硬X射线相位光栅的设计与研制

针对在普通实验室和医院实现40—100keVX射线相衬成像的需求,考虑到成像系统参数、X射线源空间相干特性及光栅衍射效率,设计出硅基相位光栅结构参数.利用我们已发展的光助电化学刻蚀技术研制出直径为5英寸的相位光栅,其空间周期为5.6μm,线宽为2.8μm,深度为40—70μm.在理论分析的基础上,通过提高硅片两端有效工作电压和修正Lehmann电流密度公式,解决了实际刻蚀过程中出现的钻蚀问题.由实验结果可知,本方案对制作大面积高精度相位光栅十分有效。     

通过相位偏移来测量弱值

几年前,由Aharonov, Albert和Vaidman等提出了量子力学中对于可观测量的弱测量理论(weak measurement). 弱测量过程中测量系统与态之间的相互作用相当弱,从而不会导致态的塌缩.     

Pb-Mg-Al合金腐蚀机理的电子理论研究

为了了解Pb-Mg-Al合金腐蚀的物理本质, 本文采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了Pb-Mg-Al合金中各物相的结合能、费米能级和局域态密度等电子结构参数, 分析了合金的电化学腐蚀机理. 计算结果表明：Pb-Mg-Al合金中各主要组成物相稳定性大小关系为 Mg₁₇Al₁₂>Mg₂Pb>Mg;Mg,Mg₂Pb和Mg₁₇Al₁₂的费米能级存在E_f(Mg)>E_f(Mg₂Pb)>E_f(Mg₁₇Al₁₂)的关系, 说明Mg最容易失去电子, Mg₂Pb次之, Mg₁₇Al₁₂最难;局域态密度表明, 在同样的外界条件下, 体系中Mg相和Mg₂Pb相对于Mg₁₇Al₁₂均处于不稳定的状态, 容易失去电子, 即容易发生腐蚀. Pb-Mg-Al合金体系中不同物相的费米能级差构成了电化学腐蚀的电动势, 导致电子从费米能级高的Mg相和Mg₂Pb相流向费米能级低的Mg₁₇Al₁₂相, 使Pb-Mg-Al合金发生腐蚀.     

推广的Tschebyshev多项式及其在解强耦合波导方程中的应用

推广了Tschebyshev多项式，对推广的Tschebyshev多项式的性质作了分析；并应用于求解（ N+1）×（N+1）强耦合环形波导耦合器方程，得出解析解. 具体计算了5×5环形定向耦合器 的解，并对弱耦合与强耦合的关系进行了详细分析. 关键词： 推广的Tschebyshev多项式 强耦合波导耦合器     

柔性有机场效应晶体管研究进展

柔性有机场效应晶体管具有可折叠、质量轻、低成本等优点,在柔性显示、柔性传感器、柔性射频标签和柔性集成电路等方面显示了广阔的应用前景.本文在介绍柔性有机场效应 晶体管最新研究进展的基础上, 总结了柔性有机场效应晶体管的器件结构和柔性有机场效应晶体管所使用的衬底材料、 栅绝缘层材料、有源层材料及电极材料, 阐述了柔性有机场效应晶体管的制备工艺, 并讨论了不同的弯曲方式对柔性有机场效应晶体管性能的影响, 最后总结和展望了柔性有机场效应晶体管的应用领域. 关键词： 柔性 晶体管 有机/聚合物 溶液加工     

Implementation of nonlocal quantum swap operation on two entangled pairs

We propose a scheme for the implementation of nonlocal quantum swap operation on two spatially separated entangled pairs and we show that the operation can swap two qubits of these entangled pairs.We discuss the resources of the entangled qubits and classical communication bits required for the optimal implementation of the nonlocal quantum swap operation.We also put forward a scheme for probabilistic implementation of nonlocal swap operation via a nonmaximally entangled quantum channel.The probability of a successful nonlocal swap operation is obtained by introducing a collective unitary transformation.     

Device research on GaAs-based InAlAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistors grown by metal organic chemical vapour deposition

This paper applies a novel quad-layer resist and e-beam lithography technique to fabricate a GaAs-based InAlAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistor (HEMT) grown by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD). The gate length of the metamorphic HEMT was 150~nm, the maximum current density was 330~mA/mm, the maximum transconductance was 470~mS/mm, the threshold voltage was -0.6~V, and the maximum current gain cut-off frequency and maximum oscillation frequency were 102~GHz and 450~GHz, respectively. This is the first report on tri-termination devices whose frequency value is above 400~GHz in China. The excellent frequency performances promise the possibility of metamorphic HEMTs grown by MOCVD for millimetre-wave applications, and more outstanding device performances would be obtained after optimizing the material structure, the elaborate T-gate and other device processes further.     

微振动的激光外差测量

微振动的测量在科学技术和工业应用中都有着重要的意义.比如在材料性质的研究中,在高速转动系统的测量和研究中,以及在实现重力波接收的努力中,微振动的测量都是很重要的一个方面。 激光和无线电技术的结合,实现了光频范围的外差测量,利用它的灵敏度高的特点,我们做了一个测量压电陶瓷微振动的实验. 一、实验原理 图1为一个迈克尔逊干涉仪,反射镜M1、M2的坐标已分别标出,在忽略相位常数的情况下(这对原理的叙述无影响),到达接收器D的两路光可分别表示为:若反射镜M1为被测目标,它在作频率为Ω、振幅为η的微振动,即 y一岁。 O81n(0【干9)则…     

平行柱体对平面波/高斯波束电磁散射

基于等效原理和互易性定理，研究了N个相互平行二维柱体对平面波/高斯波束的电磁散射特性，给出了求解N阶散射场公式.一阶散射可通过求解单个柱体的散射场得到，但对于高阶散射场而言，由于耦合散射的复杂性，很难给出精确的解析解.为了解决这一问题，借助等效原理和互易性定理给出了求解N阶散射场的面积分公式.只要给出柱体的i-1阶散射场及相关目标表面上的等效电流和(或)等效磁流，就可应用此公式求解i阶散射场.应用该近似方法计算了相互平行非均匀等离子体涂层导体圆柱的单/双站散射宽度，讨论了束腰半径、等离子体涂层厚度、电子密度、碰撞频率及雷达频率等对散射结果的影响.     

分离作用RFQ加速器物理特性的研究

RFQ加速器中加速效率随加速能量的增高而下降,为克服由此导致的RFQ能量局限而提出的分离作用RFQ加速结构,在仍保持采用射频四极场聚焦的同时,将加速与聚焦作用相分离. 综述了对它的加速效率、反场问题、腔体及束流特性研究 的结果,初步证实了其可行性及在较高能量区加速效率得到提高,并对正在研制的一台采用了这种分离作用RFQ的1.5MeV组合加速器做了介绍.