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161.
针对电子侦察中PSK信号的载频估计问题,提出一种低信噪比下载频估计新方法。该方法将PSK信号划分为等长度的交叠区间,提取各个区间内信号频谱的聚集性测度作为特征参数,然后将此特征参数导入网格密度聚类算法,以聚类结果作为载频估计特征类,最后将特征类对应的频谱叠加后提取峰值得出信号载频估计值。该方法避免了传统PSK信号载频估计的非线性运算,显著降低了PSK信号载频估计的信噪比门限,且无需先验知识,适合于电子侦察场合。仿真实验结果证实了该方法在低信噪比下PSK信号载频估计的有效性。 相似文献
162.
聚集诱导发光分子的光电功能与器件应用 总被引:1,自引:0,他引:1
光电功能分子通常以薄膜和聚集体的形式显示功能, 聚集诱导发光(AIE)分子体系的发现为解决固态下聚集诱导荧光猝灭(ACQ)难题提供了新的思路. 本文总结了近年来本课题组发展的一系列AIE 分子, 侧重介绍这些AIE 分子的光电功能与器件应用, 特别是在有机电致发光器件和有机激光方面的应用. AIE 材料显示非常高的电致发光效率, 在显示与白光器件方面潜力巨大. 在发展电泵有机激光方面, AIE 材料特点突出, 是最有前景的一类材料. 相似文献
163.
为了对存在于石英玻璃中的非桥氧空穴缺陷的特性进行研究,采用高频等离子体法对掺Yb3+石英玻璃进行了制备。首先介绍了玻璃样品的制备过程,然后对所制备的掺Yb3+石英玻璃样品的吸收特性、发射特性以及傅里叶变换红外吸收光谱进行了分析。结果表明,所制备的玻璃样品具有Yb3+离子典型的吸收特性。位于260 nm波长的吸收峰以及200 nm激发波长下产生的位于630 nm波长的发射峰都表明所制备的玻璃样品中存在非桥氧空穴缺陷。并且不同激发波长所产生的发射峰以及红外吸收光谱都说明玻璃样品中的非桥氧空穴缺陷是由≡Si-O↑和≡Si-O↑…H-O-Si≡两类空穴中心构成,Yb3+离子对合作发光与非桥氧空穴缺陷间存在能量转移过程。 相似文献
164.
Nb:KTiOPO4晶体的生长和倍频性能 总被引:3,自引:0,他引:3
通过研究晶体生长工艺参数对Nb∶KTiOPO4(Nb∶KTP)晶体生长的影响,用熔盐顶部籽晶法获得尺寸为55mm×25mm×5mm的Nb∶KTP透明单晶.研究中发现熔体的温度梯度、籽晶和降温速率将严重影响Nb∶KTP晶体的生长.Nb离子的引入不利于Nb∶KTP晶体的生长,尤其是造成晶体易开裂,且沿a轴方向生长速度非常缓慢.同时,Nb的引入大大改变Nb∶KTP晶体的倍频性能.掺杂Nb浓度的摩尔分数为13%时,Nb∶KTP晶体的倍频的Ⅱ型相位匹配的截止波长缩短至937nm,且有效产生469nm倍频蓝光;掺杂Nb浓度的摩尔分数为3%时,Nb∶KTP晶体对Nd∶YAG的1.0642μm激光倍频的最佳相位匹配角为θ=88.32°,()=0°,非常接近90°非临界相位匹配方向. 相似文献
165.
166.
<正>阳光是自然界能源的起点,光的认知与利用是人类文明进步的标志。光能量分布(光谱)、光子的波粒二相性的发现是现代物理学的基础。火的利用是远古人类第一个可控的光源,“是人类第一次支配了一种自然力,将人与动物分开”。19世纪末,电光源(电灯)的发明变革了人类延续百万年的以火为基础的照明方式,人类进入了全新的时代。 相似文献
167.
有机发光二极管(Organic light-emitting diodes,OLEDs)经过30余年的发展,在显示和照明领域已经进入了大规模应用的阶段。有机红光及绿光OLEDs基本上已能够达到商业应用的标准,但是蓝光OLEDs仍然存在亮度低、高亮度下寿命短的问题,因而商业上对兼具高激子利用率及高稳定性的蓝光材料和器件的需求显得尤为迫切。为了解决这一问题,国内和国际上相继提出了基于重金属配位的磷光配合物、三线态-三线态湮灭、热活化延迟荧光、“热激子”等材料结构的设计策略,期望在获得高发光量子效率和激子利用率的同时,尽量减小器件的效率滚降,获得具有高稳定性、长寿命的蓝光OLEDs器件。本文总结了不同类型蓝光OLEDs材料的研究进展,并对未来蓝光材料的发展趋势进行了展望。 相似文献
168.
蓝光OLED材料是电致发光领域的关键和难点。基于高能激发态转换的“热激子”材料表现出优异蓝光材料的潜能。本文通过调节给受体的推拉电子能力,以蒽为核心构筑单元、三苯基苯为弱给体、苯氰基为受体,设计合成了一种新型D-π-A结构分子TACN。扭曲的三苯基苯提供了高度扭曲的分子构象,有效减弱了聚集态下的猝灭效应,因此TACN表现出高的荧光量子产率(聚集态下47%)。实验结果和理论分析表明,TACN具备“热激子”特征,其大的T_(2)-T_(1)能隙(1.45 eV)有效阻碍了从T_(2)到T_(1)的内转换(IC)过程,而小的T_(2)-S_(1)能差(0.18 eV,T_(2)>S_(1))有利于促进反向系间窜越(RISC)过程。基于TACN的非掺杂器件表现出深蓝色发射(λmax=444 nm),半峰宽(FWHM)为59 nm,色坐标为(0.17,0.13)。其最大外量子效率(EQEmax)为8.3%,相应的激子利用率(EUE)最高为88.7%。 相似文献