二价铁对铁磁共振线宽的影响

本文讨论二价铁对铁氧体的铁磁共振线宽的影响。由于在尖晶石型铁氧体中,二价铁的基态是轨道单态,晶场的直接效应很小。二价铁对铁磁共振性质有显著影响的原因是各向异性交换作用引起二价铁磁矩不与总磁矩平行,因而使得文献[1]中所述的纵分支对共振性质起作用。我们推广文献[1]中的方法,使之适用于强交换耦合体系,并用之计算了二价铁对共振线宽的影响。计算表明,体系间的交换耦合的强弱对线宽的影响很小。对含二价铁反型尖晶石型铁氧体算得的结果解释了[100]方向线宽随温度的变化不出现极大,而在其他方向则出现极大的现象。导出的线宽的各向异性也与实验相符。     

等离子体的静态稳定性

本文讨论了外磁场微小的变动对等离子体平衡位形的影响,即等离子体的静态稳定性问题。指出,只有当附加磁场与等离子体接近不稳定边界的模相耦合时,才可能引起平衡位形很大的变化。由此,我们分析了杂散场对环电流器(托克马克)的影响。     

一类延时系统的动力学行为研究

本文利用稳定性分析方法得到了一维延时系统定态稳定的充要条件。为研究系统的分岔和混沌行为,在长延时极限下对延时的倒数T_R^-1作渐近展开,得到的零级近似就是通常的一维映象,而T_R^-1的一级效应使系统运动的周期延长。更为有趣的现象是由更高级项带来的,T_R^-2项导致系统在每个分岔点出现滞迴过程(某种双稳现象);而T_R^-3项影响了系统的倍周期分岔行为:即分岔前后的周期之比并不是严格的二倍。高级效应还表明,在混沌带的合并点存在着不稳定窗口,并由此带来一些锁模现象。 关键词：     

用光学方法实现么正变换及一般线性变换(Ⅳ)——图形识别及投影算子

本文指出,图形识别实质上是图形空间中的表象变换(坐标系变换)。由于表象变换是通过么正变换实现的,用光学方法进行图形识别是比较合适的。本文着重讨论了如何只根据所需识别的标准图形组,构造光学系统,即用光学方法直接实现投影变换的方法。并进一步发展了文献[3]中的优化方法。 关键词：     

Raman光激射器

本文从哈密顿量出发,导出描写受激Raman过程的方程式:Laser光、一级Stokes与反Stokes光及相干的声子场的耦合方程,并唯象地引入弛豫耗散。在分子属于远共振情形及比介电常数近似更高一级的近似下,分析了方程的性质。由平衡点稳定性的讨论给出了Raman光激射器的阈值,发现反Stokes激射光的产生并不要求附加的阈条件,即在受激Raman效应中,反Stokes光总是必然出现的。对于Raman光激射器诸工作点的性质及工作过程也作了进一步的讨论,发现在一定条件下,在强激射光源辐照下,存在着Stokes与反Stokes成分几乎各占一半的唯一的稳定平衡点(Raman光激射器的工作点)。文中也顺便讨论了声子弛豫所起的作用及有长寿命的声子时Raman光激射器的行为。     

用光学方法实现么正变换及一般线性变换(Ⅳ) 图形识别及投影算子

本文指出,图形识别实质上是图形空间中的表象变换(坐标系变换)。由于表象变换是通过么正变换实现的,用光学方法进行图形识别是比较合适的。本文着重讨论了如何只根据所需识别的标准图形组,构造光学系统,即用光学方法直接实现投影变换的方法。并进一步发展了文献[3]中的优化方法。     

温度对超薄铜膜疲劳性能影响的分子动力学模拟

用嵌入原子势的分子动力学方法模拟了温度对超薄铜膜疲劳性能的影响. 通过模拟, 首先给出了超薄铜膜的总能及应力随循环周次的变化曲线; 根据叠加经验式得出的叠加量随循环周次变化曲线, 判断出各种恒定温度下超薄铜膜的疲劳寿命. 由 200–400 K温度范围内超薄铜膜的疲劳寿命-温度变化曲线, 可以发现存在两个温度区域: 在约370 K以下, 超薄铜膜的疲劳寿命随温度升高缓慢增加, 而在约370 K以上增加较快. 建立了模型并用位错演化机制解释了超薄铜膜疲劳寿命的温度依赖关系. 关键词： 分子动力学 疲劳 温度效应 位错     

多体问题中的关联效应

本文利用作者之一在参考文献[4]中提出的广义自洽场方法,用统一的观点研究了多体系统的各种关联现象,它们包括核物质现象、电子气体的集体振璗现象、超导电现象等等。文章首先提出处理关联现象的一般方法,并讨论了它与微扰方法的关系;以后在二体关联近似下得到Brueckner的核物质理论,Bohm-Pines的集体振璗理论,作为其特例,并与这些作者的结果进行了比较;最后用Gell-Mann、Low处理束缚态的方法讨论了超导理论与非理想气体的零声问题,使处理这些现象的方法能更明显地表现出其物理意义。由这些讨论可以看出广义自洽场方法是处理关联现象的有效方法。     

三分子反应模型涨落的临界行为

本文讨论了三分子反应模型在1+k₃A²<[1+A((k₃D₁)/D₂)^1/2]²情况下的临界行为。由于在临界点附近不稳定模式是空间均匀的,因此可由总粒子数满足的生-灭方程来讨论。我们引入了涨落波的幅度作为描述涨落分布突变的参数。在利用重整化方法迴避了定态解在临界点上涨落发散所引起的困难后,得到了描述平均密度及涨落分布临界行为的广义Landau-Ginzburg方程。解析及数值分析表明,当B增大越过临界点B_m,平均密度达到周期变化的稳态,这和反应扩散方程结果是一致的,涨落二阶矩一般也达到一周期稳态,振幅很大而且主要由平均密度振动的幅度所决定。因此从涨落分布的突变来看,B_m并不与典型的二类相变类似。 关键词：     

环电流器的局部稳定条件及多极场的影响

本文分析了任意截面环电流器(托克马克)的局部稳定条件,得到了一个一般的近似判据β<2c|η|ψ_c,η为纵磁阱。由此我们讨论了多极场对等离子体磁阱和剪切的影响。指出,对于椭圆截面环电流器,引入小的三角场及八极场是改善稳定性的强有力手段。