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41.
联苯桥联的PPV齐聚物基态构型、电子能级和吸收光谱的理论研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用密度泛函方法对联苯桥联的PPV齐聚物(TSB)的反式结构进行全优化,得到基态分子的最优几何构型和电子能级,并用ZINDO和TD-DFT方法分别计算其吸收光谱,分析了不同类型的端位取代基团对前线分子轨道能量和能隙的影响. 结果表明,联苯桥联后的PPV齐聚物在结构上形成了链间交叉链内扭曲的构象,这种交叉扭曲的构象降低了分子的对称性,减弱了共轭分子在固体中的π-π堆积作用,这可能是减少荧光猝灭效应,提高固体发光器件效率的重要原因. 相似文献
42.
聚合物半导体电致发光显示器件 总被引:19,自引:5,他引:14
列举了聚合物半导体发光显示器件(PLED)近年来取得的主要突破性成果.简要介绍了PLED的工作原理,阐述了影响PLED量子效率的因素.以最近常用的多层PLED为重点,介绍了载流子传输聚合物的设计、合成及其在PLED中的作用.最后,对PLED的主要用途、目前存在的问题及今后的发展前景进行了评述. 相似文献
43.
产生蓝色相干辐射和实现Nd:YAG 1.0642μm倍频90°非临界相位匹配的Nb:KTiPO4 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报道了用熔盐顶部籽晶法生长Nb浓度(0~13)mol%的Nb:KTP晶体的倍频的Ⅱ型相位匹配的截止波长和Nd:YAG1.0642μm及Nd:YA1O31.0795μm激光在这些晶体中倍频的最佳相位匹配角的测量结果.从中可看出,由于Nb5+的引入使KTP晶体倍频的Ⅱ相位匹配的截止波长有效蓝移,目前已使截止波长蓝移至937nm且有效产生468.5nm的倍频蓝光.同时Nb5+的引入使Nd:YAG1.0642μm激光和Nd:YA1O3倍频的最佳相位匹配方向产生很大的变化,目前已使Nb:KTP晶体倍频的最佳相位匹配方向为θ=88.32°、Φ=0°,非常接近于90°非临界相位匹配方向. 相似文献
44.
产生蓝色相干辐射和实现Nd:YAG 1.0642μm倍频90°非临界相位匹配的Nb:KTiPO4 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报道了用熔盐顶部籽晶法生长Nb浓度(0~13)mol%的Nb:KTP晶体的倍频的Ⅱ型相位匹配的截止波长和Nd:YAG 1.0642μm及Nd:YA1O3 1.0795μm激光在这些晶体中倍频的最佳相位匹配角的测量结果.从中可看出,由于Nb5+的引入使KTP晶体倍频的Ⅱ相位匹配的截止波长有效蓝移,目前已使截止波长蓝移至937nm且有效产生468.5nm的倍频蓝光.同时Nb5+的引入使Nd:YAG 1.0642μm激光和Nd:YA1O3倍频的最佳相位匹配方向产生很大的变化,目前已使Nb:KTP晶体倍频的最佳相位匹配方向为θ=88.32°、Φ=0°,非常接近于90°非临界相位匹配方向. 相似文献
45.
本文采用原子转移自由基聚合法(ATRP), 设计合成了具有双温度响应性质的新型糖聚合物, 并对其在水溶液中的胶束化行为进行了动态光散射研究. 结果表明, 该系列糖聚合物具有双温度响应区间, 并且在水中形成表面呈正电性的胶束, 因此可望将其作为带负电的生物大分子(如单链DNA等)的新型载体. 相似文献
46.
47.
菲并咪唑作为一类新型的蓝色荧光材料的构筑基元, 其以合适的禁带宽度、 较高的发光效率、 优异的光热稳定性和相对平衡的载流子注入和传输能力, 引起广泛关注. 发展性能优良的蓝光材料对有机电致发光器件的进一步应用十分重要. 本文综述了近年来基于菲并咪唑基团的蓝色电致发光材料的研究进展, 系统地介绍了菲并咪唑基团的结构特征以及各类衍生物的器件性能, 展望了这类化合物在电致发光领域的应用前景. 相似文献
48.
铜配合物的光物理与电致发光性能 总被引:1,自引:1,他引:0
以中心原子为铜的磷光材料Cu4(C≡Cph)4L2[L=1,8-bis(diphenylphosphino)-3,6-dioxaoctane](简称Cu4)作为掺杂材料,选用空穴传输材料聚乙烯基咔唑(PVK)为母体材料,制作结构为ITO/Cu4PVK/TAZ/Mg:Ag/Ag的双层器件。其发光颜色随掺杂的变化而改变,在较高掺杂浓度的条件下,可观察到单纯Cu4的发光,即实现了单重态到三重态的能量转移。着重讨论了主客体材料间的能量转移过程,并研究了影响器件效率的外界因素如氧气的猝灭对Cu4发光强度的影响。 相似文献
49.
50.
在有机电致发光器件研究中,电子传输材料占有特殊重要的地位。但现存的材料存在着不同的缺点。因噁二唑环的高的电子亲和性,噁二唑衍生物是常见的电子传输材料,如:2-(4- 叔丁苯基)-5-联苯基噁二唑(PBD),但容易结晶和低的电子亲和性限制了它的应用。为了得到新的有效的电子传输材料,本文以噻吩为起始反应物经过二碘代、羧酸化、酯化、氨解等步骤合成了噻吩二酰肼,再通过噻吩二酰肼与相应的取代苯甲酰氯缩合、关环的方法将富电子的噻吩环和高电子亲和性的噻吩环同时引入,合成了三种新的含噻吩环噁二唑衍生物2,5-双[2,2’-双(5-取代苯基)-1,3,4-噁二唑]噻吩(R-OXD R=H,OCH_3,CH_3)。同时,采用循环伏安法对其电化学性能进行了测定。这三种化合物都在负方向出现了-对可逆的氧化还原峰,由此得到其电子亲和势(EA)分别为-3.10eV,-3.07eV和-3.08eV,其EA值都高于常用的电子传输材料PBD。R-OXD的高电子亲和势有利于电子从阴极注入。并且由时间渡越法(TOF)测得R-OXD的电子迁移率达到10~(-4)cm~2/V.S(E=10~6V/cm)。所以R-OXD有可能是好的电子传输材料。 相似文献