水城褐煤热解的气体产物析出特征及甲烷的生成反应类型研究

利用傅里叶红外光谱仪研究了煤中主要官能团的分布,利用热重-质谱联用(TG/MS)在10℃/min的条件下研究了水城褐煤的热解行为,获得了煤热解主要挥发分气体(H2、CH4、H2O、CO、CO2)生成的速率曲线。采用分峰拟合的方法将甲烷的生成速率曲线分解为五个峰,通过化学动力学分析,结合煤的结构特性、热解特性及其他挥发分气体的生成特征,认为甲烷的生成主要由一个脱吸附过程和四个化学反应组成。     

地下结构物在爆炸冲击波作用下的动力分析

提出了一种求解任意形地下结构物在爆炸冲击波作用下的动应力集中问题的半解析方法．爆炸冲击波以平面SH波的形式入射,并用Fourier变换方法将其转换到频域,不同形状地下结构物的导纳函数由复变函数和保角映射的方法求得．利用Fourier逆变换,进一步合成得到时域中的地下结构的动力响应,最后,对正方形、三角形及马蹄形孔洞附近的动应力集中系数作了数值计算,并给出了具体结果．     

Finite-time disentanglement induced by single-mode thermal field

In this paper, we study the entanglement dynamics of atoms locally coupled to a cavity field. By studying two different models within the framework of cavity QED, we show that the so-called atomic entanglement sudden death always occurs if initially the cavity field is in the thermal state, in clear contrast with that in the vacuum state where the same entanglement decay is in infinite time.     

群体AHP方法在复杂系统易损性分析中的应用

群体层次分析法(Group AHP)是专家群体评判意见的综合量化方法,本文讨论了该方法在系统易损性分析中的应用,并针对群体层次分析法专家意见合成问题,提出了基于主成分分析方法计算各专家客观权重,并根据该权重合成专家评判意见的方法.应用结果表明,该方法能更好地克服人为主观判断及偏好给决策带来的影响,为复杂系统易损性定量评估提供了有效的技术途径.     

湖南省第三产业就业人数预测——基于灰色系统GM(1,1)模型

运用灰色系统GM(1,1)模型对2002-2007年湖南省第三产业就业人数的数据进行分析.通过灰色系统相关检验发现,GM(1,1)模型误差较小,能较好地拟合湖南省第三产业就业人数的情况.运用该模型预测:2008年湖南省第三产业就业人数是1403.4万人,2009年是1512.2万人,2010年是1629.3万人,2011年是1755.6万人.     

电源系统抗伽玛总剂量辐射能力评估方法

为了评估某电源系统抗伽玛总剂量辐射能力,研究了评估电子系统抗伽玛总剂量辐射能力的QMU方法。为获得应用QMU方法所需的输入量,提出了以蒙特卡罗方法和SPICE电路模拟相结合的分析方法,用以确定受伽玛辐照后系统性能参数的裕量及不确定度。应用QMU方法对电源系统抗伽玛总剂量能力进行了评估,将评估结果和实验结果进行了比较,验证了方法的可行性。     

HPM效应实验中区间删失数据的处理与统计分析

在HPM效应实验中经常可以获得区间删失数据,为了能够合理利用这类数据对HPM效应进行有效分析,需要对它进行处理。根据电子器件的微波失效机理和实验现象,基于插值方法的思想,在充分利用删失数据信息情况下建立了不同阶插值精度的数据处理方法。理论分析可知,高阶精度处理方法要优于低阶精度方法。此外,根据构建的区间删失数据,通过统计分析可知,处理后数据与原始数据在统计意义上没有显著差异,可用于HPM效应研究,为数据的可靠分析提供了有利支撑。     

HPM效应实验中区间删失数据的处理与统计分析

在HPM效应实验中经常可以获得区间删失数据,为了能够合理利用这类数据对HPM效应进行有效分析,需要对它进行处理。根据电子器件的微波失效机理和实验现象,基于插值方法的思想,在充分利用删失数据信息情况下建立了不同阶插值精度的数据处理方法。理论分析可知,高阶精度处理方法要优于低阶精度方法。此外,根据构建的区间删失数据,通过统计分析可知,处理后数据与原始数据在统计意义上没有显著差异,可用于HPM效应研究,为数据的可靠分析提供了有利支撑。     

基于流体动力学模型的2维砷化镓金属半导体场效应管数值模拟

介绍了用于描述工作在高频强电场条件下的亚微米半导体器件的流体动力学模型,并讨论了为求解流体动力学模型所采用的算子分裂方法和有限体积法。使用流体动力学模型,对亚微米GaAs金属半导体场效应管器件进行了2维数值模拟,得到了该器件的I-V曲线、电子密度分布和电子温度分布。数值模拟结果表明,器件栅极电压越负,肖特基结的耗尽层越厚,源漏电流越小;在耗尽层内电场最强处,电子温度达到4 000 K;在强电场下,电子温度将严重偏离晶格温度,形成所谓热电子。