钢化玻璃冲击波毁伤效应测试结果分析

为研究爆炸冲击波对钢化玻璃的毁伤阈值,开展了钢化玻璃冲击波毁伤效应实验。对每一发实验进行了爆炸参数测试,获得了冲击波超压随时间变化历程的实验数据。通过对实验数据的处理与分析,得到了爆炸冲击波基本参数,包括正反射超压、冲击波到时、正压作用时间、正反射冲量、负反射超压、负压作用时间和负反射冲量等。将实验结果与CONWEP计算结果进行了比较,比较结果表明二者误差很小,证明冲击波测试结果准确可靠。对冲击波正负反射参数进行了比较,结果表明冲击波正反射参数明显高于冲击波负反射参数。

     

双核过渡金属络合物引发氮分子活化研究

将自然界资源丰富但化学性质上极其惰性的氮气分子在温和条件下转化为氨及其他含氮化合物,具有非常重要的意义。过渡金属络合物引发氮分子的活化及官能化已成为现代工业固氮的一大研究热点。本文回顾了氮分子与双核过渡金属络合物结合的键型模式,总结了影响氮分子活化的诸多因素如配体调变效应、金属调变效应等,对双核过渡金属络合物引发的双氮裂解、双氮官能化及CO/CO2协助双氮活化官能化等反应的实验与理论研究现状和进展进行了简要综述,并对未来过渡金属络合物在氮分子固定的应用发展作了展望。     

CH2O＋O[^3P]→CHO＋OH反应途径和变分速率常数

采用QCISD/6-311G犤d,p犦从头算方法,优化了吸氢反应CH2O+O犤3P犦→CHO+OH的反应物、过渡态和产物的几何结构,并用QCISD(t,full)/6-311G//QCISD/6-311G方法对各驻点进行了单点校正,得出正逆反应的活化位垒分别为38.86kJ·mol-1和67.23kJ·mol-1.IRC(内禀反应坐标)分析指出,该反应是一个C-H键断裂和H-O键生成协同进行的反应,而且在反应途径上存在一个引导反应进行的振动模式,其引导反应进行s区间为-0.4～0.75(amu)1/2.在1300～2270K温度范围内运用改进的变分过渡态理论(ICVT),计算了反应速率常数,与实验结果相当一致.     

异噁唑基取代的1,2,4-噁二唑啉和吡唑啉类化合物的合成

通过3-乙酰基-5-羟甲基异噁唑衍生的Schiff碱2与由醛肟原位生成的腈氧化物的1,3-偶极环加成反应, “一锅法”制备了5-甲基-5-[5-(叔丁基二甲基硅氧基甲基)-3-异噁唑基]-3-芳基-4-(4-甲氧基苯基)-4,5二氢-1,2,4-噁二唑类化合物4a～4e; 同时由3-乙酰基-5-羟甲基异噁唑衍生的α,β-不饱和酮(5)与取代苯肼的环化反应制备了5-(叔丁基二甲基硅氧基甲基)-3-[(1,5-二芳基)-3-(4,5-二氢吡唑基)]-异噁唑类化合物6a～6i. 所有新化合物的结构经核磁共振谱氢谱和碳谱、质谱、红外光谱以及高分辨质谱等进行了确证.     

复合氧化物催化剂(Cu)CeO2上硝基苯加氢反应的研究

 基于用FT－IR表征H2与硝基苯在催化剂（Cu）CeO2上的吸附和反\r\n应行为，对硝基苯加氢反应进行了研究．结果表明，氢在催化剂表面的\r\n吸附主要为解离吸附，硝基苯的吸附也主要为化学吸附；两种吸附物种\r\n在催化剂上进行表面反应生成易脱附的苯胺，避免了产物与反应物间的\r\n竞争吸附，有利于反应物完全转化．在（Cu）CeO2催化剂上，硝基苯加\r\n氢反应机理为朗格缪尔－欣谢伍德型，即表面反应为控制步骤．     

