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阻旋栅对梳齿密封动静特性影响研究 总被引:1,自引:0,他引:1
阻旋栅可改变密封进口流体周向流动与进口预旋,是提高系统稳定性的主要方法之一.本文作者应用计算流体力学方法研究了阻旋栅几何参数对梳齿密封动静特性的影响,计算分析了阻旋栅在不同长度、间隙、周向个数及不同进口预旋比下密封流场分布与动力特性系数,并与无阻旋栅梳齿密封进行对比.研究表明:阻旋栅能够有效抑制密封进口周向流动、降低密封腔室周向压力;随着阻旋栅周向个数与阻旋栅间隙的减小,其抑制效果增强,阻旋栅长度的增加对周向速度影响则越来越小;提高预旋比将使密封内流体周向速度增加.与传统梳齿密封相比,具有阻旋栅的梳齿密封直接阻尼增加,交叉刚度降低,进而有效阻尼提高.阻旋栅间隙s=0.20 mm、长度l=3.25 mm、数量n=90时密封有效阻尼较大,系统稳定性最好. 相似文献
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Friedl?nder喹啉合成法是以邻胺基芳基醛或酮与有α-亚甲基的酮环化制备喹啉的反应,报道了一种喹啉钌络合物催化Friedl?nder法合成喹啉的方法.首先,以8-羟基喹啉钌络合物为催化剂,对模板反应邻氨基苯甲醇和苯乙酮合成2-苯基喹啉进行了反应条件优化实验.重点对比研究了8-羟基喹啉钌络合物配体上不同取代基对反应收率的影响,其中5-甲基-8-羟基喹啉(1e)钌络合物催化邻氨基苯甲醇和苯乙酮合成2-苯基喹啉获得了73%的最高收率.结合IR, UV以及密度泛函理论(DFT)计算讨论了配体结构与催化性能之间的关系.提出了β-H消除形成醛过渡态,交叉aldol反应再亚胺环化,最后脱水生成目标产物的可行机理.以(1e)3Ru为催化剂,在优化的反应条件下进行了底物扩展研究,以69%~94%的收率合成了32个不同取代的喹啉衍生物,验证了方法的普适性. 相似文献
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建立聚乙烯离心管水浴浸提–电感耦合等离子体质谱仪测定土壤样品有效硼含量的方法。将样品直接称量于离心管内,用热去离子水浸提,浸提好的溶液直接通过离心机离心,取上清液,用铑作为内标元素,采用电感耦合等离子体质谱法测定。硼的质量浓度在0~1.0μg/mL范围内与光谱强度的线性关系良好,相关系数为0.999 7,检出限为0.01 mg/kg。用该方法对5种土壤国家标准物质进行测定,测定结果的相对标准偏差为0.03%~0.18%(n=12),测定值在标准值范围内。 相似文献
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考察了在含氧化铝载体条件下,不同Zn负载量改性后HZSM-5催化剂的MTA反应性能。采用BET、XRD、PyFTIR、NH3-TPD和H2-TPR等分析手段对催化剂进行表征。实验结果表明,氧化铝载体的加入使得HZSM-5催化剂产生了介孔并且增强了Zn物种在催化剂表面的稳定性;Zn物种的加入破坏了HZSM-5分子筛的骨架结构、改变了催化剂表面酸性;此外,Zn物种的加入可以促进MTA过程脱氢反应的进行,中间产物烯烃的后续芳构化过程受到抑制;在实验的考察范围内,当Zn负载量为0.5%(质量分数)时,芳烃(C6~11)收率存在最大值21.0%(质量分数);甲醇的芳构化能力会受到生焦的抑制,然而,再生后的催化剂呈现更高的芳烃收率。 相似文献
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研究了以异丙苯过氧化氢为氧化剂选择氧化丙烯制环氧丙烷的 Ti/HMS 催化剂的失活原因. 采用 XRD (X 射线衍射), FT-IR (傅里叶变换红外光谱), UV-Vis (紫外-可见光谱) 和 TG (热重分析) 等技术表征了催化剂失活前后的结构和化学组成. 结果表明, 催化剂的失活主要是由于反应过程中所产生的重组分在催化剂表面吸附, 覆盖了活性中心所致; 并不是由于四配位的活性钛物种转化为六配位、八配位或者锐钛矿 TiO2 所致. 采用热异丙苯溶剂洗涤的方法可以部分恢复失活催化剂的活性, 但不能恢复到新鲜催化剂的水平; 采用低温烧炭方法能够使催化剂的活性恢复到新鲜催化剂的水平. 因此, Ti/HMS 催化剂的失活是可逆的, 采用合适的再生方法可以恢复其催化活性. 相似文献
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以三嵌段共聚物为模板剂, 利用溶剂挥发法合成了具有立方相的含锆介孔氧化硅材料, 并对其结构进行了表征, 初步研究了其生成机理. 相似文献
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Variable-temperature transmission/absorption spectra are measured on As-doped Hg1-xCdxTe grown by molecular beam epitaxy. The nonlinear temperature-dependent shift of the absorption edge is also observed, which is similar to our previous report on V_textrmHg (unintentionally)-doped HgCdTe. By referring to the empirical formulas of Eg(x, T), the x value of the epilayer is calculated and its inconsistency between the extreme temperatures (e.g. 10 and 300 K) is discussed. The results confirm the assumption of the effect of shallow levels on the shift of the absorption edge, and suggest that the x value (or Eg) in intrinsic/extrinsic-doped HgCdTe should be determined by referring to as low a temperature as possible (e.g. 10 K), and not the commonly used temperatures of 77 or 300 K, when the transmission spectrum should be employed. This can give brief guidelines for fabricating HgCdTe-related devices. 相似文献
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Variable-temperature transmission/absorption spectra are measured on As-doped Hg 1 x Cd x Te grown by molecular beam epitaxy.The nonlinear temperature-dependent shift of the absorption edge is also observed,which is similar to our previous report on V Hg (unintentionally)-doped HgCdTe.By referring to the empirical formulas of E g (x,T),the x value of the epilayer is calculated and its inconsistency between the extreme temperatures (e.g.10 and 300 K) is discussed.The results confirm the assumption of the effect of shallow levels on the shift of the absorption edge,and suggest that the x value (or E g) in intrinsic/extrinsic-doped HgCdTe should be determined by referring to as low a temperature as possible (e.g.10 K),and not the commonly used temperatures of 77 or 300 K,when the transmission spectrum should be employed.This can give brief guidelines for fabricating HgCdTe-related devices. 相似文献
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