撕裂模准线性增长分析

发现经典的电阻撕裂模准线性理论在磁岛增长的分析上存在着定性的近似,克服这一近似,得到了新的磁岛准线性演化的解析表达式,结果表明,岛宽的增长为w～t^1/2而不是经典理论的w～t,对一般Tokamak等离子体参量,岛宽的增长率远大于Rutherford增长率,而饱和岛宽小于前人理论的结果.     

RF离子源引出特性的研究

为了使RF离子源具有良好的引出特性, 测试了吸极几何参数、振荡器板压、引出电压对离子源引出特性的影响, 对实验结果进行了分析. 在其他参数不变的情况下, 存在最佳的D/d; 增加D/d,有利于过聚焦的离子束恢复聚焦状态. b/D增大时, 聚焦度上升, 引出束流下降. B/d减小时,聚焦度增大; 当B/d小于4时, 聚焦度增加趋势变缓. 综合考虑聚焦度、引出束流和气压,D/d,b/D,B/d适宜的选择范围分别为1.6—2.1, 0.7—1.1, 4—7. 改变引出电压和振荡器功率对离子源性能的影响具有相反的方向, 两者都存在最佳工作点.     

4 MV静电加速器调试中出现的问题及解决方案

4 MV静电加速器由高压系统、离子源及束流系统、控制系统和气体系统四部分组成。调试中出现了离子源不起弧、加速管破裂、控制系统失灵和输电带输电能力降低等技术问题,分析了出现这些问题的原因,然后分别采取了相应的措施加以解决：变换工作流程,在每次关机前先把引出电压降为零,开机时等离子源起弧后再把引出电压升到预定值;对过渡法兰进行车加工,重新封装;对高压端的控制设备采取屏蔽措施,在输入、输出端使用TVS二极管,对控制软件进行抗干扰设计;对绝缘气体进行循环干燥等。调试出了流强为100 μA、能量在3 MeV以上的稳定质子流。     

半导体中的杂质能级

对于深能级杂质,通常的有效质量近似已不再成立。本文由Bloch波函数出发,应用赝势的概念,证明了杂质波函数及能级满足一等效的薛定谔方程。其中除包含通常的长程库仑位势外,还有一短程位势,后者随不同杂质原子而异。对浅能级杂质,它引起谷-轨道分裂,但对深能级杂质,它已不能看成微扰项了。我们讨论了这部分短程位势对杂质束缚能级的影响。只有当等效势阱深到足以单独地引起电子的共振散射或束缚态时,它对杂质束缚能级才有很明显的影响,束缚能级随此势阱加深而迅速增加。此外可以证明,短程作用的带间矩阵元可以近似用一等价带内排斥势来代替,当束缚能接近禁带宽度时,带间作用影响很大。我们指出,带间作用可以解释为什么杂质能够同时俘获电子和空穴。通过一个简单的例子,我们进行了具体的数值计算,并进一步分析了短程作用的影响。最后我们利用这个简单模型讨论了Cu,Ag,Au在Ge中的能级。     

多变量Master方程及其波动解

本文讨论了线性反应过程:A→X多变量Master方程的波动解。除了可以由反应扩散方程得到的密度波以及由之耦合而成的多波解外,不可能得到类似于文献[2]中得到的涨落波分支。在考虑压力效应后,情况基本不变。本文讨论了由于化学反应及扩散的空间尺度(自由程)一般差别很大,多变量Master方程所存在的问题。 关键词：     

强光与自由电子的相互作用——半导体中载流子的多光子过程

本文讨论了半导体中载流子与laser光的相互作用。把电子运动分成带内运动与带间跃迁两部分后,我们证明了在强光下,电子在带内运动的状态仍可用准动量p来标志,但不再是通常的稳定态,波函数中包含一个描述强迫运动的因子。进一步以带间跃迁或其他带内过程作为微扰,由于在跃迁过程中强迫运动部分也改变,因此伴随着有多光子的吸收或发射。根据一般的讨论,我们计算了由电声子作用引起的自由载流子吸收及由价带到导带的直接多光子跃迁的吸收系数。粗略估计表明,在一些材料中,上述过程引起的双光子吸收是可以被观察到的,特别是Ge中的直接双光子吸收。我们还指出,利用一束laser光射到晶体上后,可以在红外区域看到激子吸收线,从而提高了分辨率,并具体地分析了CdSe中激子吸收的情况。     

二价铁对铁磁共振线宽的影响

本文讨论二价铁对铁氧体的铁磁共振线宽的影响。由于在尖晶石型铁氧体中,二价铁的基态是轨道单态,晶场的直接效应很小。二价铁对铁磁共振性质有显著影响的原因是各向异性交换作用引起二价铁磁矩不与总磁矩平行,因而使得文献[1]中所述的纵分支对共振性质起作用。我们推广文献[1]中的方法,使之适用于强交换耦合体系,并用之计算了二价铁对共振线宽的影响。计算表明,体系间的交换耦合的强弱对线宽的影响很小。对含二价铁反型尖晶石型铁氧体算得的结果解释了[100]方向线宽随温度的变化不出现极大,而在其他方向则出现极大的现象。导出的线宽的各向异性也与实验相符。     

Raman光激射器

本文从哈密顿量出发,导出描写受激Raman过程的方程式:Laser光、一级Stokes与反Stokes光及相干的声子场的耦合方程,并唯象地引入弛豫耗散。在分子属于远共振情形及比介电常数近似更高一级的近似下,分析了方程的性质。由平衡点稳定性的讨论给出了Raman光激射器的阈值,发现反Stokes激射光的产生并不要求附加的阈条件,即在受激Raman效应中,反Stokes光总是必然出现的。对于Raman光激射器诸工作点的性质及工作过程也作了进一步的讨论,发现在一定条件下,在强激射光源辐照下,存在着Stokes与反Stokes成分几乎各占一半的唯一的稳定平衡点(Raman光激射器的工作点)。文中也顺便讨论了声子弛豫所起的作用及有长寿命的声子时Raman光激射器的行为。     

用反应离子刻蚀制备的纯位相片将高斯型激光束变换为均匀束

用光学变换一般理论设计出仅用两个纯位相片构成的光学系统可以将高斯型激光束变换为均匀束。本文对两个纯位相片的位相分布函数进行了计算并设计出10台阶量化的纯位相片。制备纯位相片的方法是采用超大规模集成电路中微细加工技术。实验结果表明能量转换效率高于95％,输出波形与理论计算一致。 关键词：     

一类延时系统的动力学行为研究

本文利用稳定性分析方法得到了一维延时系统定态稳定的充要条件。为研究系统的分岔和混沌行为,在长延时极限下对延时的倒数T_R^-1作渐近展开,得到的零级近似就是通常的一维映象,而T_R^-1的一级效应使系统运动的周期延长。更为有趣的现象是由更高级项带来的,T_R^-2项导致系统在每个分岔点出现滞迴过程(某种双稳现象);而T_R^-3项影响了系统的倍周期分岔行为:即分岔前后的周期之比并不是严格的二倍。高级效应还表明,在混沌带的合并点存在着不稳定窗口,并由此带来一些锁模现象。 关键词：