烷烃类分子对NCO(A2∑+)自由基的猝灭

采用激光光解-激光诱导荧光(LP-LIF)的方法,用266 nm激光光解CHBr3分子产生CH自由基,再与N2O继续反应作为NCO自由基的产生源,用438.6 nm激光将电子基态X2∏i(0010)的NCO激励到激发态A2∑+(00°0)上,通过检测激发态NCO时间分辨荧光信号,测得室温(298 K)下NCO(A2∑+)被烷烃类分子猝灭的实验结果,获得了A2∑+(00°0)态猝灭速率常数.实验发现,随着烷烃分子中C-H键数增加,其猝灭截面也近线性增加,但随着分子体积增大,这种增加趋缓.     

HCF(X~1A’)+SO2反应的动力学研究

用激光光解-激光诱导荧光方法研究了室温下(T＝293 K) HCF(X^~1A^’)自由基与SO₂分子的反应动力学. 实验中HCF(X^~1A^’)自由基是由213 nm激光光解HCFBr₂产生的, 用激光诱导荧光(LIF)检测HCF(X^~1A^’)自由基的相对浓度随着反应时间的变化, 得到此反应的二级反应速率常数为: k＝(1.81±0.15)×10^－12 cm³•molecule^－1•s^－1, 体系总压为1862 Pa. 高精度理论计算表明, HCF(X^~1A^’)和SO₂分子反应的机理是典型的加成-消除反应. 我们运用RRKM-TST理论计算了此二级反应速率常数的温度效应和压力效应, 计算结果和室温下测定的二级反应速率常数符合得较好.     

一类自突触作用下神经元电路的设计和模拟

神经元在自突触作用下可以诱发各类放电活动的迁移, 神经元动作电位对电自突触的响应比较敏感. 通常用包含延迟因子和增益的反馈回路电流来刻画自突触对神经元动作电位的影响. 基于Pspice软件, 设计了包含自突触效应的神经元电路, 用以延迟反馈电路来模拟电自突触对电位的调制作用. 研究结果发现: 1)在外界刺激和电自突触回路协同作用下, 神经元电路输出信号可以呈现静息态, 尖峰放电, 簇放电状态. 2)在时变增大的外界刺激下和自突触回路驱动下, 神经元电路的输出电位序列在多种电活动模式之间(静息, 尖峰放电, 簇放电)交替出现, 其机理在于自突触回路具有记忆特性, 神经元对于不同的外界刺激可以做出不同模式的响应. 3)在给定比较大外界刺激下, 改变反馈回路的增益, 发现电路输出的序列也可以呈现不同模式交替, 即神经元对于相同的刺激可以通过自我调节自突触增益来产生不同模式的响应, 其机理可能在于回路的有效反馈, 这有助于理解突触的可塑性.     

克里奇中间体CH2OO与CF3CF=CF2反应的动力学研究

本文使用OH激光诱导荧光方法研究了结构最简单的克里奇中间体CH₂OO和CF₃CF=CF₂的反应动力学. 在压强为10 Torr条件下,测量了温度在283,298,308和318 K的反应速率常数,分别为(1.45±0.14)×10^-13,(1.18±0.11)×10^-13,(1.11±0.08)×10^-13和(1.04±0.08)×10^-13 cm³·molecule^-1·s^-1. 根据阿伦尼乌斯方程,获得该反应的活化能为(-1.66±0.21) kcal/mol. 在6.3∽70 torr压力范围内,未观察到该反应的速率常数存在压力相关.     

不同振动态的CCl2(A1B1)被醇和酮猝灭的动力学

对CCl4/Ar进行混合气体直流脉冲放电产生CCl2自由基，再分别用550.56，541.52，532.25,524.31,523.82和523.27nm激光将电子基肽CCl2激励到激发态A^1B1的（0，3，0），（0，4，0），（1，3，0），（0，6，0），（1，4，0）和（2，2，0）振动态，通过检测激发态A^1B1 CCl2的不同振动态的时间分辨荧光信号（呈双指数衰 ），测得室温下A^1B1 CCl2的不同振动态被醇类和酮类分子猝灭的实验结果，用三能级模型分析处理实验数据，获得态分辨速率常数kA和ka值，结果表明，其速率常数与振动态的关系并不明显。     

NCO自由基与SO2、CS2反应的速率常数

利用波长为266 nm的激光光解CHBr3产生CH自由基,其与NO反应作为NCO自由基的来源.在298 K,总压2660 Pa的条件下,采用激光诱导荧光的方法,研究了NCO自由基与SO2、CS2的反应.得到了NCO自由基与SO2、CS2双分子反应速率常数分别为（1.8±0.3）×10－11和（3.1±0.4）×10－12 cm3•molecule－1•s－1.对这两个反应在B3LYP/6-31＋G(d)的水平上进行理论研究的结果表明,NCO自由基与SO2、CS2的反应是加成反应,其机理是NCO自由基中的N原子攻击反应物的中心原子,得到加成产物.     

Kr原子偶宇称4p^5（^2P1／2）nl’[K，]J（l＇=1，3）自电离态共振增强激发光谱线形研究

在单光子29000～40000cm^-1。能量范围内,获得亚稳态4p55s[3／2]2和4p^5s’[1／2]oKr原子向其4p5npr[3／2]1．2,[1／2]1和4p5nfr[5／2]3序列自电离Rydberg态跃迁的共振增强激发光谱,光谱线宽≈0．1cm^-1．这些偶宇称自电离态的激发谱呈现明显的不对称线形,如此高分辨的激发谱大部分是首次报道．根据Fano线形关系对激发谱进行系统地分析,获得许多新的系统的能级位置、量子亏损、线性因子、共振宽度、共振态寿命和衰减宽度等数据,基于实验拟合所得的系统参数,我们发现线形因子和共振宽度相对有效量子数呈线性关系．另外还分析了4p^5np＇序列的能级间距．     

CH(X~2∏)+N_2O的反应机理研究

在G2 (B3LYP/MP2 /CC)理论水平上研究了CH(X2 ∏ )自由基与氧化二氮 (NNO)分子的反应 .计算了反应体系的最低二重态势能面上各驻点的构型参数、振动频率和能量 ,揭示了此反应存在两种机理和六个通道 .其中HC和NNO复合 ,生成中间体HC(N)NO ,解离得到产物HCN +NO ,这是最主要的通道之一 ;HC插入NO键 ,克服 38.9kJ/mol的势垒 ,产生富能的中间体HC(O)NN ,预测了五个反应通道 ,其中主要反应通道为 :NN +HCO .     

应用程序升温脱附技术的一个物理化学实验

一、引言程序升温脱附简称 TPD(Temperature programmedDesorption),是Amenomiga和Cvetanvic于1963年首先提出的一种测试技术,近十多年来发展迅速,已成为研究催化剂表面性质,吸附中心强弱,数目及表面反应的有效手段。由于它所需设备较简单和数据处理较方便,我们已将它作为中级物理化学实验测定某些动力     

两步法制备具有自愈合能力的纯SiC涂层

为了提高碳/碳(C/C)复合材料的抗氧化性能,通过两步法在基体表面制备了具有自愈合能力的纯SiC涂层.首先,通过高含氢硅油(H-PSO)的高温热解在基体表面引入SiC纳米线,然后通过高温渗Si,在碳材料表面生成厚度约为100-200μm的涂层.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)表征了所制备的涂层形貌及相组成,并对所制备的试样进行了氧化实验.实验结果表明:涂层是由纯SiC构成的,且具有一定的自愈合能力;所制备的试样在1400℃下氧化4h,失重仅为0.71%,抗氧化性能得到提高.