Device research on GaAs-based InAlAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistors grown by metal organic chemical vapour deposition

This paper applies a novel quad-layer resist and e-beam lithography technique to fabricate a GaAs-based InAlAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistor (HEMT) grown by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD). The gate length of the metamorphic HEMT was 150~nm, the maximum current density was 330~mA/mm, the maximum transconductance was 470~mS/mm, the threshold voltage was -0.6~V, and the maximum current gain cut-off frequency and maximum oscillation frequency were 102~GHz and 450~GHz, respectively. This is the first report on tri-termination devices whose frequency value is above 400~GHz in China. The excellent frequency performances promise the possibility of metamorphic HEMTs grown by MOCVD for millimetre-wave applications, and more outstanding device performances would be obtained after optimizing the material structure, the elaborate T-gate and other device processes further.     

微振动的激光外差测量

微振动的测量在科学技术和工业应用中都有着重要的意义.比如在材料性质的研究中,在高速转动系统的测量和研究中,以及在实现重力波接收的努力中,微振动的测量都是很重要的一个方面。 激光和无线电技术的结合,实现了光频范围的外差测量,利用它的灵敏度高的特点,我们做了一个测量压电陶瓷微振动的实验. 一、实验原理 图1为一个迈克尔逊干涉仪,反射镜M1、M2的坐标已分别标出,在忽略相位常数的情况下(这对原理的叙述无影响),到达接收器D的两路光可分别表示为:若反射镜M1为被测目标,它在作频率为Ω、振幅为η的微振动,即 y一岁。 O81n(0【干9)则…     

Luminescence of a GaN grain with a nonpolar and semipolar plane in relation to microstructural characterization

We report on the growth of the high-quality GaN grain on a r-plane sapphire substrate by using a self-organized SiN interlayer as a selective growth mask.Transmission electron microscopy,scanning electron microscopy,and Raman spectroscopy are used to reveal the effect of SiN on the overgrown a-plane GaN growth.The SiN layer effectively terminates the propagation of the threading dislocation and basal plane stacking faults during a-plane GaN regrowth through the interlayer,resulting in the window region shrinking from a rectangle to a "black hole".Furthermore,strong yellow luminescence(YL) in the nonpolar plane and very weak YL in the semipolar plane on the GaN grain is revealed by cathodoluminescence,suggesting that C-involved defects are responsible for the YL.     

平行柱体对平面波/高斯波束电磁散射

基于等效原理和互易性定理，研究了N个相互平行二维柱体对平面波/高斯波束的电磁散射特性，给出了求解N阶散射场公式.一阶散射可通过求解单个柱体的散射场得到，但对于高阶散射场而言，由于耦合散射的复杂性，很难给出精确的解析解.为了解决这一问题，借助等效原理和互易性定理给出了求解N阶散射场的面积分公式.只要给出柱体的i-1阶散射场及相关目标表面上的等效电流和(或)等效磁流，就可应用此公式求解i阶散射场.应用该近似方法计算了相互平行非均匀等离子体涂层导体圆柱的单/双站散射宽度，讨论了束腰半径、等离子体涂层厚度、电子密度、碰撞频率及雷达频率等对散射结果的影响.     

分离作用RFQ加速器物理特性的研究

RFQ加速器中加速效率随加速能量的增高而下降,为克服由此导致的RFQ能量局限而提出的分离作用RFQ加速结构,在仍保持采用射频四极场聚焦的同时,将加速与聚焦作用相分离. 综述了对它的加速效率、反场问题、腔体及束流特性研究 的结果,初步证实了其可行性及在较高能量区加速效率得到提高,并对正在研制的一台采用了这种分离作用RFQ的1.5MeV组合加速器做了介绍.     

功率超声对溶液性质的影响

本文研究了在功率超声作用下，电解质溶液，小分子溶液和大分子溶液的粘度，表面张力和电导率等物理化学性质的变化规律。实验结果表明，在超声波作用下，溶液的粘度和表面张力暂时下降，而电导率长期升高。     

600MeV 18O+natPb(厚靶)系统生成Hg同位素独立产额测量(Ⅰ)实验和技术

采用在束气相热色谱的Hg元素分离方法和特殊的探测技术,测量了600MeV ¹⁸O束轰击厚天然铅靶生成的¹⁸⁰Hg至²⁰⁹Hg计20余种放射性Hg同位素产物的独立截面,描写了实验装置、探测技术、γ谱分析以及从递次衰变子体的γ活性来提取Hg同位素生成截面的方法.     

原位透射电镜在电化学领域中的应用

原位透射电镜技术作为实时和高空间分辨观测工具,是完善电化学过程监测、剖析机理、研究材料构效关系,进一步提升电化学性能的有力手段.本文在介绍原位液体电镜发展历程的基础上,总结了近年来原位透射电镜技术在电化学沉积、电化学储能、电催化及电化学腐蚀中的应用研究,并针对该技术目前存在的挑战和在电化学领域的进一步应用探索作了总结和...     

水性聚氨酯的高效阻燃研究

本文将一种单螺环咪唑磺酸盐离子液体阻燃剂[Pmim]Tos应用在水性聚氨酯(WPU)中,制备了一系列阻燃水性聚氨酯WPU/[Pmim]Toss。阻燃性能测试结果显示,在仅6 wt%的阻燃剂添加量下,阻燃水性聚氨酯的氧指数(LOI)值达到27.2%,垂直燃烧级别为V-0;其峰值热释放速率(pHRR)、总热释放(THR)、总烟释放(TSR)得到了大幅降低,分别降低了29.0%,48.8%和44.4%。[Pmim]Tos的加入不会破坏阻燃水性聚氨酯的电化学稳定性,热稳定性和透明性;还起到较强的增塑作用,提高材料断裂伸长率。     

元素的起源与0号元素

论述元素的起源是以中子为起点,中子是特殊的0号元素。以中子的衰变特点、核反应的特点、与质子类同的特点、与稀有气体元素类同的特点以及中子星的存在、四中子的发现等论据,提出应当把中子看作元素并纳入元素周期表中。建议给这个特殊的元素命名为"中"。