关于不定方程 x~(1/n)+y~(1/n)=z~(1/n) 的广义整数解及一类 Kummer 扩域的次数

<正> §1.引言在[1]中我们给出了方程x~(1/n)+y~(1/n)=z~(1/n) (1)的全部正整数解.设 Z 为整数环,Z~+为所有正整数集合,Z~*=Z\{0}.设 a∈Z~+,我们规定 a~(1/n)表示 a 的算术根.在[1]中我们说正整数组(a,b,c)是方程(1)的解是指     

Tetragonal Distortion of GaN Epilayer with Multiple Buffer Layers on Si （111） Studied by RBS/Channelling and HRXRD

Rutherford backscattering （RBS）/channelling and high resolution x-ray diffraction （HRXRD） have been used to characterize the tetragonal distortion of a GaN epilayer with four Alx Ga1-xN and single AIN buffer layers grown on a Si （111） substrate by metal-organic vapour phase epitaxy （MOVPE）. The results show that a 1000nm GaN epilayer with a perfect crystal quality （Xmin = 1.54%） can be grown on the Si （111） substrate in virtue of multiple buffer layers. Using the RBS/channelling angular scan around an off-normal （1213） axis in the （1010） plane and the conventional HRXRD θ - 20 scans normal to GaN （0002） and （1122） planes at the 0° and 180° azimuth angles, the tetragonal distortion eT, which is caused by the elastic strain in the epilayer and different buffer layers, can be obtained respectively. The two experiments are testified at one result, the tetragonal distortion of GaN epilayer is nearly to a fully relaxed （eT = 0）.     

溶液、熔体中负离子配位多面体生长基元的分布与缔合

根据对晶体生长溶液、熔体拉曼光谱的测试结果,剖析了溶液和熔体中负离子配位多面体的分布及其缔合过程,总结出了不同过饱和溶液和不同过冷度熔体中负离子配位多面体生长基元的缔合形式和维度的规律.在靠近晶体的边界层处已出现与晶体结构相同或相似的大维度生长基元.实验表明,生长基元的分布和缔合与溶液过饱和度和熔体过冷度密切相关,从而提出用拉曼光谱进行实时监控,寻找最佳生长物化条件,优化晶体生长边界层的厚度和大维度生长基元的数量,为选择最佳工艺条件提出理论依据.     

碘化四-(4-三甲胺苯基)卟啉钴配合物的合成和性质研究

合成了一种新的水溶性碘化四-(4-三甲胺苯基)卟啉钴(CoTAPP·I·6H₂O)的配合物,进行了元素分析和差热,热重分析、测定了它的可见、紫外光谱、红外光谱、激光拉曼光谱和ESR谱,并对合成条件和性质进行了一些探讨。     

快速检测中药材中黄曲霉毒素B1的电化学生物传感器

结合新型纳米传感膜材料,以黄曲霉毒素Bl(AFBl)单克隆抗体为生物识别元件,通过考察AFB1与抗体之间的相互作用对测试底液中[Fe(CN)6]3-/[Fe(CN)6]4-([Fe(CN)6]3-/4-)氧化还原体系的影响,构建了一种可用于中药材中AFB1快速检测的电化学生物传感器.在最佳条件下,对AFB1浓度的线性响...     

铽-钆-钛铁试剂体系荧光光度法测定铽

研究了铽－钆－钛铁试剂协同发光体系的荧光光谱特性,确定了各种试验条件对体系荧光强度的影响,由于钆对铽－钛铁试剂荧光体系有协同发光效应,在铽－钛铁试剂荧光体系中引入适量的钆可使体系的荧光强度提高３０倍,体系的荧光强度与铽的浓度在２．０×１０＾－９－－６．０×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系,检测限达５．０×１０＾－１１ｍｏｌ／Ｌ。采用标准加入法测定混合稀土样品中痕量的铽,测定满意结果。     

Pt纳米晶上CO电吸附及电氧化的表面增强红外吸收光谱研究

为理解Pt 纳米晶(NCs)表面上吸附与反应的结构效应, 本文利用电化学衰减全反射-表面增强红外吸收光谱(ATR-SEIRAS)初步研究了{100}优先取向的Pt 纳米晶表面CO电吸附和电氧化. 合成并清洗过的Pt 纳米晶在硫酸溶液中的循环伏安图出现了四对氧化还原峰, 其中位于0.26和0.36 V的峰分别对应于短程有序和长程有序Pt{100}上的氢吸脱附. 利用Bi、Ge 不可逆吸附法估算出Pt{100}和Pt{111}纳米晶筹分别占34% 和17%. 在原位红外光谱研究中, 首次分辨出线性吸附的CO (CO_L)物种在Pt 纳米晶的三个基础小晶面上的振动谱峰. 动电位光谱分析结果表明Pt{110}上吸附的CO_L优先电氧化, 其次{111}上的CO_L发生氧化, 而Pt{100}上CO_L氧化过电位最高.     

负离子配位多面体生长基元与晶体表面结构(Ⅰ)水晶(SiO2),闪锌矿(ZnS),碘化镉(CdI2)

本文用负离子配位多面体生长基元理论模型研究了水晶(SiO2)、闪锌矿(ZnS)和碘化镉(CdI2)晶体表面结构的形成,指出晶体的表面结构是负离子配位多面体在晶体表面的迭合轨迹,把晶体的表面结构与内部结构由表及里的有机联系起来.     

晶体中正负离子半径比(R+/R-)与晶胞和结晶形态

本文研究了AB型晶体中正负离子半径比(R+/R-)与晶胞和单形的显露以及硅酸盐系列晶体中的络阴离子结晶方位和对称分布与晶体的形貌的密切相关性,从中找出与结晶形态的相关性.提出晶胞界线是以负离子配位多面体的面、棱和角为界面而划分的;晶体中负离子配位多面体的对称性与晶体形态的对称性是对应一致的.由此进一步阐明了组成晶体结晶形态的结构基元是负离子配位多面体.     

水热条件下ZnS晶体的极性生长机制与双晶的形成

本文从结晶化学角度出发,研究了ZnS晶体的极性生长的习性机理和双晶的形成,认为闪锌矿硫化锌晶体的结晶形貌主要是由正极面{111}和负极面{()}的显露程度不同所决定的,而正、负极面的显露与否与溶液的碱度密切相关.溶液碱度增加,正极面生长速率逐渐减慢,与负极面生长速率差异减小,晶粒形貌由四面体形变为以正、负极面同时显露的六四面体形和四角锥体,这主要是由于溶液中OH-在正极面上的吸附并影响了正极面生长的缘故;ZnS双晶的形成是由于溶液中存在正离子配位多面体[S-Zn4]6+和负离子配位多面体[Zn-S4]6-两种生长基元并相互结合构成双晶核所致,溶液中正、负配位四面体生长基元的多少与Zn2+、S2-的含量有关.由此合理地解释了晶体的极性生长和双晶的形成机制.