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111.
Device research on GaAs-based InAlAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistors grown by metal organic chemical vapour deposition
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This paper applies a novel quad-layer resist and e-beam
lithography technique to fabricate a GaAs-based InAlAs/InGaAs
metamorphic high electron mobility transistor (HEMT) grown by metal
organic chemical vapour deposition (MOCVD). The gate length of
the metamorphic HEMT was 150~nm, the maximum current density was
330~mA/mm, the maximum transconductance was 470~mS/mm, the threshold
voltage was -0.6~V, and the maximum current gain cut-off frequency
and maximum oscillation frequency were 102~GHz and 450~GHz,
respectively. This is the first report on tri-termination devices
whose frequency value is above 400~GHz in China. The excellent
frequency performances promise the possibility of metamorphic HEMTs
grown by MOCVD for millimetre-wave applications, and more
outstanding device performances would be obtained after optimizing
the material structure, the elaborate T-gate and other device
processes further. 相似文献
112.
微振动的测量在科学技术和工业应用中都有着重要的意义.比如在材料性质的研究中,在高速转动系统的测量和研究中,以及在实现重力波接收的努力中,微振动的测量都是很重要的一个方面。 激光和无线电技术的结合,实现了光频范围的外差测量,利用它的灵敏度高的特点,我们做了一个测量压电陶瓷微振动的实验. 一、实验原理 图1为一个迈克尔逊干涉仪,反射镜M1、M2的坐标已分别标出,在忽略相位常数的情况下(这对原理的叙述无影响),到达接收器D的两路光可分别表示为:若反射镜M1为被测目标,它在作频率为Ω、振幅为η的微振动,即 y一岁。 O81n(0【干9)则… 相似文献
113.
Luminescence of a GaN grain with a nonpolar and semipolar plane in relation to microstructural characterization
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We report on the growth of the high-quality GaN grain on a r-plane sapphire substrate by using a self-organized SiN interlayer as a selective growth mask.Transmission electron microscopy,scanning electron microscopy,and Raman spectroscopy are used to reveal the effect of SiN on the overgrown a-plane GaN growth.The SiN layer effectively terminates the propagation of the threading dislocation and basal plane stacking faults during a-plane GaN regrowth through the interlayer,resulting in the window region shrinking from a rectangle to a "black hole".Furthermore,strong yellow luminescence(YL) in the nonpolar plane and very weak YL in the semipolar plane on the GaN grain is revealed by cathodoluminescence,suggesting that C-involved defects are responsible for the YL. 相似文献
114.
基于等效原理和互易性定理,研究了N个相互平行二维柱体对平面波/高斯波束的电磁散射特性,给出了求解N阶散射场公式.一阶散射可通过求解单个柱体的散射场得到,但对于高阶散射场而言,由于耦合散射的复杂性,很难给出精确的解析解.为了解决这一问题,借助等效原理和互易性定理给出了求解N阶散射场的面积分公式.只要给出柱体的i-1阶散射场及相关目标表面上的等效电流和(或)等效磁流,就可应用此公式求解i阶散射场.应用该近似方法计算了相互平行非均匀等离子体涂层导体圆柱的单/双站散射宽度,讨论了束腰半径、等离子体涂层厚度、电子密度、碰撞频率及雷达频率等对散射结果的影响. 相似文献
115.
116.
117.
118.
119.
本文将一种单螺环咪唑磺酸盐离子液体阻燃剂[Pmim]Tos应用在水性聚氨酯(WPU)中,制备了一系列阻燃水性聚氨酯WPU/[Pmim]Toss。阻燃性能测试结果显示,在仅6 wt%的阻燃剂添加量下,阻燃水性聚氨酯的氧指数(LOI)值达到27.2%,垂直燃烧级别为V-0;其峰值热释放速率(pHRR)、总热释放(THR)、总烟释放(TSR)得到了大幅降低,分别降低了29.0%,48.8%和44.4%。[Pmim]Tos的加入不会破坏阻燃水性聚氨酯的电化学稳定性,热稳定性和透明性;还起到较强的增塑作用,提高材料断裂伸长率。 相似文献
120.
论述元素的起源是以中子为起点,中子是特殊的0号元素。以中子的衰变特点、核反应的特点、与质子类同的特点、与稀有气体元素类同的特点以及中子星的存在、四中子的发现等论据,提出应当把中子看作元素并纳入元素周期表中。建议给这个特殊的元素命名为"中"。 相似文献