Nitrogen Adatom Diffusion on a Ga－Rich GaN （0001） Surface

The diffusion of N adatoms on a Ga-rich GaN(O001) surface has been studied using density-functional theory.The configuration of Ga adatoms on a Ga-rich GaN surface has been identified. The first adlayer Ga adatoms are on top of the terminating substrate Ga atoms, and the outmost adlayer Ga adatoms exist randomly at the T4 or H3 sites. A very different diffusivity of N adatoms on a Ga-rich GaN(0001) surface has been found. The excess Ga adatoms on a GaN(0001) surface reduce the diffusion barrier by 0.75eV and influence the migration path. It seems that bilayer Ga adatoms are helpful for N atom diffusion.     

Multiband Terahertz Photonic Band Gaps of Subwavelength Planar Fractals

Optical transmission properties of subwavelength planar fractals in terahertz （THz） frequency regime are studied by means of time-domain spectroscopy. The transmission spectra with multiple pass bands and stop bands are observed. The tunable photonic band gaps are realized by changing the angle between the principle axis of planar fractal and the polarization of THz wave. The possible application of the subwavelength optical component is discussed. We attribute the detected transmittance from subwavelength fractals to localized resonances.     

化学模拟在反应堆水化学课程中的应用

高温高压化学反应对反应堆设备的可靠性、反应堆性能的控制、核电站运行的安全持久性等具有重要影响,但相关实验难以在高校教学中开展。借助PHREEQC程序及最新热力学数据,建立了反应堆一回路硼酸-氢氧化锂添加配比、腐蚀沉淀物产生及二回路pH控制方案的化学反应模型。运用化学模拟来教学,促进了学生对所学知识的理解与掌握,丰富了现代教学方法。相关模型对核电企业的培训也具有一定参考价值。     

大液体量空分流程分析

针对有大液体量要求的冶金型空分装置,介绍了四种流程组织形式。通过模拟计算和分析比较,从设备投资、运行能耗、变负荷调节性、操作稳定性等方面,总结了不同流程型式的特点及适应性。针对不同的液体产品比例要求,推荐选择不同的流程形式,达到流程优化、节能降耗的目的。     

不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法

基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、保护环两种器件级抗SEL加固设计方法,并通过TCAD仿真和重离子试验验证防护效果,得出最优的加固防护设计。结果表明,90nm和0.13μm CMOS器件尽量选用保护带抗SEL结构,0.18μm或更大工艺尺寸CMOS器件建议选取保护环抗SEL结构。     

基于气泵的声管实验及分析

为研究声管的发声频率,进行了实验设计和分析.声管转动发声是由于空气在声管中的流动,考虑实际的实验条件,设计了气泵吹气代替声管转动的实验方式,改变吹气速率并测量发声频率.通过对实验结果的分析发现,此时的声管不符合两端开口即两端为波腹的条件,而是一端波节、一端波腹.声管的发声频率取决于其长度,符合驻波特性,发声时吹气速率与波纹长度须满足共振条件.研究结果有助于对驻波的理解和相关内容的实验设计.     

剪切形变下掺杂及缺陷对MoS2电子结构的影响

本文利用密度泛函理论,研究剪切形变下掺杂改性及不同类型缺陷对MoS2电子结构的影响。发现：剪切形变下,MoS2+P体系为相对最稳定的结构,掺杂改性相较于缺陷对模型稳定性影响更小;模型MoS2+P+Se中P-Mo键易形成共价键,而其中的Se-Mo键和MoS2+P-Mo-S模型中的P-Mo键,易形成离子键;掺杂使MoS2模型能隙变大,而缺陷使能隙减小,且S和Mo原子共缺陷的模型带隙为0;缺陷相较于掺杂改性模型,更能使Mo原子周围增加电荷聚集度,带隙值更低,更能影响或调控模型的电子结构。     

动态广义球对称含荷黑洞的统计熵

利用改进了的brickwall膜模型,计算了动态广义球对称含荷黑洞的熵,研究结果表明,对于动态黑洞,将黑洞熵表示为与视界面积成正比时,则比例系数总与动态黑洞的视界速度有关 关键词： 广义球对称黑洞 黑洞熵 brick-wall膜模型 WKB近似     

二次概周期系数微分方程的概周期解

利用指数二分性,Schauder不动点定理和Grownwall不等式证明了一类概周期系数微分方程的概周期解、有界解的存在唯一性及概周期解的全局吸引性.     

相关免疫函数阶的判别方法

在密码学中,为了抵抗相关攻击,要求选用的布尔函数具有相关免疫性,高阶的相关免疫函数都是一阶的,一阶的却不一定是高阶的,本文给出了二种判断一阶相关免疫函数是否为二阶或更高阶的新方法.