. Pulse transient simulation is meaningful in analyzing the mechanism of dynamic current collapse, and the work in this paper will benefit the reliability study and model development of Ga N-based devices.     

考虑粘压效应的两圆柱EHL非线性问题的有限元解

主要符号裹石赫芝压力区半宽E:,石,拉压弹性模量 1I“‘=人汤o滩m inH~H。二H二;nN矛PP= 1/l一川_1一次、=二居一-二二一十—. 2\七:七:/“:,“2圆柱圆周线速度。=之(“, 。:) 2详E产油膜厚度中心处油膜厚度 最小油膜厚度汤/R二人。/R=hm。。/R单元插值函数油膜压力户/E‘RZ圆柱半径~l)孕答君’R~李十李 入i代2 弹性变形留单位宽度上的载荷砂二兰止. E,R,整体坐标x,出口边界位置X一x/ba粘压系数拜润滑油粘度砰。进口处润滑油粘度aL,口2泊松比RI,1一R一、引言 齿轮、凸轮、滚柱轴承等机件的润滑问题,可模拟成承受一定载荷,具有一定…     

粘质海底稳定性实例分析

本文对南海珠江口盆地大陆架区和东海浙江沿岸象山港的粘质海底进行了稳定性分析。通过实例分析判定了该地区不稳定性的原因, 并给出了稳定性估计的直观图。文中还指出了今后研究的方向。     

Radio-Frequency Performance of Epitaxial Graphene Field-Effect Transistors on Sapphire Substrates

We report dc and the first-ever measured small signal rf performance of epitaxial graphene field-effect transistors （GFETs）, where the epitaxial graphene is grown by chemical vapor deposition （CVD） on a 2-inch c-plane sapphire substrate. Our epitaxial graphene material has a good flatness and uniformity due to the low carbon concentration during the graphene growth. With a gate length Lg = 100 nm, the maximum drain source current Ids and peak transconductance gm reach 0.92 A/mm and 0.143 S/mm, respectively, which are the highest results reported for GFETs directly grown on sapphire. The extrinsic cutoff frequency （fT） and maximum oscillation frequency （fmax） of the device are 12 GHz and 9.5 GHz, and up to 32 GHz and 21.5 GHz after de-embedding, respectively. Our work proves that epitaxial graphene on sapphire substrates is a promising candidate for rf electronics.     

单针电极放电的发光特性

采用单针电极放电装置在氩气中产生了稳定的均匀等离子体。利用光学方法对单针放电特性进行了研究,结果表明单针放电等离子体的长度随外加电压峰值、气压的增大而增大,随空气含量的增大而减小。利用光电倍增管对单针电极放电等离子体羽的发光信号进行了空间分辨测量,发现靠近单针电极的羽头和等离子体羽其余部分放电行为不同。其中羽头源于针尖附近的电晕放电,它仅在外加电压负半周期的发光较强,正半周期发光几乎探测不到。而等离子体羽其余部分的放电在外加电压正、负半周期均存在,且正半周期强于负半周期。研究表明,外加电压正半周期的等离子体羽是源于发光光层(等离子体子弹)的传播,而负半周期等离子体羽的不同位置几乎同时放电。     

氧化锌基材料、异质结构及光电器件

Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物半导体氧化锌(ZnO)的禁带宽度为3.37 eV,室温下激子束缚能高达60 meV,远高于室温热离化能(26 meV),是制造高效率短波长探测、发光和激光器件的理想材料。历经10年的发展,ZnO基半导体的研究在薄膜生长、杂质调控和器件应用等方面的研究获得了巨大的进展。本文主要介绍了以国家"973"项目(2011CB302000)研究团队为主体,在上述方面所取得的研究进展,同时概述国际相关研究,主要包括衬底级ZnO单晶的生长,ZnO薄膜的同质、异质外延,表面/界面工程,异质结电子输运性质、合金能带工程,p型掺杂薄膜的杂质调控,以及基于上述结果的探测、发光和激光器件等的研究进展。迄今为止,该团队已经实现了薄膜同质外延的二维生长、硅衬底上高质量异质外延、基于MgZnO合金薄膜的日盲紫外探测器、可重复的p型掺杂、可连续工作数十小时的同质结紫外发光管以及模式可控的异质结微纳紫外激光器件等重大成果。本文针对这些研究内容中存在的问题和困难加以剖析并探索新的研究途径,期望能对ZnO材料在未来的实际应用起到一定的促进作用。     

