双基-发散系统-能力——中考数学复习方略

中考数学总复习直接影响学生对数学知识的掌握程度与中考的成败.要想搞好新课程标准下数学的总复习,必须依据<课程标准>和教材的要求,结合近几年考试的动向,进行整体规划,合理布阵,讲究复习方法的科学性,力求高效有序,凸现系统,提高能力.数学总复习一般分三个阶段进行,它们各具特色,本文结合笔者的实践与思考提出如下观点,与同仁探讨.     

反应溅射a-Si:H/a-Ge:H超晶格的热稳定性

通过红外透射谱和X射线衍射谱研究a-si:H/a-Ge:H超晶格的热稳定性,发现当周期厚度较小时,超晶格的晶化温度比体膜a-Ge:H的大,对实验结果作初步讨论。 关键词：     

用紫外光电子能谱研究a-Si_(1-x)C_x:H的价带特性

用UPS技术获得了GD a-Si_(1-x)C_x:H合金薄膜的价带谱,分析了掺杂和表面氧化对价带谱的影响,并结合XPS,AES等电子能谱测试手段,对这种材料的价电子分布和键合特性作了初步的研究。     

N重方势垒结构共振隧道效应研究

本文从理论上研究了N重方势垒结构的共振隧道效应,推导出透射系数及共振隧道条件的解析表达式,结果发现,由于多势垒结构(n≥3)量子阱间的耦合,共振能级不同于量子阱的本征值。此外,由透射系数表示式证实了多势垒结构电子透射谱在共振能级附近为Lorentzian型。所得结果对于分析透射系数随能量的变化关系,估计共振能级以及制造共振隧道器件都具有十分重要的意义。 关键词：     

β—C3C4的制备及若干问题探讨

采用热丝辅助反应溅射和等离子体增强热丝化学气相沉积（ＣＶＤ）的制备方法，获得了含有β－Ｃ３Ｎ４结晶相的ＣＮｘ薄膜，文章将重点介绍制备参数与ＣＮｘ薄膜结构的关系，并进一步讨论与β－Ｃ３Ｎ４结晶相择优菜关的主要问题     

非晶半导体中杂质和缺陷态的电子统计理论

本文应用统计物理的方法,讨论了非晶半导体的掺杂效应,特别是在低温下的特性。在荷电的悬挂键模型下,计算了各种情况下的费密能级和电子浓度。并对两类不同的非晶半导体作了详细的讨论。 关键词：     

材料动态强度直接测量的磁压剪实验技术及应用

提出一种用于直接测量动载荷下材料强度的新方法,即磁驱动压剪联合加载实验技术。从理论和数值计算上分析了压/剪联合作用下材料的应力偏量与屈服强度关系,计算斜波加载下压/剪联合作用时应力偏量与屈服强度的时空演化特性,给出材料强度数值的计算方法。并基于自行研制的强脉冲电流装置和10 T准静态磁场发生器,利用多点双光源外差位移干涉仪(dual laser heterodyne velocimetry, DLHV),开展磁压剪实验对2种铝样品的动态强度进行测量,得到不同加载压力下铝样品的强度。结果表明:磁驱动压/剪联合加载技术为材料的高压强度直接测量提供了一种新途径,是可靠的实验技术。     

Study on stability of hydrogenated amorphous silicon films

Hydrogenated amorphous silicon （a-Si：H） films with high and same order of magnitude photosensitivity （-10^5） but different stability were prepared by using microwave electron cyclotron resonance chemical vapour deposition system under the different deposition conditions. It was proposed that there was no direct correlation between the photosensitivity and the hydrogen content （CH） as well as H-Si bonding configurations, but for the stability, they were the critical factors. The experimental results indicated that higher substrate temperature, hydrogen dilution ratio and lower deposition rate played an important role in improving the microstructure of a-Si：H films. We used hydrogen elimination model to explain our experimental results.     

a-Si:H/a-SiCx:H超晶格的界面特性

报道等离子体化学汽相沉积法制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＣ：Ｈ超晶格的蓝移现象，用小角度Ｘ射线衍射确定超晶格的界面陡度。通过红外测量和常数光电流测量发现，超晶格界面附近存在较高浓度的Ｈ和较多的Ｓｉ－Ｃ键，界面Ｈ的热稳定性较差，界面缺陷态密度为１．２×１０^１１ｃｍ^-2。 关键词：     

例谈一道中考题的若干训练

1原题与求解原题(2011年中考模拟题)在平面直角坐标系xOy中,抛物线y=ax2+bx+c与x轴交于A,B两点(点A在点B的左侧),与y轴交于点C,点A的坐标为(-3,0),若将经过A,C两点的直线y=kx+p沿y轴向下平移3个单位后恰好经过原点,且抛物线的对称轴是直线x= -2.