Photo-Induced Carriers in Near-Stoichiometric LiNbO3：Fe Crystal

We detect the photo-induced carriers in near-stoichiometric iron doped LiNbO3 crystal by the holographic technique. The results show that the dominant carriers are electrons in the sample with Li/Nb ratio of 0.9988. By analysis of the OH^- absorption spectra of the crystal, we contribute the electron domination in near-stoichiometric Fe-doped LiNbO3 crystal to the existence of NbLi which provides the anti-site defect to Fe^2＋.     

周期极化掺镁不同组分LiNbO3晶体的研究

利用气相平衡扩散法研制出掺镁不同组分的LiNbO3晶体 ,并对其极化特性进行了研究 .研究表明晶体的开关电场和自发极化不仅与晶体组分 [Li] [Nb]比有关而且与掺镁量有关 ,[Li] [Nb]比为 0 973掺入 2mol%MgO的近化学比LiNbO3晶体的开关电场仅为 1 8kV mm ,是同成分晶体的 1 12 ,且其极化结构的质量要远好于同成分LiNbO3晶体和近化学比LiNbO3晶体 .     

周期极化掺镁不同组分LiNbO3晶体的研究

利用气相平衡扩散法研制出掺镁不同组分的LiNbO₃晶体，并对其极化特性进行了研究.研究表明晶体的开关电场和自发极化不仅与晶体组分［Li］/［Nb］比有关而且与掺镁量有关，［Li］/［Nb］比为0.973掺入2mol% MgO的近化学比LiNbO₃晶体的开关电场仅为1.8kV/mm，是同成分晶体的1/12，且其极化结构的质量要远好于同成分LiNbO₃晶体和近化学比LiNbO₃晶体. 关键词： 气相平衡扩散 3晶体')" href="#">掺镁LiNbO₃晶体 周期极化     

掺杂对铌酸锂晶体非挥发全息存储性能的影响

通过研究掺镁、掺锌和掺铟同成分铌酸锂晶体的紫外-红光双色全息存储性能,发现双色记录响应时间均比单色记录时明显缩短,最多的可减小3个数量级;双色记录灵敏度大幅度提高,在掺镁5 mol.%的晶体中可达到11 cm/J.在掺杂浓度超过抗光损伤阈值的铌酸锂晶体中,均可实现非挥发全息存储.但是,在掺镁、锌样品中,深、浅能级中心上的光栅反相,而在掺铟样品中则表现为同相.这是由于掺杂离子的种类不同,在铌酸锂晶体中形成的缺陷中心也不同所引起的. 关键词： 掺杂 铌酸锂晶体 非挥发 全息存储     

Light-Induced Domain Inversion in Mg-Doped near Stoichiometric Lithium Niobate Crystals

We investigate the influence of visible light on domain inversion in Mg-doped near stoichiometric lithium niobate crystals and find that the switching electric field decreases about 70% above a threshold light intensity. This effect helps us optically control domain switching and produce bulk domain structures on the micrometre scale. Finally, we introduce a model of photo-induced carriers to explain the origin of the reduction of switching electric field.     

近化学计量比钽酸锂晶体的拉曼光谱研究

本文研究了不同组分钽酸锂晶体的拉曼散射光谱,我们发现,在谱线的形状和数量方面,近化学计量比晶体与同成分晶体存在明显差异.通过实验,我们得到了钽酸锂晶体完整的长波长光学模式,并首次给出了钽酸锂晶体拉曼线宽和晶体组分的定量关系.另外,我们还发现了两个与本征缺陷相关的局域模,278cm-1和750cm-1峰,它们的强度与晶体中本征缺陷的数量成正比.     

大直径、高掺镁铌酸锂晶体的生长及其紫外光折变性能研究

我们生长了掺镁量分别为3.0mol;、5.0mol;、7.8mol;、9.0mol;的76mm高掺镁铌酸锂晶体,检测了这些晶体的生长条纹情况,并利用双光耦合配置测试了这些晶体在351nm紫外光下的光折变性能.从实验结果看,采用同成分共熔点铌锂配比的高掺镁铌酸锂晶体生长条纹比较多;虽然高掺镁铌酸锂晶体在可见光波段有很好的抗光折变能力,但是在紫外光下具有良好的光折变性能,可以作为优良的紫外光折变材料使用.同时,实验结果表明,掺镁量在5.0mol;的铌酸锂晶体具有最佳的紫外光折变性能.     

任意晶向的晶体切割及高平行度同心圆加工法

在晶体加工中,特殊晶向及晶体棱镜的切割一直是困扰加工者的一大难题.虽然通过一边研磨一边测量修正能够制作出器件,但是,要付出很大的工作量,而且晶体损失严重.又由于误差积累致使加工精度很难提高.另外,在晶体抛光过程中,平行度要达到1″～2″,光洁度在3级以上时,传统的光学玻璃加工工艺也是无法达到的.本文介绍一种解决这两个难题的新方法.     

三元同成分掺镁铌酸锂晶体的生长与抗光损伤性能研究

以三元同成分为基础配料,生长了掺杂浓度为6.5 mol;、7.5 mol;的掺镁铌酸锂晶体,并与传统的掺镁5.0mol;(Li/Nb=48.38/51.62)铌酸锂晶体作对比.光斑畸变法实验表明所生长的掺镁晶体的抗光损伤能力均达到5×105 W/cm2,与掺镁5.0mol;同成分铌酸锂晶体相近.全息法测得晶体最大折射率变化分别为4.39×10-6、4.61×10-6,而掺镁5.0mol;晶体为5.62×10-6.晶体的红外光谱和紫外-可见吸收谱显示,所生长的掺镁6.5mol;、7.5mol;晶体均已超过掺杂阈值.综上可知,采用三元同成分配比是获得高质量晶体的有效途径.     

掺镁铌酸锂晶体亚微米畴结构特性研究

基于畴背向反转效应，利用外加短脉冲极化电场，通过对脉冲宽度、脉冲间隔以及脉冲个数的有效控制，在掺5mol％镁的铌酸锂晶体上得到周期为1.7μm的均匀亚微米畴结构，其纵向深度为30—50μm.同时，使用脉冲宽度为100ms的宽脉冲信号得到了畴带宽度仅为0.5μm的非对称微畴结构对亚微米畴结构产生的微观机制和物理过程进行了初步探讨. 关键词： 背向反转效应 掺镁铌酸锂晶体 周期极化