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对于多束团运行的储存环,逐束团流强的测量是研究注入填充和束流不稳定性阈值等的重要内容。介绍了加速器常用的一些逐束团监测手段,在此基础上,利用HLS(Hefei Light Source)现有的逐束团测量设备,并配合相应前端信号处理电路,进行了HLS储存环逐束团流强测量。实验线路方面,在传统的高频频率倍频信号检波的基础上,尝试了新的与同步方波信号检波的方法。分别在多束团和单束团情况下对HLS的束团流强进行了连续检测实验,对实验结果进行线性拟合,得到了定标结果,结果表明系统的1阶线性拟合标准偏差均在1%左右;最后对其中非线性部分的物理本质进行了解释。 相似文献
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具有材料理论密度的金属薄膜对于材料高压状态方程(EOS)研究而言具有重要的意义。本文提出采用金刚石车削技术,利用超精密金刚石车床、金刚石圆弧刀具及真空吸附夹持技术,对纯铝和无氧铜进行端面车削,完成了EOS实验用铝薄膜和铜薄膜的车削加工,实现了薄膜密度接近材料理论密度。精加工工艺参数为:进给量0.001 mm/r,主轴转速3000 r/min,切削深度1 μm。采用Form Talysurf series 2型触针式轮廓仪进行测量,结果表明:铝薄膜、铜薄膜厚度可以达到小于10 μm水平,表面均方根粗糙度小于5 nm,原始最大轮廓峰-谷高度小于50 nm,厚度一致性好于99%。 相似文献
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介绍了同轴电缆头和转接头的HPM击穿实验研究方法,给出了几种电缆头和转接头微波击穿功率随微波频率、脉冲宽度、重复频率和脉冲持续时间变化规律的实验研究结果。结果表明:微波击穿发生在同轴电缆头连接处,是电缆接头沿面滑闪,且击穿功率随同轴电缆及转接头尺寸的减小而降低;击穿功率也随微波脉冲宽度(30 ns~1 μs)的增大而减小,并且在100 ns附近有一拐点;在低重复频率(1~1000 Hz)下,重频对击穿功率的影响不大;微波频率在2.856~9.37 GHz变化时,微波频率对击穿功率的影响不明显;微波脉冲宽度较窄时(几十ns以下),击穿功率随持续时间变化不大,脉冲宽度较宽时(百ns以上),击穿阈值随持续时间的增大而下降。 相似文献
948.
利用四极铁调制的方法可以改变工作点,测量工作点的改变,可以计算出四极铁位置的Beta函数值,这样测量得到的值是四极铁位置的平均Beta函数值。采用该方法在合肥光源(HLS)储存环进行了实验,四极铁电源电阻并联后,分流调制四极铁的电流,从而改变四极铁强度,对环上的30块四极铁进行Beta函数测量。以理论值为参考,对采用计算公式得到的结果进行了比较和分析,利用四极铁中心位置的理想Beta函数计算值和测量值作比较,结果表明:测量最大绝对差为2.741,平均绝对差为0.521;垂直方向的测量最大绝对差为1.711,平均绝对差为0.009,四极铁自身电流和分流电流的测量对Beta函数测量值误差的影响非常小。通过改进工作点测量系统,适当加大分流电流可以减小Beta函数测量误差。 相似文献
949.
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