非圆截面托卡马克轴对称模的反馈稳定

通过直接解真空区扰动磁面的边值问题,本文解析地研究了非闭合导壳对托卡马克中轴对称MHD模的反馈稳定性。我们取等离子体截面为椭圆,反馈系统由导壳和主动反馈线圈构成。结果表明,两块放在等离子体上下的导体块有很强的稳定作用;电阻壳可用以抑制高频模式,主动反馈线圈可用以稳定低频模式。 关键词：     

撕裂模准线性增长分析

发现经典的电阻撕裂模准线性理论在磁岛增长的分析上存在着定性的近似,克服这一近似,得到了新的磁岛准线性演化的解析表达式,结果表明,岛宽的增长为w～t^1/2而不是经典理论的w～t,对一般Tokamak等离子体参量,岛宽的增长率远大于Rutherford增长率,而饱和岛宽小于前人理论的结果.     

用反应离子刻蚀制备的纯位相片将高斯型激光束变换为均匀束

用光学变换一般理论设计出仅用两个纯位相片构成的光学系统可以将高斯型激光束变换为均匀束。本文对两个纯位相片的位相分布函数进行了计算并设计出10台阶量化的纯位相片。制备纯位相片的方法是采用超大规模集成电路中微细加工技术。实验结果表明能量转换效率高于95％,输出波形与理论计算一致。 关键词：     

RF离子源引出特性的研究

为了使RF离子源具有良好的引出特性, 测试了吸极几何参数、振荡器板压、引出电压对离子源引出特性的影响, 对实验结果进行了分析. 在其他参数不变的情况下, 存在最佳的D/d; 增加D/d,有利于过聚焦的离子束恢复聚焦状态. b/D增大时, 聚焦度上升, 引出束流下降. B/d减小时,聚焦度增大; 当B/d小于4时, 聚焦度增加趋势变缓. 综合考虑聚焦度、引出束流和气压,D/d,b/D,B/d适宜的选择范围分别为1.6—2.1, 0.7—1.1, 4—7. 改变引出电压和振荡器功率对离子源性能的影响具有相反的方向, 两者都存在最佳工作点.     

RF离子源引出特性的研究

 为了使RF离子源具有良好的引出特性，测试了吸极几何参数、振荡器板压和引出电压对离子源聚焦度的影响，对实验结果进行了分析。在其它参数不变的情况下，吸极的外径D与内径d之比存在最佳值，增加D/d，有利于过聚焦的离子束恢复聚焦状态。吸极的长度为L，石英套管比吸极长l。当l/D增大时，聚焦度上升，引出束流下降。L/d之比减小时，聚焦度增大。当L/d小于4时，聚焦度增加趋势变缓。综合考虑聚焦度、引出束流和气压，D/d，l/D，L/d适宜的选择范围分别为1.6～2.1，0.7～1.1,4～7。增加振荡器功率会使离子束呈弱聚焦，而增加引出电压会使离子束呈过聚焦。振荡器功率和引出电压都存在最佳值。     

化学反应体系中涨落的时间空间关联(Ⅱ)——非线性系统的临界行为

根据文献[4]所发展的理论,讨论了涨落波对非线性化学反应体系临界行为的影响,本文进一步发展了一般的分支理论,使之能应用于涨落波,并能利用涨落波展开来消除临界点上某些系数发散的问题,作为具体对象,仔细讨论了三分子反应模型均匀定态的稳定性(包括考虑压力效应),并在一种简单情况下讨论了密度及其涨落出现空间结构的可能性。还指出,在考虑涨落波后,有可能出现这种情况,即虽然平均密度出现结构,但由于涨落太大,实际上观测不到,仍是无序的。 关键词：     

变参数自由电子激光器中电子的随机运动

本文讨论了变参数自由电子激光器中电子的运动,指出部分电子的轨道是非周期性,随机型的。随着参数变化率增大,随机轨道电子所占比例愈大。文中还提出了当随机运动较强时统计描述的方法,以及随机运动对效率的影响。 关键词：     

多变量Master方程及其波动解

本文讨论了线性反应过程:A→X多变量Master方程的波动解。除了可以由反应扩散方程得到的密度波以及由之耦合而成的多波解外,不可能得到类似于文献[2]中得到的涨落波分支。在考虑压力效应后,情况基本不变。本文讨论了由于化学反应及扩散的空间尺度(自由程)一般差别很大,多变量Master方程所存在的问题。 关键词：     

半导体中的杂质能级

对于深能级杂质,通常的有效质量近似已不再成立。本文由Bloch波函数出发,应用赝势的概念,证明了杂质波函数及能级满足一等效的薛定谔方程。其中除包含通常的长程库仑位势外,还有一短程位势,后者随不同杂质原子而异。对浅能级杂质,它引起谷-轨道分裂,但对深能级杂质,它已不能看成微扰项了。我们讨论了这部分短程位势对杂质束缚能级的影响。只有当等效势阱深到足以单独地引起电子的共振散射或束缚态时,它对杂质束缚能级才有很明显的影响,束缚能级随此势阱加深而迅速增加。此外可以证明,短程作用的带间矩阵元可以近似用一等价带内排斥势来代替,当束缚能接近禁带宽度时,带间作用影响很大。我们指出,带间作用可以解释为什么杂质能够同时俘获电子和空穴。通过一个简单的例子,我们进行了具体的数值计算,并进一步分析了短程作用的影响。最后我们利用这个简单模型讨论了Cu,Ag,Au在Ge中的能级。     

强光与自由电子的相互作用——半导体中载流子的多光子过程

本文讨论了半导体中载流子与laser光的相互作用。把电子运动分成带内运动与带间跃迁两部分后,我们证明了在强光下,电子在带内运动的状态仍可用准动量p来标志,但不再是通常的稳定态,波函数中包含一个描述强迫运动的因子。进一步以带间跃迁或其他带内过程作为微扰,由于在跃迁过程中强迫运动部分也改变,因此伴随着有多光子的吸收或发射。根据一般的讨论,我们计算了由电声子作用引起的自由载流子吸收及由价带到导带的直接多光子跃迁的吸收系数。粗略估计表明,在一些材料中,上述过程引起的双光子吸收是可以被观察到的,特别是Ge中的直接双光子吸收。我们还指出,利用一束laser光射到晶体上后,可以在红外区域看到激子吸收线,从而提高了分辨率,并具体地分析了CdSe中激子吸收的情况。