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31.
研究各种无侵袭电光采样技术,尤其是研究电信号在半导体中的传播技术是有意义的。通常是根据施加电场所引起的寻常光线和非常光线的指数变化来讨论电光效应,这种变化与外加电场成正比。调制电场和光场之间电光晶体中的相互作用产生光场的垂直分量。把电光晶体放在交叉偏振器之间,这种效应可以转换为一种强度调制。  相似文献   
32.
热核破碎中的矩关联和临界现象   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文用蒙特卡罗方法,根据核素表和质量及电荷守恒律,产生热核Au*破碎的各种碎块组态,再对碎块电荷分布作条件矩分析.理论结果很好地再现了电荷分布实验数据中呈现的条件矩间的对数关联;但理论关联行为的导出与临界现象似乎没有联系.  相似文献   
33.
桥牌双人赛的程序编制──拉丁方的应用陆少华(上海交通大学)现行桥牌双人赛,当参加的有2n对,n是偶数时,往往是添一虚无的对,附加一空桌,以完成程序的编制。本文应用组合数学的知识来解决桥牌双人赛程序的编制问题,给出n是奇数时的程序编制和理论依据;对偶数...  相似文献   
34.
用分光计测稜镜玻璃的折射率时,需求出稜镜的最小僻向角。对同学来讲,为什么会出现最小偏向角,往往很难掌握。在实验中,经常发生把一般的偏向角当作最小偏向角来测量等错误,造成实验课的严重超学时现象。学习主席的教育思想以后,我们提出了实验课如何采用启发式教学的问题,并在实验室  相似文献   
35.
采用助熔剂法生长出了掺杂均匀的Er_xY_(1-X)Al_3(BO_3)_4厘米级优质单晶.测定了晶体的吸收、激发光谱.用Judd_Ofelt理论计算了晶体中Er~(3+)的十一条谱带的振子强度(ρ_(ad)和ρ_(md)以及Er~(3+)的强度参数Q_λ(λ-2、4、6).并由此计算了Er~(3+)不同能级之间跃迁的爱因斯坦自发辐射系数A_r、辐射寿命r、荧光分支比β_3以及积分发射截面Σ.根据这些参数讨论了在EYAB晶体中可能实现激光输出的通道.  相似文献   
36.
本文报道用激光共振电离法获得一个新的钡准分子结构.在染料激光波长扫描范围内观察到钡原子双光子共振跃迁、双光子混合跃迁和钡准分子谱带.我们提出一种用热离子二极管信号特性分析原子和分子里德伯态的离化机制的方法,并以此对钡原子和钡分子的离化通道进行讨论.  相似文献   
37.
The ternary topological insulators Bi2Se3-xTex have attracted a great deal of attention due to their exotic physical and chemical properties.While most of the studies focus on the properties of these ternary TIs,limited research was performed to investigate the dynamic atomic stack of its crystal structure.We prepared highquality Bi2Se3-xTex thin films on Ga As(111)B substrates using molecular beam epitaxy,characterized with Raman...  相似文献   
38.
窄禁带直接带隙半导体材料碲镉汞(Hg1–xCdxTe)是一种在红外探测与自旋轨道耦合效应基础研究方面都具有重要应用意义的材料.本文对单晶生长的体材料Hg0.851Cd0.149Te进行阳极氧化以形成表面反型层,将样品粘贴在压电陶瓷上减薄后进行磁输运测试,在压电陶瓷未加电压时观察到了明显的SdH振荡效应.对填充因子与磁场倒数进行线性拟合,获得样品反型层二维电子气的载流子浓度为ns=1.25×10^16m^-2.在不同磁场下,利用压电陶瓷对样品进行应力调控,观测到具有不同特征的现象,分析应是样品中存在二维电子气与体材料两个导电通道.零磁场下体材料主导的电阻的变化应来源于应力导致的带隙的改变;而高场下产生类振荡现象的原因应为应力导致的二维电子气能级的分裂.  相似文献   
39.
建立了正丁醇萃取稀盐酸溶解原子荧光光谱法间接测定中草药中钼的方法。基于As(Ⅴ)和钼酸铵在浓度为0.3 mol·L-1硫酸介质中能形成砷钼杂多酸,且该杂多酸可以被有机试剂萃取,萃取后蒸干有机试剂,残渣用稀盐酸加以溶解,原子荧光光谱法间接测定钼的含量。在优化的实验条件下,钼的含量在0~15 μg·L-1范围内呈良好的线性关系。方法的检出限是0.44 μg·L-1, 相对标准偏差1.1%。据此对中草药样品进行分析,平均加标回收率介于95.6%~101.3%之间。  相似文献   
40.
探测器采用浸没透镜结构的单元光伏芯片,工作波段为2.5~3.2μm。采用储能焊TO9管壳封装,将二级热电致冷器、热敏电阻、透镜结构的HgCdTe红外探测器封装为一红外探测器组件,组件可在室温至-50℃下工作,经过老炼、力学和热学环境适应性试验后,结果表明,HgCdTe红外探测器的零偏电阻(R_0)变化率、探测器峰值电流响应率(R_(λ_p,I))变化率和热电致冷器(TEC)的交流阻抗(R)的变化率均小于5%,探测器暗电流I_d@-0.1V≤9×10^(-7)A,探测器的漏率优于1×10^(-7)Torr·l/s,组件的密封性达到了航天要求。  相似文献   
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