SrTiO_3单晶的色心与导电类型关系的研究

本文介绍了通过霍耳系数测量确定了半导体SrTiO_3单晶的导电类型。这种SrTiO_3单晶的生长方法与过去文献中所报道过生长方法不同,本实验所用的单晶是从化学配比熔体中,引入定向籽晶缓冷法生长而成的,而不是用Verneuil(火焰法)或助熔剂法。用色心的形成——准F心模型解释实验结果。这一色心是由SrTiO_3单晶生长过程中氧缺位所形成的。还通过XPS谱(x-ray photonelectric spectroscopy)从另一侧面证实了这一准F心缺陷。     

双[N-(R)-α-甲苄基水杨醛亚氨基]铜(Ⅱ)配合物的晶体结构和分子结构

本文报道标题Schiff碱铜(Ⅱ)配合物的制备和晶体结构的测定。该晶体属正交晶系,空间群为P2_12_12_1,晶胞参数为a=0.8844(2),b=1.6286(4),c=1.7751(5)nm,V=2.5568(2)nm~3,Z=4,D_x=1.33g·cm~(-3),F(000)=1068e,μ=9.2cm~(-1)(MoKa)。用Patterson法和Fourier合成法解出结构,经最小二乘法修正,最终偏离因子R值为5.8%。结构分析结果表明,分子中Cu(Ⅱ)呈畸变的四面体配位。两个配位体平面CuN(1)O(1)和CuN(2)O(2)之间夹角为39.3°。两个水杨醛亚氨基N上的α-甲苄基彼此相互垂直并在CuN(1)O(1)N(2)O(2)的近似平面的同一侧,它们又与各自的水杨醛亚氨基平面几乎垂直。     

GaN基异质外延膜中Al组分含量测试方法综述

介绍了目前可用于AlGaN半导体异质外延膜中Al组分含量测定的多种测试技术,包括高分辨X射线衍射技术、光致发光法、紫外-可见光透射光谱法、电子探针法、卢瑟福背散射法等,并对各种测试技术的原理和优缺点进行了概述。     

Optical Conductivity of Anisotropic Quantum Dots in Magnetic Fields

Optical conductivity of anisotropic double-parabolic quantum dots is investigated with the memory-function approach, and the analytic expression for the optical conductivity is derived. With characteristic parameters pertaining to GaAs, the numerical results are presented. It is shown that: (1) the larger the optical phonon frequency wLO, the stronger the peak intensity of the optical conductivity, and the more asymmetric the shape of the optical conductivity; (2) the magnetic field enhances the optical conductivity for levels l=0 and l=1,with or without electron-LO-phonon interactions; (3) the larger the quantum dot thickness lz, the smaller the optical conductivity σ(w).     

双[N-(R)-α-甲苄基水杨醛亚氨基]铜(II)配合物的晶体结构和分子结构

报道标题Schiff碱铜(II)配合物的制备和晶体结构的测定.该晶体属正交晶系,空间群为p2~12~12~1,晶胞参数为α=0.8844(2),b=1.6286(4),c=1.7751(5)nm,V=2.5568(2)nm[3],Z=4,Dx=1.33g.cm[-3],F(000)=1068e,μ=9.2cm[-1](MoKα).用Patterson法和Fourier合成法解出结构,经最小二乘法修正,最终偏离因子R值为5.8%.结构分析结果表明,分子中Cu(II)呈畸变的四面体配位.两个配位平面CuN(1)O(1)禁CuN(2)O(2)之间夹角为39.3度.两个水杨醛亚氨基N上的α-甲苄基彼此相互垂直并在CuN(1)O(1)N(2)O(2)的近似平面的同一侧.它们又与各自的水杨醛亚氨基平面几乎垂直.     

CS2在Ag-S键中的插入反应的研究(PPh3)2 Ag(S2CSBu^t)

白色的[Bu^tSAg]nPPh3溶于CS2中, 析出桔黄色晶体. 经X射线单晶结构分析其结构为(PPh3)2Ag(S2CSBu^t). 发现了一个CS2在Ag-S键中的插入反应. 此反应为可逆反应, 晶体在120-130℃失去CS2. 晶体属三斜晶系, 空间群P1,a=10.571(1), b=13.638(3), c=14.391(3)A, α=88.75(2), β=72.84(1), γ=80.58(1)°, V=1954.9A^3, Dc=1.36g/cm^3, Dm=1.36g/cm^3, Z=2. 3572个衍射点参与修正, R=0.045, Rw=0.043, Ag原子以变形四面体与硫代黄原酸配体Bu^tS-CS2的两个S原子及两个PPh3的P原子配位. 插入反应形成的CS3基团基本上共面, 其C-S键长比CS2中的键长明显加长, 而比单键的C-S键长要短, 并在红外光谱上出现特征吸收峰.     

C*-丛中的Morita等价定理

给定C^*-丛(E，P，G)．首先证明了E上循环*表示由Ea决定；然后证明了：C^*(E)与E0强Morita等价．     

铝掺杂及钨酸锂表面包覆双效提升富锂锰基正极材料的循环稳定性

采用溶胶-凝胶法合成Al掺杂富锂锰基Li_1.2Mn_0.54-xAl_xNi_0.13Co_0.13O₂（x=0、0.03）锂离子电池正极材料,之后采用一步液相法制备Li₂WO₄包覆层,系统地研究了Al掺杂和Li₂WO₄包覆双效改性对富锂锰基正极材料电化学性能的影响.结果表明,Al掺杂后明显提升富锂锰基正极材料的循环稳定性,包覆层Li₂WO₄明显改善其倍率性能和放电平台电压衰减问题.Li₂WO₄包覆量为5% Li_1.2Mn_0.51Al_0.03Ni_0.13Co_0.13O₂正极材料在2.0~4.8 V充放电电压区间及1000 mA·g^-1电流密度下比容量仍高达110 mAh·g^-1左右,同时在100 mA·g^-1的电流密度下循环300次容量保持率为78%,而且循环过程中放电平台电压衰减也明显减缓.该工作为解决锂离子电池富锂锰基正极材料循环稳定性和平台电压衰减提供了新的思路.     

酪氨酸-溴酸钾-硫酸-丙酮在三邻菲啰啉合铁(Ⅱ)催化下的B-Z振荡反应

研究了酪氨酸 溴酸钾 硫酸 丙酮在三邻菲啉合铁 (Ⅱ )催化下的化学振荡反应 ,对振荡的影响因素进行了研究和讨论 .运用正交实验法确立了振荡反应进行的浓度范围 ,得到一个 4 0多次振荡寿命为 6 0min的振荡波 .获得振荡的诱导期和周期与反应物浓度之间的变化趋势曲线 ,以及振荡反应在诱导期和振荡期的表观活化能分别为Ein=4 9.0kJ/mol和E =5 7.0kJ/mol.根据反应过程中的现象和实验数据 ,建立了振荡反应的模型和反应机理 ,确定 [Br-]是振荡反应自发进行的关键因素 .