相对论平均声理论对新核素^259Db及其α衰变链的研究

利用相对论平均场理论系统地探讨了新核素^259Db及其α衰变链的性质和结构以及对关联效应与形变效应的影响。考虑对关联影响后的变形相对论平均场理论成功再现了实验的Q。并揭示了所研究的α衰变链具有较大的形变。在此基础上进一步讨论了新核素^259Db及其α衰变链的形变单粒子能级结构。     

液体可视图象序列中杂质小目标的检测方法

在分析红外图象和视图象差异的基础上，研究了一种适用于可视图像序列的运动小目标检测算法。受目标影响的象素点具有较弱的时间相关性，即相对普通象素点有较大的时间方差，根据此特征，用管道更新的方法产生新方差图象序列，再用管道更新的方法累积，增加信噪比，然后用基于统计均值的自适应门限方法分割出目标，最后将原图象的梯度倒数作为象素点强度的加权，有效地抑制灰度突变边界的传感器噪音，保存目标点。     

提高大气吸收光谱测量分辩率的新方法

在仪器函数和吸收线型已知的情况下，提出了一种非线性拟合退卷积法，用于提高气体吸收测量的光谱分辨率。数值模拟和实际应用都表明：该方法用于室内气体吸收光谱的测量，在保持吸收线型不变的情况下，可以显著地提高测量的光谱分辩率，降低测量噪声。将该方法用于怀特池中模拟大气吸收光谱测量，减小了激光线宽对测量结果的影响，获得了比较理相的结果。     

气流混合对生长GaN：Si膜性能影响的研究

用金必有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了GaN:Si膜。通过对样品的光电及结晶性能的分析，研究了气流混合时间不同对GaN:Si膜性质的影响。结果表明：合理的Ⅲ、Ⅴ族气流混合对提高GaN:Si膜的光电及结晶性能很重要。Ⅲ、Ⅴ族气流混合太早，气流混合时间长，GaN:Si膜的黄带与发射强度之比较大，X射线双晶衍射半高宽；Ⅲ、Ⅴ族气流混合太晚，尽管可减少预反应，但气流混合不均匀，致使GaN:Si膜的发光性能及结晶性能变差。使用Ⅲ、Ⅴ族气流混合适中的反应管B生长、获得了光电及结晶性能良好的CaN:Si单晶膜。     

CCD相机在系统奈奎斯频率处的调制传递函数

调制传递函数是成像系统性能的重要参数，在进行CCD相机调制传递函数测试时，通常采用矩形靶标而非正弦靶标，使调制传递函数的测试值与相机系统实际调制传递函数值存在差异，本文对CCD相机在系统奈奎斯特频率处的调制传递函数测试结果进行了理论分析。     

双面金属包覆介质波层模序数的判别方法

在双面金属包覆介质波导中，随着介质层厚度的变化，会出现TM0模与TM1模的分离和简并两种状态，从而影响衰减全反射（ATR）谱中模序数的确认。通过对金属波层的理论分析和实验研究，提出了三种模序数确认方法：本征角计算法、吸收峰全峰半宽比较法和吸收峰峰间距比较法，实现了两种状态下对模序数的准确判断。     

（Tm,Ho）：YLF晶体激光器的实验研究

报道了一台连续792nmTi:Al2O3激光器纵向抽运的（Tm,Ho):YLF微片激光器。在室温条件下，当抽运功率为680mW时，激光器在2．06μm波长的输出功率达到90mW。激光器阈值为380mW，光光转换效率为13％，斜率效率为26%.     

激光致晶态Ag11In12Te26Sb51相变介质光学常量的研究

研究了结晶度对Ag11In12Te26Sb51相变薄膜光学常数的影响。用初始化仪使相变薄膜晶化，改变晶化参量得到不同的结晶度，当转速固定时，随激光功率的增加，折射率基本随之减小，消光系数先是增大，而后减小；当激光功率固定时，随转速的增大，折射率也随之增大，消光系数也是先增大后减小。非晶态与晶态间的变换、薄膜微结构的变化（包括晶型的转变和原子间键合状态的变化）以及薄膜内残余应力的影响Ag11In12Te26Sb51相变薄膜复数折射率的主要原因。测量了单层膜的透过率和CD－RW相变光盘中Ag11In12Te26Sb51薄膜非晶态和晶态的反射率。     

基片温度和退火对DdIn2O4薄膜光学性质和载流子浓度的影响

对射频反应性溅射Cd-In合金靶制备的透明导电CdIn2O4薄膜，研究了基片温度及沉积后在氩气流中退火对薄膜的透射、反射和吸收光谱，光学常数和载流子浓度的影响。结果表明：提高基片温度减少了薄膜的载流子浓度，退火增加了薄膜的载流子浓度。随着基片温度提高，薄膜折射率n和消光系数κ的短波峰将逐渐蓝移，而退火使其出现红移。基片温度和退火对薄膜光学常数的影响与其对薄膜载流子浓度的影响是一致的。在制备CdIn2O4这样一种对于沉积方法和沉积条件极为敏感的透明导电薄膜的沉积过程中，这一现象对于实时监控具有极为重要的意义。     

相容性线性方程组并行迭代解法

本文给出一种求解相容性线性方程组的并行迭代解法，并证明此方法对任意相容性线方程组收敛，同时还讨论了方法的加速技术。