Si组分对SiGe量子点形状演化的影响

研究了自组织生长SiGe岛（量子点）中Si组分对形状演化的影响.采用UHV/CVD方法生长了 不同Si组分的SiGe岛，用AFM对其形状和尺寸分布进行了分析，实验结果表明SiGe岛从金字 塔形向圆顶形转变的临界体积随Si组分的增大而增大.通过对量子点能量的应变能项进行修正，解释了量子点中Si组分对形状演化的影响.在特定的工艺条件下得到了单模尺寸分布的 金字塔和圆顶形量子点.结果表明，通过调节SiGe岛中的Si组分，可以实现对SiGe岛形状和 尺寸的控制. 关键词： 自组织生长SiGe岛 Si组分 临界体积     

非离子型水性环氧乳液的制备工艺及性能研究

采用实验室自制的非离子型高分子乳化剂通过相反转法对环氧树脂E-20进行乳化分散来制备水性环氧乳液,对环氧树脂乳化的工艺条件进行了优化研究,并对不同条件的乳液进行了综合性能的分析。具体工艺条件包括:环氧树脂乳液体系中各物料的比例关系,乳化时体系的温度和搅拌速度。结果表明,乳化剂含量为12.5%,助溶剂含量为11.5%,乳化温度为30℃,搅拌速度为300r/min时,乳液的稳定性及漆膜的综合性能(包括漆膜的力学性能和抗腐蚀性能)佳。     

关于力系等效、主矢和合力概念的讨论1)

力系简化问题是工程力学课程非常重要的一节,深入理解该问题对于后续力学课程的学习和力学知识的正确运用具有很重要的指导作用。然而教科书中对于该部分的讲解不够清晰, 给学生和青年教师带来了较大的困惑。因此,笔者根据自己的教学实践和科研经历,力求通过对相关问题的论述,理清力系简化,主矢和合力等概念,这对于力学教学和科研问题中力学知识的成功运用具有重要作用。     

纯C60/C70的热解吸电子电离质谱研究

用热解析电子电离方法来测C60/C70的质谱获得了较好的结果。纯C60/C70样品是按文献[5]方法制得的。将C60/C70样品直接送入离子源内, 瞬间快速升温, 使C60/C70样品在分解之前就得到充分挥发, 再用70eV的电子轰击C60, C70蒸气, 使之电离得到分析鉴定。实验结果表明, 热解析电子电离方法有快原子轰击(FAB)等方法比拟的优点, 它不仅简单快速, 而且谱图本底峰少, 分子结构信息多。     

UHV/CVD硅锗膜的Raman光谱分析

本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法,方法是非破坏的。并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品,它们都是用UHV／CVD设备生长的,其中两个样品还与X－射线双晶衍射的结果作了比较,两种方法的结果十分一致,这说明本文提出的方法是准确可靠的,这些样品用于制作SiGe/Si异质结PMOSFET,对0．5um 沟长器件,跨导达112ms.mm^-1。     

硫/多孔碳纳米管复合材料的制备及电化学性能

为了解决单质硫导电性差、充放电过程中体积膨胀、中间产物多硫化物的穿梭效应等问题,将硫负载于一种高比表面积的多孔碳纳米管（PCNTs）,制备了S/PCNT复合材料,研究了其电化学性能。相比于S/CNT,S/PCNT的电化学性能有明显提升,这可归因于S/PCNT中的嵌入结构,为硫在充放电过程中的体积膨胀提供了缓冲空间,避免了硫与电解液的直接接触,进而有效限制多硫化物的溶解,从而缓解多硫化物的穿梭效应,使硫正极具有更好的循环稳定性。     

凝视型电荷耦合器件探测器数学模型

首先分析了电荷耦合器件(CCD)的工作特点和电荷的产生、存储、传输及输出的特征,然后,根据光电理论和探测器的工作原理,由电荷耦合器件的探测器面阵列图推导出一种军用电荷耦合器件(CCD)摄像机的探测器面阵调制传递函数,最后得到了一定入射条件下探测器元的输出电子数目,这一结果对从理论上分析这种光电结构的性能具有参考意义.