CuO面外Sm掺杂对电子型超导体的影响北大核心CSCD

研究了Nd1.85-x Smx Ce0.15CuO4单晶的热电势S、霍耳系数RH和电阻率.在CuO2平面以外的阳离子格点引入无序,其程度是通过改变Sm含量来控制的.霍耳系数RH的测量证明这种名义掺杂没有改变载流子的密度.热电势S(T)在120K以上可用掺杂的半经验模型来分析,表明有电子的窄能带和宽能带的共存.在这个模型中,无论是态密度的带宽和有效电导率的展宽都随着x的增加而增加,而局域化的趋势随Sm掺杂增加而几乎不变.Sm掺杂对超导转变温度TC的抑制作用很小,这意味着超导TC可能与载流子局域化和巡游电子的能带结构有关.     

Bi—2212相欠掺杂区域的反常输运性质研究

测量了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＹｘＣｕ２Ｏ８单晶样品ａｂ平面内电阻率ρａｂ和多晶样品电阻率ρ．热电势Ｓ随温度Ｔ的变化关系（单晶：ｘ的范围从０到０．１５；多晶：ｘ的范围从０到０．４）．在单晶和多晶样品中，都系统地观察到类似于ＹＢａ２Ｃｕ４Ｏ８，ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｙ体系中由于自旋能隙出现而引起的输运性质反常现象．详细地讨论了上述实验结果，并与角分辨率光电子能谱实验（ＡＲＰＥＳ），电子拉曼实验结果进行比较，得出Ｂｉ２２１２相欠掺杂区域的电子相图．     

Electrical Properties and Raman Spectra of BaBi1-xPbxO3

Crystal structure, electrical properties and Raman spectra of BaBi1-xPbxO3 are reported. The result of x-ray diffraction shows that the specimen is pure, and the lattice parameters decrease continuously in the semiconducting range, whereas it vibrates similarly to a sine wave in the superconducting range, which is ascribed to the existence of oxygen vacancies and the function of breathing modes of Bi（Pb）O6. The temperature dependence of resistivity indicates that the electrical property of the samples is connected sensitively with the crystal structures. Raman spectra show that the specimen becomes disorder when x increases, and the critical temperature To depends not only on the deformation potential of the soft A19 mode derived from the Bi（Pb）O6 rigid rotation, but also on the energy shift of the mode.     

Nd2-xSrxCoO4（x=1．25，1．33，1．60）体系的物理性质研究

用固相反应法制备了Nd2-xSrxCoO4（x=1．25，1．33，1．60）多晶．X射线衍射结果表明样品没有杂项，且都是四方层状K2NiF4结构．电阻率结果表明这组样品在测量温区都是半导体行为．对于x=1．25和1．33的样品，热电势为正值；而对于x=1．60的样品，热电势在60K发生了由正到负的转变．所有样品在80K左右零场冷却磁化率有个缓变的最大值，在180K左右场冷和零场冷磁化率发生劈裂，表明在低温下样品存在类自旋玻璃态．我们同时测量了x=1．25样品在110K到300K温区的电子自旋共振谱，发现在居里温度左右存在顺磁相和铁磁相激烈竞争，强烈的轨道-自旋耦合导致了短自旋-晶格驰豫时间使谱线宽化．     

磁场下MgB2的电导涨落效应

测量了磁场下MgB2的电阻与温度的依赖关系,测量结果表明,磁场下MgB2的临界涨落电导Δσ（H）符合由Ullah和Dorsey提出的关于临界涨落的三维标度方程,MgB2中较显著的临界涨落效应起源于其较高的超导转变温度和层状结构,由临界涨落电导符合三维的标度方程而不是二维,可推知MgB2中存在较强的层间耦合。     

Pr1-xSr1＋xCoO4的结构和输运性质

通过X射线衍射,拉曼散射和红外光谱,研究了多晶Pr1-xSr1 x CoO4不同掺杂(x=0～0.5)的晶体结构.随着锶掺杂量的增加,拉曼散射谱的变化规律归因于沿c轴方向电声相互作用的增强.而红外强度随频率的相反变化来自ab面内电声相互作用的减弱.电阻率及热电势随掺杂量的增加发生了显著的变化,这是由于载流子浓度的增加.对于Pr1-xSr1 x CoO4样品,拉曼散射,红外吸收谱及电阻表现出特殊的性质.     

Nd2-xSrxNiO4多晶输运性质的研究

研究了Nd2-xSrxNiO4多晶的输运性质.0< x0.5样品低温下的电阻率很好地满足变程跳跃公式,0.8x1.1样品在室温以上呈现金属性行为,随着温度降低出现金属-绝缘体转变,x=1.4样品的金属性从室温开始一直保持到14K. 用变程跳跃机制很好地解释了x=0.33样品的热电势-温度关系曲线.     

新型超导体MgCNi3的输运性质研究

测量了新型超导体MgCNi3(Tc=8K)的电阻率、正常态Hall效应和热电势等输运性质.电阻率温度曲线表明,在高于70K的温区可以用电声子散射的BlochGr櫣ｎｅｉｓｅｎ公式拟合.Hall系数RH和热电势S在Tc以上的整个温度范围都为负值,强烈表明MgCNi3的载流子类型为电子型.RH在从Tc到140K的温区内基本不随温度变化,但在140K到室温范围,RH随温度升高其绝对值减小,对RH的这种温度依赖关系进行了讨论.S在150K以上近似与温度成线性关系,而在150K以下显示非线性,用电声子相互作用的重整 关键词： 电阻率 热电势 Hall效应     

La2-xSrxCuO4单晶膜的热电势与电阻率

测量了高质量的单晶膜La2-xSrxCuO4(x=010,020,025)的电阻率和热电势.La19Sr01CuO4电阻率呈现S型行为,表明存在一个赝能隙,在赝能隙态可以用公式ρ=ρ0+βexp(-ΔT)很好地拟合.热电势的测量表明,在超导转变前样品的残余热电势值非常小,这是膜的高质量引起的,三个样品在200K以上都出现一个宽峰,对其进行了一些理论模型分析,并与电子型超导体热电势结果作了比较. 关键词： 薄膜 输运性质 热电势     

Nd_(1.67)Sr_(0.33)NiO_4中的热导反常

报道了两个典型掺杂的镍氧化物Nd2 -xSrxNiO4 (x=0 33,1 35 )的低温热导率、电阻率和低场交流磁化率 ,测试温区为 77— 30 0K .在Nd2 -xSrxNiO4 (x=0 33)样品的热导率_温度曲线上在电荷有序转变温度 (TCO)和自旋有序转变温度 (TSO)附近分别观测到反常 ,电荷有序使热导率在TCO 以下有所增加 ,反铁磁自旋有序使热导率在TSO 附近被压制 .在低场交流磁化率_温度曲线上也分别观测到对电荷有序和自旋有序的响应 ,而在其电阻率_温度曲线上仅观测到电荷有序 .作为比较 ,Nd0 6 5Sr1 35NiO4 样品中没有观测到输运性质和磁性质上的反常 .两个样品中声子热导占主导地位 .Nd1 6 7Sr0 33NiO4 样品中电荷有序和自旋有序导致的热导率的反常表明样品中存在强的电荷_声子和自旋_声子相互作用