用加速量热仪研究KClO3/CuO/S/Mg-Al/C6Cl6的热分解

The thermal decompositions of two systems(NO.1,KClO₃(52.2%)/CuO(26.0%)/S(9.6%)/Mg-Al(3.5%)/C₆Cl₆(4.35%)) and NO.2,(KClO₃(52.2%)/CuO(26.0%)/S(9.6%)/Mg-Al(3.5%)/C₆Cl₆(4.35%)) are studied using Accelerating Rate Caorimeter (ARC).Temperature vs time curve and pressure vs time curve of reactions are shown in Fig.1 and Fig.2 respectively.The basic data including reaction time(1.3 and 7.3 min respectively),initial temperature (159 and 150℃ respectively),temperature at the maximum rate(272 and 272℃ respectively),the maximum pressure (420 and 190kPa respectively) and the activation energies(175.6 and 135.2 kJ mol-1 respectively) of the thermal decomposition are given to evaluate the safety of the two systems.Results indicate that system NO.2 is safer than NO.1.Compared with the traditional methods,ARC technique can be used to measure temperature and pressure of exothermic reaction concurrently,to find the tiny exothermicity and to determine the initial temperature of exothermic reaction.     

GdCOB晶体的坩埚下降法生长

本文报道了非线性光学晶体Ca4GdO(BO3)3(GdCOB)的垂直Bridgman法生长.已获得直径25mm的高质量单晶.生长界面处的纵向温度梯度维持在30～40℃/cm,生长速度0.2～0.8mm/h.GdCOB晶体为二维成核的层状生长机制,易出现(111)及(20)解理面.讨论了影响生长的因素.保证原料配比准确和混料充分,减小温度波动和测温误差等是成功生长GdCOB晶体的重要因素.     

K3C60单晶膜的同步辐射光电子谱研究

在C₆₀单晶(111)解理面上制备出厚度约30 nm的K₃C₆₀单晶膜.利用同步辐射光源,在低温下(约150K)测量了样品法向发射的角分辨光电子谱.观察到K₃C₆₀导带和价带明显的色散.导带的光电子谱峰可清晰分辨出4个子峰,这些子峰的最大色散超过0.5eV,并且色散曲线与K₃C₆₀的一维无序晶体结构模型下的能带理论基本吻合,只是子带间隔差异较大.     

具有雷达波隐身功能的红外窗口的研制

介绍了一种既高效透过红外光,同时又能有效屏蔽电磁干扰的金属网栅薄膜的基本原理和制备工艺.分析了网栅参数对其光学及电磁性能的影响,推导了金属网栅结构参数对雷达波屏蔽效率和透红外关系式.理论研究表明,金属网栅的周期选择在200～400μm之间,线宽不大于10μm,是较为理想的网栅参数.通过使用光刻和镀膜技术,在红外基片上制作线条宽度小于10μm,周期约350μm的金属网栅.     

掺杂纳米硅薄膜中电子自旋共振研究

研究了掺杂纳米硅薄膜(nc∶Si∶H)中的电子自旋共振(ESR)及与之相关的缺陷态.样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成,为两相结构,即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中.对掺磷的nc-Si∶H样品,测量出其ESR信号的g值为1.9990—1.9991,线宽ΔH_pp为(40—42)×10^-4T,ESR密度Nss为10¹⁷cm^-3数量级.对掺硼的nc-Si∶H样品,其ESR信号的g值为2.0076—2.0078,ΔH_{关键词： 纳米硅薄膜 微结构 电子自旋共振}     

基于激光掩星吸收光谱的二氧化碳探测技术

本文分析了固定波长激光掩星差分吸收技术的优点和不足,介绍了可调谐激光直接吸收光谱技术测量原理.分析了最优波长透过率与信噪比的关系以及测量误差与背景光干扰的关系.根据高灵敏度探测器的工作波长范围,选择了6310.915 cm?1、6310.893 cm?1、6310.890 cm?1、6310.8834 cm?1作为吸收...     

Exact Equivalence between Quantum Adiabatic Algorithm and Quantum Circuit Algorithm

We present a rigorous proof that quantum circuit algorithm can be transformed into quantum adiabatic algorithm with the exact same time complexity. This means that from a quantum circuit algorithm of L gates we can construct a quantum adiabatic algorithm with time complexity of O(L). Additionally, our construction shows that one may exponentially speed up some quantum adiabatic algorithms by properly choosing an evolution path.     

R600a喷雾冷却系统换热过程

以R600a压力式封闭系统喷雾冷却过程为研究对象,对其换热过程进行分析。对液滴撞击热面后的状态进行建模,分析了其运动状态。通过忽略液膜的对流换热,引入韦伯数来简化并修正雾滴与热源表面的对流换热系数关联式;借鉴二次成核理论,通过单位时间内,单位面积上覆盖的雾滴数量对核态沸腾换热系数关联式修正。通过上述分析,以对流换热和核态沸腾换热两种机理为中心,建立了新的换热系数关联式。通过与其他文献的关联式、实验测量值进行比较、不同工质进行比较、不同实验系统比较,发现该式预测值和实验测量值偏差在±20%以内,能够很好地预测压力式封闭系统喷雾冷却过程的换热系数。     

(n)nc-Si：H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究

采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺,以高H₂稀释的SiH₄作为反应气体源和PH₃作为磷原子的掺杂剂,在p型(100)单晶硅((p)c-Si)衬底上, 成功地生长了施主掺杂型纳米硅膜((n)nc-Si:H),进而制备了(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结,并在230—420Ｋ温度范围内实验研究了该异质结的Ｉ-Ｖ特性.结果表明,(n)nc-Si:H/(p)c- Si异质结为一典型的突变异质结构,具有良好的温度稳定性和整流特性.正向偏压下 关键词： (n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结 能带模型 电流输运机构 温度特性