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两个新颖的铜-二氮杂菲和钼(磷,硒)杂多酸组成的有机-无机杂合化合物:合成和晶体结构 总被引:1,自引:0,他引:1
水热法合成了两个新颖的有机-无机杂合化合物{[Cu(o-phen)(H2O)]3[Mo5P2O23]}•4.5H2O (1) 和{[Cu(o-phen)- (H2O)]2[Mo5Se2O21]} (2) (o-phen=1,10-phenanthroline). 通过红外光谱和单晶X射线衍射分析确定了它们的结构. 结构分析表明两个分子结构中的相邻[Mo5P2O23]6-或[Mo5Se2O21]4-阴离子均由两个桥式的[Cu(o-phen)(H2O)]单元连接成分别为风车状和双侧桥联状一维聚合链, 化合物1的双金属链又通过若干链间氢键形成层状堆积结构. 讨论了钼杂多酸阴离子和第二种金属-配体亚单元阳离子之间的相互匹配关系. 相似文献
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用微米级LaNi5合金粉末为催化剂, 以乙炔为原料, 采用化学气相沉积(CVD)法合成了多壁碳纳米管. 在100~290 K温度下测量了41 μm≤d≤150 μm粒径催化剂制备的不同直径分布的碳纳米管的电子自旋共振(ESR)谱,研究了测量温度、微米级催化剂粒径及制备过程的氢气氛对生成的碳纳米管的ESR谱线型、g因子、线宽的影响. 发现碳纳米管的g因子随其直径的增大而增大,分别为2.040 0(催化剂粒径41 μm≤d≤50 μm, 碳纳米管的直径分布为10 nm到20 nm)和2.089 8(催化剂粒径100 μm≤d≤150 μm,碳纳米管的直径分布为70 nm到120 nm). 发现小管径纳米管的ESR谱图有一个峰, 而大管径纳米管的ESR谱图有两个峰A和B, 且随测量温度的升高, 峰B强度增大. 相似文献
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采用氩电弧等离子体法制备磁性碳包铁纳米粒子,考察了其对水溶液中Cr,Ni,Cd,Pb和As的富集能力,建立电感耦合等离子体原子发射光谱同时测定食具中Cr,Ni,Cd,Pb和As迁移量的分析方法。研究了纳米粒子表面经H2O2处理后,pH值、吸附时间、吸附剂用量等因素对各元素富集效率的影响。结果表明,H2O2表面处理可有效提高纳米粒子对待检元素的吸附率。在pH 8.0~9.5范围内,选用30 mg碳包铁纳米粒子定量富集,振荡3 min后,Cr,Ni,Cd,Pb和As均可被磁性碳包铁纳米粒子定量富集,酸性溶液(pH 1~2)可洗脱吸附离子。采用本方法测定了实际样品,各元素回收率在87%~106%之间。 相似文献
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以羟乙基纤维素为筛分介质, 在直流、方波脉冲、反向脉冲电场中对0.1~10.0 kbp范围的DNA样品进行分离, 改变脉冲电场调制深度, 探讨电场方式对毛细管电泳分离DNA的影响. 研究发现, 其它实验条件一定时: (1)直流电场下, 小片段DNA (<1.0 kbp)可以被有效分离, 大片段DNA (>1.0 kbp)迁移时几乎重叠在一起; (2)方波脉冲电场下, 增大调制深度可提高大片段DNA (>1.0 kbp)分离效果, 但降低了部分小片段DNA (0.6~1.0 kbp)的分离度; (3)反向脉冲电场下, 可以实现0.1~8.0 kbp范围内各个DNA片段的有效分离, 改变调制深度会影响样本DNA的分离时间. 并将反向脉冲电场应用于毛细管电泳分离λ-DNA的EcoT14 I/Bgl II限制性内切酶酶切片段. 结果表明, 反向脉冲毛细管电泳技术具有快速、准确、重复性高等特点, 可用于宽分子量范围DNA片段分离. 相似文献
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The BESⅢ ·RPC with Gd coating as thermal neutron detector was designed and constructed. Three prototypes were built with different techniques of producing the gadolinium converter. The performance of the cosmic ray test, the signal and the radiation spectrum were discussed in this paper. Lastly, the efficiency of one prototype with the best performance for detecting the thermal neutron was tested as 8.7%. 相似文献
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以价廉的FeCl2·4H2O为原料、采用改进的溶胶-凝胶法制备了LiFePO4/C正极,考察了溶胶体系pH值对凝胶时间、正极材料结构、形貌和性能的影响.研究表明,不同pH值时胶粒表层吸附的电荷数量不同、造成排斥力大小不同,从而导致凝胶时间的差异.pH值为3时制备的LiFePO4/C试样颗粒细小、分布均匀、团聚现象不明显,晶粒尺寸为最小的39.6 nm;该试样在1C、5C时的放电容量分别为132.2 mAh/g、94.7 mAh/g,氧化还原反应峰电位差最低,具有良好的电化学性能. 相似文献
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A silicon-based field emission light emitting diode for low-voltage operation is fabricated in the standard 0.35 μm 2P4M salieide complementary metal-oxide-semiconduetor (CMOS) technology. Partially overlapping p^+ and n^+ regions with a salicide block layer are employed in this device to constitute a heavily doped p^+-n^+ junction which has soft "knee" Zener breakdown characteristics, thus its working voltage can be reduced preferably below 5 V, and at the same time the power efficiency is improved. The spectra of this device are spread over 500nm to 1000nm with the main peak at about 722nm and an obvious red shift of the spectra peak is observed with the increasing current through the device. During the emission process, field emission rather than avalanche process plays a major role. Differences between low-voltage Zener breakdown emission and high-voltage avalanche breakdown emission performance are observed and compared. 相似文献
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