“压强对化学平衡的影响的实验”一文的补充说明

一、吸滤瓶(Ⅱ)组与课本实验5-5"……把注射器的活塞往外拉到Ⅱ处。"的实验原理一样,同是增大体积,减小压强,产生平衡移动。     

高效医用闪烁体Lu2SiO5:Ce的真空紫外光谱研究

利用同步辐射真空紫外光谱技术对高效医用闪烁体Lu₂SiO₅:Ce进行了研究.结果表明,粉末微晶样品中位于250—320nm之间的两个激发带相对于单晶样品变的非常弱,两种样品对应于基质吸收的激发带的位置和峰形都不相同,表明它们中存在不同的缺陷.在185nm激发下,两类样品的发射谱基本相似,粉末微晶样品的略有红移,位于350—500之间的发射带对应于Ce³⁺5d→4f跃迁,可以分解为来源于两种Ce发光中心的3个子带.位于550nm附近的新的弱发射带可能源于第二种Ce中心的发射或来源于材料中的缺陷.     

Y2O2S：Eu，Ti，Mg红色长余辉的温度依赖

实际应用中在低温下一些长余辉材料不能正带工作，因此需要研究长余辉材料的温度依赖特性。用固相反应法合成了Y2O2S：Eu，Ti，Mg，测量了其余辉发射谱和热释光曲线，研究Y2O2S：Eu，Ti，Mg在140～300K和290～350K温区的长余辉发光的发射光谱和衰减曲线的温度依赖。当温度低于其热释光曲线起始点230K时，其余辉的发射光谱强度较弱。随温度增加，其余辉的发射光谱强度随温度增强。300K后，其余辉衰减时间随温度变快。Y2O2S：Eu，Ti，Mg长余辉的温度依赖行为与其热释光曲线密切相关，并通过长余辉机制对其进行了分析和讨论。     

NH4F-LnF3体系的合成及荧光性质

利用稀土氧化物与NH₄HF₂的直接反应和水热合成方法系统地研究了NH₄F-LnF₃体系?直接反应的主要产物是NH₄LnF₄?LnF₃和NH₄Ln₂F₇;水热反应的主要产物则是NH₄Ln₃F₁₀和LnF₃     

La_2CaB_(10)O_(19):Ce~(3+)在VUV-Vis范围的发光性质研究

通过研究La_2CaB_(10)O_(19):Ce~(3+)在VUV-Vis范围的光谱.发现Ce~(3+)在La_2CaB_(10)O-(19)中共有两种格位.分别取代了十配位的I。a’“和八配位的Ca”,从而发射光谱中没有出现特征的双峰,而出现了峰值约位于307,330和 356 nm的3个发射峰.由于在低对称性晶体场中d轨道的分裂.激发光谱中位于194.224,243.260,274和318 nm的峰是由两个格位的Ce~(3+)的f-d跃迁引起的.Ce~(3+)占据两个格位,可以通过以Eu~(3+)为荧光探针的发射光谱中出现的两个~5D_(0-)~7F_0跃迁得到验证.峰值位于162 nm的激发谱带是基质吸收带.与基质禁带宽度相对应.通过计算,不排除其中包含O~(2-)→Ce~(3+)的电荷迁移带的可能性.     

Eu^3+和Eu^3+在LnBaB~9O~16是的紫外和真空卜外发光性质

研究了Tb^3+和En^3+在LnBaB~9O~16(Lu=La,Gd,Y,Lu)中的卜外和真空紫外光谱性质。X射线粉未衍射数据脂标化结果表明,LnBaB~9O~16(Lu=La,Gd,Y,Lu)系列化合物属于三方晶系。Eu^3+的荧光光谱结果表明,LnBaB~9O~16和GdBaB~9O~16中稀土离子占据非是心对称的格位,Eu^3+在其中的特征发射5D0→7F2电偶极跃迁为主;而在YBaB9O16和LuBaB9O16中稀土离子占据中心对称性的格位,Eu3^+在其中的特征发射以5D0→7F1磁偶极跃迁为主.     

稀土离子对烟草RuBPcase的抑制作用

采用硫酸铵沉淀和SephadexG-200柱层析分离纯化出烟草RuBPcase(1,5-二磷酸核酮糖羧化酶),并测定了稀土元素离子对酶活性抑制效果.在RuBPcase催化CO2固定的反应体系中,随着稀土元素离子浓度的增加,该酶对Mg2+的最大反应速度(vmax)不变,米氏常数(km)变大,并带有一个抑制剂常数(ki)的典型竞争性抑制.La3+,Ce3+,Gd3+的ki分别为26.3,34.3,200(mol*L-1,3种离子与Mg2+对RuBPcase竞争能力的大小顺序为La3+＞Ce3+Gd3+.     

NaGdF_4:Eu~(3 )的结构和VUV荧光性质

利用水热方法合成了纯度较高的六方结构的 NaGdF4,在氧气存在条件下 950℃加热处理可以使其转变为 CaF2型立方结构。在真空紫外光激发下,六方结构的 NaGdF4∶ Eu3＋中的 Gd3＋离子吸收一个光子,并将能量分两步传递给 Eu3＋离子,发生双光子发射。立方结构的 NaGdF4∶ Eu3＋中存在有一定量的氧离子取代缺陷,使 Gd3＋离子 4f-5d跃迁移到 177nm附近,这与惰性气体放电产生的真空紫外光波长一致。     

NaGdF4:Eu3+和GdBaB9O16的VUV荧光性质

在真空紫外光激发下,六万结构的NaGdF₄:Eu³⁺中的Gd³⁺离子吸收一个光子,将能量分两步传递给Eu³⁺离子,发生红色双光子发射.立方结构的NaGdF₄:Eu³⁺中存在一定量的氧离子取代缺陷,使Gd³⁺离子4f-5d跃迁移到177nm附近,这与惰性气体放电产生的VUV光波长一致,并且其荧光色纯度较高.在VUV激发下,GdBaB₉O₁₆中的Gd³⁺离子发生双光子(紫外和红色或远红外)发射.     

退火温度对GdBO3∶Eu3+/AAO薄膜形貌和发光性质的影响

利用水热反应和高温退火,在100 nm孔径的多孔氧化铝(AAO)模板表面制备了GdBO3∶Eu3+/AAO发光薄膜。通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)等手段表征了GdBO3∶Eu3+/AAO薄膜的结构、形貌和发光性质。SEM显示GdBO3∶Eu3+/AAO的形貌可通过调节退火温度控制。XRD和PL的结果表明,在AAO模板的表面所组装的GdBO3∶Eu3+为六方碳钙石型(Vaterite-type)结构。PL的结果表明:5D0→7F2和5D0→7F1的相对发射强度与退火温度有关,5D0→7F2红色发射与5D0→7F1橙色发射之比值随退火温度的降低而增加,降低退火温度可使GdBO3∶Eu3+/AAO样品的色纯度得到改善。