可调谐激光晶体S因子和声子能量的估算

本文采用了一种特别的多模电-声子耦合模型,利用室温光谱数据估算可调谐激光晶体的黄昆-里斯(Huang-Rhys)S因子,并与单模耦合模型的结果作了比较.最后,还讨论了S因子与晶场强度及基质晶体价键特性之间的关系.     

微型环流器实验

本文描述了“微型环流器”装置的调试和实验结果。对放电中出现的破裂不稳定现象作了观测,并用表面探头观察了放电中的单极弧。     

A novel scheme based on minimum delay at the edges for optical burst switching networks

This paper proposes a novel scheme based on minimum delay at the edges (MDE) for optical burst switching (OBS) networks. This scheme is designed to overcome the long delay at the edge nodes of OBS networks. The MDE scheme features simultaneous burst assembly, channel scheduling, and pre-transmission of control packet. It also features estimated setup and explicit release (ESXR) signaling protocol. The MDE scheme can minimize the delay at the edge nodes for data packets, and improve the end-to-end latency performance for OBS networks. In addition, comparing with the conventional scheme, the performances of the MDE scheme are analyzed in this paper.     

提升初中学生数学解题能力三部曲

学生学习数学的目的就是运用所学的认知解决相应的问题,换言之,教师教学的目的就是要培养学生的解题能力,以让他们学以致用.解题能力是基本的数学能力也是教师教学中需要培养的重要能力.学生解题的过程就是利用数学认知、思想、方法等来分析问题的过程,也是验证认知、反思学习状况的过程.教师可通过指导学生参与解题、分类讨论、数形结合这三部曲来提升学生的解题能力.解题过程的好与差,直接影响学生的学习信心和学习效果.因此,教师要用好三部曲,以调动学生学习数学的积极性和创造性,进而顺利完成任务,提升学科素养.     

X射线荧光基本参数法测定Y1—xCexBa2cu3Oy强的钇铈钡铜

本文用Ｘ射线荧光光谱基本参数法测定了Ｙ１－ｘＣｅｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ系列样品中的钇铈钡铜含量，然后折算成它们的原子比，测量的结果与ＩＣＰ的结果接近，为非破坏地测定高温超导体的实际组分进行了一次尝试。     

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件中子位移损伤效应及机理

针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件和异质结构在西安脉冲反应堆上开展了中子位移损伤效应研究,等效1MeV中子注量为1×10¹⁴n/cm².测量了器件在中子辐照前后的直流特性和1/f噪声特性,并对测试结果进行理论分析,结果表明:中子辐照在器件内引入体缺陷,沟道处的体缺陷通过俘获电子和散射电子,造成器件电学性能退化,主要表现为阈值电压正漂、输出饱和漏电流减小以及栅极泄漏电流增大.经过低频噪声的测试计算得到,中子辐照前后,器件沟道处的缺陷密度由1.78×10¹²cm^–3·eV–1增大到了1.66×1014cm^–3·eV^–1.采用C-V测试手段对肖特基异质结进行测试分析,发现沟道载流子浓度在辐照后有明显降低,且平带电压也正向漂移.分析认为中子辐照器件后,在沟道处产生了大量缺陷,这些缺陷会影响沟道载流子的浓度和迁移率,进而影响器件的电学性能.     

合成展开法求解圆薄板大挠度问题

本文用合成展开摄动法,把外场解和内层解结合起来,求解圆薄板大挠度问题.本文把Hencky的薄膜解当作外场解的一级近似解,并求出了外场解的二级近似解.利用边界内层坐标,求得了相应的各级内层解,即边界层解.本文采用最大位移和板厚之比的倒数作为小参数,所得结果大大改进了1948年作者所得的结果.     

二相平面渗流问题的不变流管解法及其理论分析

本文总结和改进了工程上广泛应用的求解二相平面渗流问题的不变流管近似方法.对其核心部份即给定压差时一维变截面流管中的二相驱替问题作了全面的考察,证明了解的存在唯一性,给出了准确解、数值解及其收敛性和稳定性分析.     

Formation of domain reversal by direct irradiation with femtosecond laser in lithium niobate

We propose that domain inversion can be directly induced by femtosecond laser both theoretically and experimentally, which opens a path to achieve three-dimensional （3D） nonlinear crystal with a period in sub-micron-scale. A simulation of domain inversion is modeled by considering the temporal distribution of femtosecond pulses. The calculation results clarify that the domain inversions can happen within or after the interaction with the laser pulse, and the response time of domain inversion is in the picosecond level depending on the intensity and the materials. The domain reversal windows of lithium niobate by femtosecond laser are observed which agrees with theoretical predictions qualitatively.