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141.
为了了解Pb-Mg-Al合金腐蚀的物理本质, 本文采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了Pb-Mg-Al合金中各物相的结合能、费米能级和局域态密度等电子结构参数, 分析了合金的电化学腐蚀机理. 计算结果表明:Pb-Mg-Al合金中各主要组成物相稳定性大小关系为 Mg17Al12>Mg2Pb>Mg;Mg,Mg2Pb和Mg17Al12的费米能级存在Ef(Mg)>Ef(Mg2Pb)>Ef(Mg17Al12)的关系, 说明Mg最容易失去电子, Mg2Pb次之, Mg17Al12最难;局域态密度表明, 在同样的外界条件下, 体系中Mg相和Mg2Pb相对于Mg17Al12均处于不稳定的状态, 容易失去电子, 即容易发生腐蚀. Pb-Mg-Al合金体系中不同物相的费米能级差构成了电化学腐蚀的电动势, 导致电子从费米能级高的Mg相和Mg2Pb相流向费米能级低的Mg17Al12相, 使Pb-Mg-Al合金发生腐蚀. 相似文献
142.
143.
柔性有机场效应晶体管具有可折叠、质量轻、低成本等优点,在柔性显示、柔性传感器、柔性射频标签和柔性集成电路等方面显示了广阔的应用前景.本文在介绍柔性有机场效应 晶体管最新研究进展的基础上, 总结了柔性有机场效应晶体管的器件结构和柔性有机场效应晶体管所使用的衬底材料、 栅绝缘层材料、有源层材料及电极材料, 阐述了柔性有机场效应晶体管的制备工艺, 并讨论了不同的弯曲方式对柔性有机场效应晶体管性能的影响, 最后总结和展望了柔性有机场效应晶体管的应用领域.
关键词:
柔性
晶体管
有机/聚合物
溶液加工 相似文献
144.
We propose a scheme for the implementation of nonlocal quantum swap operation on two spatially separated entangled pairs and we show that the operation can swap two qubits of these entangled pairs.We discuss the resources of the entangled qubits and classical communication bits required for the optimal implementation of the nonlocal quantum swap operation.We also put forward a scheme for probabilistic implementation of nonlocal swap operation via a nonmaximally entangled quantum channel.The probability of a successful nonlocal swap operation is obtained by introducing a collective unitary transformation. 相似文献
145.
Device research on GaAs-based InAlAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistors grown by metal organic chemical vapour deposition 下载免费PDF全文
This paper applies a novel quad-layer resist and e-beam
lithography technique to fabricate a GaAs-based InAlAs/InGaAs
metamorphic high electron mobility transistor (HEMT) grown by metal
organic chemical vapour deposition (MOCVD). The gate length of
the metamorphic HEMT was 150~nm, the maximum current density was
330~mA/mm, the maximum transconductance was 470~mS/mm, the threshold
voltage was -0.6~V, and the maximum current gain cut-off frequency
and maximum oscillation frequency were 102~GHz and 450~GHz,
respectively. This is the first report on tri-termination devices
whose frequency value is above 400~GHz in China. The excellent
frequency performances promise the possibility of metamorphic HEMTs
grown by MOCVD for millimetre-wave applications, and more
outstanding device performances would be obtained after optimizing
the material structure, the elaborate T-gate and other device
processes further. 相似文献
146.
微振动的测量在科学技术和工业应用中都有着重要的意义.比如在材料性质的研究中,在高速转动系统的测量和研究中,以及在实现重力波接收的努力中,微振动的测量都是很重要的一个方面。 激光和无线电技术的结合,实现了光频范围的外差测量,利用它的灵敏度高的特点,我们做了一个测量压电陶瓷微振动的实验. 一、实验原理 图1为一个迈克尔逊干涉仪,反射镜M1、M2的坐标已分别标出,在忽略相位常数的情况下(这对原理的叙述无影响),到达接收器D的两路光可分别表示为:若反射镜M1为被测目标,它在作频率为Ω、振幅为η的微振动,即 y一岁。 O81n(0【干9)则… 相似文献
147.
基于等效原理和互易性定理,研究了N个相互平行二维柱体对平面波/高斯波束的电磁散射特性,给出了求解N阶散射场公式.一阶散射可通过求解单个柱体的散射场得到,但对于高阶散射场而言,由于耦合散射的复杂性,很难给出精确的解析解.为了解决这一问题,借助等效原理和互易性定理给出了求解N阶散射场的面积分公式.只要给出柱体的i-1阶散射场及相关目标表面上的等效电流和(或)等效磁流,就可应用此公式求解i阶散射场.应用该近似方法计算了相互平行非均匀等离子体涂层导体圆柱的单/双站散射宽度,讨论了束腰半径、等离子体涂层厚度、电子密度、碰撞频率及雷达频率等对散射结果的影响. 相似文献
148.
149.
Luminescence of a GaN grain with a nonpolar and semipolar plane in relation to microstructural characterization 下载免费PDF全文
We report on the growth of the high-quality GaN grain on a r-plane sapphire substrate by using a self-organized SiN interlayer as a selective growth mask.Transmission electron microscopy,scanning electron microscopy,and Raman spectroscopy are used to reveal the effect of SiN on the overgrown a-plane GaN growth.The SiN layer effectively terminates the propagation of the threading dislocation and basal plane stacking faults during a-plane GaN regrowth through the interlayer,resulting in the window region shrinking from a rectangle to a "black hole".Furthermore,strong yellow luminescence(YL) in the nonpolar plane and very weak YL in the semipolar plane on the GaN grain is revealed by cathodoluminescence,suggesting that C-involved defects are responsible for the YL. 相似文献
150.