基于联合菲涅耳变换相关器和矢量分解的光学加密方法研究

为提高光学图像加密系统的安全性,利用双光楔联合菲涅耳变换相关器和矢量分解设计了一种非线性光学图像加密系统。通过矢量分解将原始图像分解为两个相位模板,其中一个相位模板f1(x)放置于双光楔联合菲涅耳变换相关器物窗口实现图像加密;携带另一相位模板f2(x)信息的光束与解密系统输出的携带f1(x)信息的光束相干叠加得到解密图像。数值模拟了加密系统的加、解密过程,对于灰度图像和二值图像,当光楔楔角为1.8°和相位模板f1(x)与密钥k(x)的中心间距为18 mm时,解密图像与原始图像的相关系数分别为0.812 7和0.810 9;分析了密钥模板相位分布错误对解密效果的影响,验证了加密方法的可行性。模拟分析表明,密钥k(x)的位置和光楔楔角作为附加的密钥参量,有效扩展了加密系统密钥空间,并能抵御唯密文攻击、已知明文攻击和选择明文攻击。     

两种高分子化锌卟啉络合物与特丁津相互作用的光谱性能研究

将苯基卟啉(PP)功能化的聚甲基丙烯酸缩水甘油酯(PGMA)即PP-PGMA和羟基苯基卟啉(HPP) 功能化的PGMA(HPP-PGMA)分别与锌离子发生络合反应,制得高分子化的苯基锌卟啉ZnPP-PGMA或羟苯基锌卟啉ZnHPP-PGMA。采用¹H-NMR对ZnPP-PGMA和ZnHPP-PGMA的化学结构进行了表征,用紫外-可见光谱法、荧光光谱法研究了其光谱性能。将ZnPP-PGMA或ZnHPP-PGMA与特丁津作用,研究特丁津对其光谱性能的影响。研究结果表明:高分子化的金属卟啉ZnPP-PGMA和ZnHPP-PGMA都具有强的光谱性能,相对于PP-PGMA和HPP-PGMA,其电子吸收光谱Soret吸收带红移,荧光发射峰蓝移。ZnPP-PGMA和ZnHPP-PGMA分别与特丁津作用后,ZnPP-PGMA的紫外光谱发生一定程度的红移,且ZnPP-PGMA和ZnHPP-PGMA发生明显的荧光猝灭现象。随着特丁津浓度的增大,ZnHPP-PGMA发生荧光猝灭的程度增大。     

近红外单光子探测器

该单光子探测器在实验中使用半导体制冷器制冷，雪崩二极管工作于盖革模式下，使用交流耦合方式提供门脉冲信号，通过延迟补偿和采样门控消除尖脉冲干扰，采用反馈门控减小后脉冲影响，优化电路参数减小暗计数.经实验测试与分析，温度在-62.5℃，门脉冲宽度为50ns，采样门控为10ns的条件下，最佳工作点的暗计数率小于4×10^-6ns^-1，量子效率约18%，噪声等效功率为2.4×10^-19W/Hz^1/2.     

Coupling interaction between a single emitter and the propagating surface plasmon polaritons in a graphene microribbon waveguide

The coupling interaction between an individual optical emitter and the propagating surface plasmon polaritons in a graphene microribbon （GMR） waveguide is investigated by numerical calculations, where the emitter is situated above the GMR or in the same plane of the GMR, The results reveal a multimode coupling mechanism for the strong interaction between the emitter and the propagating plasmonic waves in graphene. When the emitter is situated in the same plane of the GMR, the decay rate from the emitter to the surface plasmon polaritons increases more than 10 times compared with that in the case with the emitter above the GMR.     

Tunneling field effect transistors based on in-plane and vertical layered phosphorus heterostructures

Tunneling field effect transistors(TFETs) based on two-dimensional materials are promising contenders to the traditional metal oxide semiconductor field effect transistor, mainly due to potential applications in low power devices. Here,we investigate the TFETs based on two different integration types: in-plane and vertical heterostructures composed of two kinds of layered phosphorous(β-P and δ-P) by ab initio quantum transport simulations. NDR effects have been observed in both in-plane and vertical heterostructures, and the effects become significant with the highest peak-to-valley ratio(PVR)when the intrinsic region length is near zero. Compared with the in-plane TFET based on β-P and δ-P, better performance with a higher on/off current ratio of ～ 10~6 and a steeper subthreshold swing(SS) of ～ 23 m V/dec is achieved in the vertical TFET. Such differences in the NDR effects, on/off current ratio and SS are attributed to the distinct interaction nature of theβ-P and δ-P layers in the in-plane and vertical heterostructures.