算术——几何平均不等式的简捷证明

算术——几何平均不等式是一个有着广泛应用的重要不等式．证明这个不等式有多种方法,但都较繁．本文给出一个比较简捷的证明方法．定理设ａ１,ａ２,…,ａｎ是ｎ个（ｎ∈Ｎ且ｎ≥２）正数,则１ｎ（ａ１＋ａ２＋…＋ａｎ）≥ｎａ１ａ２…ａｎ,当且仅当ａ１＝ａ２＝…...     

高斯光束夫琅禾费单缝衍射的数值模拟

采用计算机对高斯光束的夫琅禾费单缝衍射作数值模拟,并与标准夫琅禾费单缝衍射进行对比分析,讨论了衍射场的一些基本特征     

直立在金膜表面的单壁碳纳米管的研究

用水溶胶体将单壁碳纳米管（ＳＷＣＮＴｓ）组装在晶态金膜表面,用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）研究了表面单壁碳纳米管直立于金膜表面,单根碳管的长度约在１０－１５ｎｍ之间。     

巧解1999年高考化学计算题

化学计算从定量的角度上考查考生对基本概念、理论、元素化合物和化学实验知识的理解,同时考查学生的思维逻辑性、敏捷性、发散性和创造性。1999年高考化学试题中,与化学计算有关的题目占了60分,题型有选择题、填空题和计算题。     

CdZnTe材料(111)B和(211)B面上位错腐蚀坑密度的差异

用Everson腐蚀剂对CdZnTe晶体(111)B和(211)B面上的位错进行了腐蚀和观察,发现(111)B面上的腐蚀坑密度(EPD)值明显高于(211)B面上的EPD值,(111)B面上的EPD值与双晶衍射半峰宽有明显的依赖关系,(111)B面上的FWHM值随EPD的增加而增加.而(211)B面上的EPD则与材料的双晶衍射半峰宽无关.研究结果表明,用Everson腐蚀剂得到的EPD参数依赖于材料的晶体取向,在两种常用的晶体学取向中,(111)B面上得到的EPD能较为正确的反映CdZnTe材料中的位错密度.     

验证硝酸铜加热分解产生氧气的实验研究

现行中学教材中关于硝酸铜加热分解产生氧气的验证方法由于NO2也能使带火星的木条复燃因而是不正确的。     

也谈熔融硝酸钾的导电实验

《化学教育》1983年第6期刊登了《熔融硝酸钾的导电实验》一文,按其所述的实验装置与步骤进行,实验不能成功。原因是： 1. 硝酸钾晶体的熔点是334℃,而其分解温度为400℃（该文说是670℃）,硝酸钾分解生成亚硝酸钾和氧气。这两个温差小,很难控制。若温度太高,分解放出的氧有极强的氧化性,它迅速地把铜电极（甚至不锈钢丝电极）氧化,使电极导电困难,灯泡不亮。     

阳加速器新磁绝缘传输线的设计与检验

 介绍了阳加速器新磁绝缘传输线(MITL)的物理设计及实验检验。在缩短MITL整体长度及绝缘环宽度的同时,将原结构改成以共顶点同轴圆锥段为主体的新结构,使阴极表面、绝缘环及三相点满足电场设计要求,最小磁绝缘电流较原结构有所降低,将结构电感从原来的70.9 nH减小到31.7 nH。利用短路实验及丝阵内爆实验对新MITL进行了检验,结果表明新MITL的性能指标有所提高。     

重视反例教学 提升教学品质

反例教学在促进知识深化,提升学生纠错、防错能力,培养思维严谨性、深刻性等方面发挥着不可替代的作用.在教学中,教师要从教学实际出发,重视整理归纳反例教学资源,引导学生通过对比、辨析、纠错等活动更好地理解知识,应用知识,使学生的发散性、逆向性、辩证性思维得到训练和提升,有效提高数学教学品质.     

AlN/Si(100)上CVD SiC薄膜的光致发光谱

本工作用化学气相淀积方法在AlN/Si(100)复合衬底上生长SiC薄膜.外延生长过程中,采用C4H4和SiH4作为反应气源,H2作为载气.样品的X-射线衍射谱和拉曼散射谱显示,所得到的外延层为六角对称的SiC薄膜.俄歇电子能谱及X-射线光电子能谱的测量结果表明,在外延膜中存在来自衬底的Al和N元素.样品的光致发光测量显示,所有的样品均可在室温下观察到位于3.03eV和3.17eV处的发光峰,这分别相应于4H-SiC能带中电子从导带到Al受主能级之间的辐射跃迁和电子从N施主能级到价带之间的辐射跃迁,从而表明所得的外延薄膜的多形体为4H-SiC.