毛细管电泳在火炸药研究中的应用

近年来,毛细管电泳以其高效、快速、微量的特点,在火炸药分析领域被广泛应用并迅速发展。本文从毛细管区带电泳、胶束电动毛细管色谱、毛细管电色谱、芯片毛细管电泳、微乳毛细管电动色谱这五种毛细管电泳的模式出发,结合本实验室的最新研究进展,综述毛细管电泳在火炸药研究中的应用。     

新型Fe_3O_4-Fe复合阳极的研制

制备超细Fe3O4颗粒,然后与还原铁粉混合烧结制成Fe3O4-Fe复合阳极,分别进行析氯电位、循环伏安和强化电解寿命等实验测试,优化该复合阳极的最佳烧结温度和最佳Fe含量,为实用型Fe3O4-Fe复合阳极的制作提供了可行性依据.     

非均相催化烯烃交叉复分解反应

烯烃交叉复分解反应作为石油化工领域一种重要过程,为各种单烯烃间的互相转化提供了一条有效的途径。特别是在利用正丁烯生产丙烯和其它重要单烯烃方面,复分解反应受到越来越多的重视。本文对烯烃交叉复分解反应(CM)的进展进行了综述,讨论了CM各种工艺的技术特点及反应机理,重点介绍了WO₃/SiO₂、Re₂O₇/Al₂O₃、MoO₃/Al₂O₃3类催化剂的最新改进及相应的理论分析,试图理清催化剂今后发展的思路,为进一步改进催化剂的性能提供相关的依据。     

毛细管区带电泳法用于中药高乌头的质量控制

运用毛细管区带电泳法,以Ｔｒｉｓ作缓冲体系,在１４ｋＶ电压下,考察了不同ｐＨ值和缓冲溶液及其浓度对电渗流和高乌头下肢料中各物质分离度的影响。结果表明,以３０ｎｍｏｌ／Ｌ Ｔｒｉｓ缓冲体系,在碱性区,可在４ｍｉｎ之内对高乌头进行快速分析检定和质量控制。     

海洋工程地质的回顾与展望

本文通过对海洋工程地质发展的简单回顾阐述了其调查和评价的类别、方法与内容 ,对海底滑坡、砂土液化和原位土工测试等几个问题进行了重点展开 ,并对 2 1世纪的发展作了展望。     

煤介质损失角正切的分形特征

利用分形几何理论对煤的介质损失角正切的特征作了深入的探讨·结果表明,煤的介质损失角正切tgδ具有分形特征;通过类比和实验证实的方法得到了tgδ与f间的定量关系：tgδf(D-d)/2,借此求得了煤分形介质损失角正切维数。     

直立在金膜表面的单壁碳纳米管的研究

用水溶胶体将单壁碳纳米管（ＳＷＣＮＴｓ）组装在晶态金膜表面,用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）研究了表面单壁碳纳米管直立于金膜表面,单根碳管的长度约在１０－１５ｎｍ之间。     

一种基于恒定统计的红外图像非均匀性校正算法

对红外焦平面阵列成像系统而言,基于场景的非均匀校正技术是处理固定图案噪声的关键技术。现有的非均匀校正算法主要被收敛速度和鬼像问题所限制。提出一种新的基于恒定统计算法的自适应场景非均匀校正技术。利用红外图像序列的时域统计信息结合提出的α修正均值滤波来估计探测器的参数,通过减少样本的渐进方差估计,完成成像系统的非均匀性校正。通过模拟和真实的非均匀性图像对算法的性能进行评价。实验结果表明,在继承恒定统计算法快速收敛的同时,图像峰值信噪比较恒定校正法及常系数α校正算法分别有44.5%和32.9%的提升,图像鬼像问题有明显改善。     

Comparison of electrical characteristic between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes

Ni/Au Schottky contacts on AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures are fabricated.Based on the measured current–voltage and capacitance–voltage curves,the electrical characteristics of AlN/GaN Schottky diode,such as Schottky barrier height,turn-on voltage,reverse breakdown voltage,ideal factor,and the current-transport mechanism,are analyzed and then compared with those of an AlGaN/GaN diode by self-consistently solving Schrdinger’s and Poisson’s equations.It is found that the dislocation-governed tunneling is dominant for both AlN/GaN and AlGaN/GaN Schottky diodes.However,more dislocation defects and a thinner barrier layer for AlN/GaN heterostructure results in a larger tunneling probability,and causes a larger leakage current and lower reverse breakdown voltage,even though the Schottky barrier height of AlN/GaN Schottky diode is calculated to be higher that of an AlGaN/GaN diode.     

集输-上升管路系统严重段塞流实验研究

在模拟集输上升管路系统的实验装置上,研究了多种倾斜管角度下严重段塞流发生规律,给出了流型图。实验发现,倾斜管水平时仍会出现严重段塞流。流动参数分析表明,严重段塞流具有显著的周期性,压力大幅度振荡,气液间歇流出上升管,出口气体速度可能超过入口数十倍,对分离器造成剧烈冲击。研究发现,严重段塞流周期随气液流量增大而减小,并且符合幂律定律。