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851.
<正>张景中先生认为:"一种方法解很多题,要好过很多方法解一个题."这"一种方法"绝不是技巧性强、灵机一动的妙法,而应是最基本、最重要、最自然的通法.下面结合具体题目谈谈如何通过旋转变换,对条件进行整合,探求通法解一类题的方法. 相似文献
852.
以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,甘油为辅助剂,在水热条件下合成HZSM-5分子筛。考察甘油添加量、晶化时间对HZSM-5分子筛的晶粒尺寸、相对结晶度和酸性等性质及其甲烷无氧芳构化催化性能的影响。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、氨程序升温脱附(NH_3-TPD)等分析手段对不同条件合成的HZSM-5分子筛样品进行表征。结果表明,在添加一定量的甘油辅助剂的条件下,通过调控晶化时间,可以提升HZSM-5分子筛的相对结晶度,在一定程度上抑制无定型SiO_2的产生,增加其酸量。在甲烷无氧芳构化反应中,甘油辅助合成的HZSM-5分子筛催化剂表现出优良的催化性能,与未添加甘油合成的HZSM-5分子筛催化剂相比,甲烷转化率、苯选择性和芳烃选择性均有较大提高,且具有较强的稳定性与容炭能力。 相似文献
853.
854.
采用气源分子束外延技术生长了GaAs/AlGaAs束缚态向连续 态跃迁的太赫兹量子级联激光器材料, 基于半绝缘等离子体波导工艺制作了太赫兹量子级联激光器. 测量了激光器的发射光谱和功率-电流-电压关系曲线, 研究了器件的激光特性. 器件激射频率约2.95 THz, 脉冲模式下, 最高工作温度为67 K. 连续波模式下, 阈值电流密度最低为230 A/cm2, 最大光输出功率1.2 mW, 最高工作温度为30 K.
关键词:
太赫兹
量子级联激光器
分子束外延
波导 相似文献
855.
856.
857.
The defect changes in 6H-SiC after annealing and 10MeV electron irradiation have been studied by using a variable-energy positron beam.It was found that after annealing,the defect concentration in n-type 6H-SiC decreased due to recombination with interstitials.When the sample was annealed at 1400℃ for 30 min in vacuum,a 20-nm thickness Si layer was found on the top of the SiC substrate,this is a direct proof of the Si atoms diffusing to surface when annealed at high temperature stages.After 10MeV electron irradiation,for n-type 6H-SiC,the S parameter increased from 0.4739 to 0.4822,and the relative positron-trapping rate was about 27.878 times of the origin sample,this shows that there are some defects created in n-type 6H-SiC.For p-type 6H-SiC,it is very unclear,this may be because of the opposite charge of vacancy defects. 相似文献
858.
859.
This article begins with the calculating of the conservative density of Kdv equations. By an easy method of calculating the conservative density of a class of nonlinear evolutionary equations is then derived. The calculating of a lot of undetermined coefficients can be dealt with in batches, and it will enable us to operate by hand. 相似文献
860.