一种快速的单目移动相机下运动目标检测方法

从射影几何的角度分析了单目移动相机下场景运动矢量与摄像机运动之间的关系,基于摄像机光心坐标系,提出了一种快速极线估计算法.该算法中摄像机在此坐标系下永远静止,只有场景和运动目标在运动,将原来移动平台下运动目标检测的问题转换成静止平台下场景全局运动与运动目标独立运动的问题,并推导出光流约束的简洁形式.该算法框架能够根据KLT算法获得Harris角点光流场,并根据实际图像的运动场补偿摄像机的随机运动,同时在保证算法准确性与鲁棒性的前提下,与原来算法相比,计算速度提升了10倍左右.根据实际采集的图像序列进行了分析对比,真实的数据测试表明快速极线估计算法在保证算法准确性与鲁棒性的前提下,极大地降低了算法的计算量与计算时间,从而无需三维重建便可有效地解决单目移动摄像机下运动目标检测的问题.     

关注概念学习过程 注重思维品质培养——“有理数的乘方”教学设计与评析

<正>一、教学内容解析乘方是有理数的一种基本运算,是在学生学习了有理数的加、减、乘、除运算的基础上学习的知识,它既是有理数乘法的推广和延续,又是后继学习有理数的混合运算、科学记数法和开方的基础,起到承前启后、铺路架桥的作用.在这一课的教学过程中,可以培养学生发现问题、分析问题和解决问题的能力,以及类比、转化的数学思想.二、教学目标设置1.了解底数、指数、幂的概念,会求有理数的正     

Comparison of electrical characteristic between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes

Ni/Au Schottky contacts on A1N/GaN and A1GaN/GaN heterostructures are fabricated. Based on the measured current-voltage and capacitance-voltage curves, the electrical characteristics of AlN/GaN Schottky diode, such as Schottky barrier height, turn-on voltage, reverse breakdown voltage, ideal factor, and the current-transport mechanism, are analyzed and then compared with those of an A1GaN/GaN diode by self-consistently solving Schrodinger＇s and Poisson＇s equations. It is found that the dislocation-governed tunneling is dominant for both AlN/GaN and AlGaN/GaN Schottky diodes. However, more dislocation defects and a thinner barrier layer for AlN/GaN heterostrncture results in a larger tunneling probability, and causes a larger leakage current and lower reverse breakdown voltage, even though the Schottky barrier height of AlN/GaN Schottky diode is calculated to be higher that of an A1GaN/GaN diode.     

微观形貌可控TiO2的制备及其光解水产氢性能

通过简单的沉淀、水热、溶剂热和溶胶凝胶法分别制备出实心球（s-TiO₂）、空心球（h-TiO₂）、纳米管（a-TNT）和介孔形状（m-TiO₂）的锐钛矿晶型结构TiO₂光催化材料。采用HRTEM、FESEM、XRD、UV-Vis、N₂吸-脱附和光解水制氢反应等对催化材料的微观表面结构、光吸收性能以及不同形貌光催化剂的光解水制氢的性能对比研究。结果表明：s-TiO₂具有最高的光催化活性,主要归功于s-TiO₂独特的微观形貌结构所致,s-TiO₂是由亚微晶颗粒组成的介孔状实心球,亚微晶粒径相比较其它形貌的材料要小,有利于光生载流子的迁移,抑制电子-空穴对的体相复合,导致活性提高。同时,晶化过程用于传质通道的无序微孔可以束缚用作牺牲剂的CH₃OH分子,使得空穴快速被牺牲剂消耗,减少与电子复合。