N-烷基-N-酰基邻氯苯胺的光诱导S~R~N环化

本文叙述了经邻氯苯胺N-酰基化、还原、N-酰基化和光诱导亲核取代合成N-烷基-3-烷基氧化吲哚的光化学合成路线。N-丙基-N-丁酰基邻氯苯胺在-2.82V的电化学还原是生成不稳定阴离子游离基的单电子转移过程, 奇电子占据C-Cl反键轨道。所以, 光诱导的单电子转移和随后的氯离子离去导致双游离基, 双游离基分子内偶合成环。     

甲氧基在Ir(111)表面吸附的密度泛函理论研究

本文采用第一性原理和周期平板模型相结合的方法,对甲氧基在Ir(111)表面top, bridge, fcc和hcp位的吸附模型进行了构型优化、能量计算、Mulliken电荷布居分析以及差分电荷密度计算。结果表明,甲氧基通过氧原子与金属表面相互作用时,垂直吸附在fcc位是最有利的吸附构型,吸附能为2.26 eV,此时电子从金属表面向甲氧基转移。吸附过程中C-O键振动频率发生红移,表明在该表面C-O键容易被活化。结合差分电荷密度分析表明,吸附时CH3O中氧的2p原子轨道和铱的dz2原子轨道相互作用形成σ键。     

Epitaxial Growth and Characteristics of Nonpolar a-Plane InGaN Films with Blue-Green-Red Emission and Entire In Content Range

Nonpolar （11■0） plane In_xGa_1-x N epilayers comprising the entire In content （x） range were successfully grown on nanoscale Ga N islands by metal-organic chemical vapor deposition.The structural and optical properties were studied intensively.It was found that the surface morphology was gradually smoothed when x increased from 0.06 to 0.33,even though the crystalline quality was gradually declined,which was accompanied by the appearance of phase separation in the In_x      

10吨/时示范性煤泥沸腾燃烧锅炉

本文介绍永荣矿务局发电厂10吨/时洗煤泥沸腾锅炉的结构特性及运行性能,该沸腾炉采用浙江大学提出的异重床,高位成型给料,不溢流不排冷渣沸腾燃烧新工艺。工业试验结果表明:含水量27％左右的高灰份(A~g=52％),细颗粒(100％<0.5mm),高粘度煤泥在没有其它燃料助燃时是可以燃烧的,燃烧效率达95.4％,运行稳定,操作方便。     

极性、半极性和非极性InN薄膜的MOCVD外延生长与表征

利用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）技术,在不同晶面的蓝宝石（Al2O3）衬底上实现了极性（0002）面、半极性（11-22）面和非极性（11-20）面InN薄膜的外延生长,并通过多种表征手段对三个不同极性面InN薄膜的结构和光学特性进行了系统研究。X射线衍射（XRD）曲线展示了（0002）、（11-22）和（11-20）面InN较强的衍射峰,表明InN薄膜具有较高的成膜质量。通过扫描电子显微镜（SEM）表面图发现,极性（0002）面InN的表面形貌较光滑,而半极性和非极性InN表面均存在未完全合并的孔洞。光致发光（PL）光谱展示,不同极性面InN的峰值能量在0.63 eV附近,并从极性、半极性到非极性逐渐红移。此外,可见-红外分光光度计测得的透射谱显示,极性（0002）面InN的吸收边约为0.85 eV,而半极性（11-22）面和非极性（11-20）面InN的吸收边约为0.78 eV,表明极性InN具有更大的斯托克斯位移。     

电子辐照掺锂硅中深能级

用深能级瞬态谱法,从与锂有关的缺陷的产生和锂对电照缺陷的退火的影响两个侧面,研究了不同合氧量硅中锂和电照缺陷的相互作用。指出了氧能抑制锂和电照缺陷的相互作用,只有当锂浓度不是远小于氧浓度时,锂才能有作用。E(0.17),E(0.21),E(0.38),E(0.50),H(0.42)和H(0.47)等与锂有关的缺陷分别在不同的条件下被观测到。对比了硅中氢和锂在与电照缺陷相互作用方面的相似与不同之处。     

三维非匀质Navier-Stokes方程的部分正则性

本文首先引进非匀质Navier-Stokes方程恰当弱解的概念.当初始密度接近正常数的情形时,通过结合局部能量不等式、Sobolev嵌入、压力估计和blow up分析技术,本文建立了恰当弱解的内部正则性准则.最后利用内部正则性准则证明了恰当弱解可能奇异点集的一维Hausdorff测度为零.     

人造金刚石单晶薄膜的制备及表面形貌优化

人造金刚石作为一种高效的热管理衬底,在宽禁带半导体电子器件领域具有广泛的应用前景。然而微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法外延金刚石单晶的生长速率慢,表面粗糙度高,难以满足半导体器件的衬底需求。对此,本文采用MPCVD法制备金刚石单晶薄膜,通过分阶段生长监控样品的生长速率,结合显微镜照片和AFM表征样品的表面形貌和表面粗糙度,根据拉曼光谱和XRD分析外延薄膜的晶体质量,最终采用高/低甲烷浓度的两步法外延工艺,实现了金刚石单晶薄膜的高速外延,生长速率达到20 μm/h,同时获得了较为平整的表面形貌。本文所研究的甲烷调制两步法外延工艺能够起到表面形貌优化的作用,有利于在后续的相关器件研发中提供平整的金刚石衬底,推动高功率电子器件的发展。     

交错圆盘的滚动轨迹

研究对称交错圆盘在水平面上的无滑滚动.给出了交错圆盘的质心坐标和转动矩阵的表达式.讨论了滚动周期长度与圆盘交错的关系.画出了圆盘与地面接触点和交错线段中点的轨迹.     

5,6-位烷氧基保护和3-/3,8-位三苯胺拓展1,10-菲咯啉衍生物与银离子识别

在1,10-菲咯啉的5,6-位引入烷氧基后,分子的反应活性明显提升,同时获得的三苯胺基（TPA）衍生物的溶解性也明显提高。晶体结构分析表明：烷氧基团是以六元环形式的乙撑二氧结构接入1,10-菲咯啉环的5,6-位。化合物TPA1和TPA2均对Ag+表现出选择性识别作用。其中,TPA1与Ag⁺作用后虽然荧光减弱不明显,但其发射波长明显红移（47 nm）。而TPA2和Ag⁺作用后,415和542 nm处荧光发射峰同时淬灭。化合物TPA3虽然也能与Ag⁺发生相互作用使荧光减弱,但是其荧光减弱幅度不大,很容易受到其它杂离子干扰影响,不适用于离子识别研究。