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891.
采用气源分子束外延技术生长了GaAs/AlGaAs束缚态向连续 态跃迁的太赫兹量子级联激光器材料, 基于半绝缘等离子体波导工艺制作了太赫兹量子级联激光器. 测量了激光器的发射光谱和功率-电流-电压关系曲线, 研究了器件的激光特性. 器件激射频率约2.95 THz, 脉冲模式下, 最高工作温度为67 K. 连续波模式下, 阈值电流密度最低为230 A/cm2, 最大光输出功率1.2 mW, 最高工作温度为30 K.
关键词:
太赫兹
量子级联激光器
分子束外延
波导 相似文献
892.
893.
894.
The defect changes in 6H-SiC after annealing and 10MeV electron irradiation have been studied by using a variable-energy positron beam.It was found that after annealing,the defect concentration in n-type 6H-SiC decreased due to recombination with interstitials.When the sample was annealed at 1400℃ for 30 min in vacuum,a 20-nm thickness Si layer was found on the top of the SiC substrate,this is a direct proof of the Si atoms diffusing to surface when annealed at high temperature stages.After 10MeV electron irradiation,for n-type 6H-SiC,the S parameter increased from 0.4739 to 0.4822,and the relative positron-trapping rate was about 27.878 times of the origin sample,this shows that there are some defects created in n-type 6H-SiC.For p-type 6H-SiC,it is very unclear,this may be because of the opposite charge of vacancy defects. 相似文献
895.
896.
This article begins with the calculating of the conservative density of Kdv equations. By an easy method of calculating the conservative density of a class of nonlinear evolutionary equations is then derived. The calculating of a lot of undetermined coefficients can be dealt with in batches, and it will enable us to operate by hand. 相似文献
897.
898.
899.
首次构造了放热反应Ba +HF(v ,J)→BaF(v′ ,J′) +H的LEPS势能面 ,并且进行了准经典轨线研究 .对于初始基态 ,和初始第一激发态的反应物HF ,计算得到的BaF产物态分布与实验吻合得比较好 .对产物取向的研究表明 ,反应体系的质量组合是产物取向的决定因素 .反应过程中 ,直接的提取反应和间接的插入反应是两种竞争的微观反应通道 ,这种竞争是由于在Ba原子进攻HF分子的时候 ,即使进攻方向偏离了HF共线的方向也不会引起能垒高度的明显增加 .而且低的反应物平动能倾向于提取反应而高的HF振动激发会导致插入反应 相似文献
900.
学习全等三角形,除了要理解和掌握全等三角形的概念、判定和性质外,还要学会利用全等三角形证题.下面以近几年全国各省市的中考题为例予以说明,以供参考.一.直接证直接利用两个三角形全等证明两条边或两个角相等.例1 已知:如图1,点D,E在△ABC的边BC上,BD=CE,AB=AC.求证:AD=AE.(2001年广西中考题)证明:在△ABC中,∵AB=AC,∴∠B=∠C.在△ABD和△ACE中,∵AB=AC(已知),∠B=∠C(已证),BD=CE(已知),∴△ABD≌△ACE(SAS).∴AD=AE(全等三角形的对应边相等).例2 如图2,在正三角形ABC… 相似文献