关于同伦正则态射

该文在点标拓扑空间的范畴中引进了同伦正则态射的概念,研究了它存在的条件,性质以及它与同伦单（满）态,同伦正则单（满）态和同伦等价之间的密切关系。     

红外光谱研究PEO基离子液体聚合物电解质

以聚氧化乙烯(PEO)为聚合物基体, 双三氟甲基磺酸亚酰胺锂(LiTFSI)为锂盐, 加入不同量的离子液体(BMIMPF₆)为增塑剂, 制备离子液体聚合物电解质. 运用发射FTIR光谱技术实时监测所制备聚合物电解质的结构随温度的变化. 结合FTIR透射光谱\, SEM和XRD的研究结果分析了离子液体对离子电导率的影响, 并初步提出离子导电增强机制.     

官能团化己内酯与丙交酯无规共聚物的合成与降解性能

研究了官能团化新型己内酯单体的合成及其与丙交酯无规共聚物的降解性能. 首先, 环己酮和N-异丙基丙烯酰胺通过Michael加成反应合成了2-(N-异丙基酰胺乙烯基)-环己酮; 然后, 以间氯过氧化苯甲酸为氧化剂, 通过Baeyer-Villiger氧化反应, 制备带有酰胺官能团的己内酯单体6-(N-异丙基酰胺乙烯基)-ε-己内酯; 最后, 在异辛酸亚锡[Sn(Oct)₂]的催化下与丙交酯开环聚合, 得到新型己内酯与丙交酯的无规共聚物. 采用¹H NMR, SEC和DSC表征了聚合物的结构和热力学性能. 同时通过黏度法、失重法和SEM对该聚合物的降解性能进行了表征. 结果表明, 该共聚物的降解速率明显增快, 材料降解2个月后, 材料的质量损失达到28.1%, 特性黏度降低近40%.     

Study of total ionizing dose radiation effects on enclosed gate transistors in a commercial CMOS technology

This paper studies the total ionizing dose radiation effects on MOS (metal-oxide-semiconductor) transistors with normal and enclosed gate layout in a standard commercial CMOS (compensate MOS) bulk process. The leakage current, threshold voltage shift, and transconductance of the devices were monitored before and after $\gamma $-ray irradiation. The parameters of the devices with different layout under different bias condition during irradiation at different total dose are investigated. The results show that the enclosed layout not only effectively eliminates the leakage but also improves the performance of threshold voltage and transconductance for NMOS (n-type channel MOS) transistors. The experimental results also indicate that analogue bias during irradiation is the worst case for enclosed gate NMOS. There is no evident different behaviour observed between normal PMOS (p-type channel MOS) transistors and enclosed gate PMOS transistors.     

α—萘酚胁迫对普通小球藻生长及抗氧化酶活性的影响

研究了α－萘酚对普通小球藻的生长、光合色素的MDA含量及抗氧化酶9SOD、CAT、POD）活性的影响,结果表明,随着α－萘酚浓度的升高,藻的生长速率、叶绿素a与类胡萝卡素的含量,SOD、CAT、POD活性均先升高后下降,除POD活性在5．00mg.L^－1时达到最大值外,其余均在2．00mg.L^-1达到最大,而在α－萘酚浓度低于2．00mg.L^-1时,MDA含量变化不大,只有当3种抗氧化酶活性呈不同的下降后,MDA含量才急剧上升,膜脂过氧化加剧,说明α－萘酚导致普通小球藻膜脂过氧化是其致毒机制之一,而抗氧化酶在一定污染物浓度范围内具有防御保护作用。     

近红外荧光标记抗体芯片法检测血清中的AFP

肝癌的发病率和死亡率逐年上升,寻找提高肝癌早期筛查和诊断的有效方法是降低死亡率的重要途径,通过定量检测血清中甲胎蛋白(AFP)是实现肝癌早期筛查和诊断的重要辅助手段.常用的AFP检测方法具有成本高、检测时间长、不适于大规模人群的筛查等缺点,本文采用基于激光共聚焦原理的生物芯片扫描仪和近红外荧光标记抗体芯片相结合的方法,...     

低温缓冲层对氧化锌薄膜质量的影响

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在Si衬底上外延生长ZnO薄膜。为了改善氧化锌薄膜的质量,首先在Si衬底上生长低温ZnO缓冲层,然后再生长高质量的ZnO薄膜。通过XRD、SEM、光致发光(PL)光谱的实验研究,发现低温ZnO缓冲层可有效降低ZnO薄膜和Si衬底之间的晶格失配以及因热膨胀系数不同引起的晶格畸变。利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的(002)面衍射峰的强度要比直接在Si上生长的ZnO薄膜样品的高,并且衍射峰的半高宽也由0.21°减小到0.18°,同时有低温缓冲层的样品室温下的光致发光峰也有了明显的增高。这说明利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的结晶质量和光学性质都得到了明显改善。     

退火对PECVD制备的掺磷硅薄膜及其电阻温度系数影响的研究

本文对采用PECVD技术制备的不同掺杂比掺磷硅薄膜在不同退火时间和温度下的结构和电阻温度系数进行了研究。拉曼散射光谱结果表明:未退火样品主要为非晶/微晶混合相;当退火温度从500℃上升到700℃,薄膜结构呈现出先向非晶相转变,后完全晶化的趋势,与此同时,电阻率和电阻温度系数随掺杂浓度及退火温度的增加而单调减小。文中我们采用Lu的模型对上述实验结果进行了解释,认为由Si-P键构成的晶界势垒高度的变化是上述实验结果的根本原因。     

H2bzimpy-钐-酪氨酸三元配合物的合成、表征及其与DNA的相互作用

合成了一种新型的配合物:[SmL2TyrONO2](NO2)2[L=2.6-二(苯并咪唑-2')吡啶(H2bzimpy);Tyr为酪氨酸(DL-Tyrosine)].用红外光谱、核磁共振光谱对配合物进行了表征.用紫外光谱、荧光光谱、粘度研究了配合物与DNA的相互作用.结果表明:配合物以部分键合模式与DNA作用.     

半同胚空间类中存在最弱拓扑的条件

若(X,τ)是 S_1-空间,S_τ是它的半开集族[τ]={σ:σ为 X 的拓扑且 S_σ=S_τ)。本文到如下结果:1)若[τ]有最弱拓扑τ(?),则(X,τ(?))是(X,τ)的半正则化空间。2)[τ]中有最弱拓扑的充要条件是(X,τ)的每个非空开集都包含非空的正则开集。因为 T_1一空间是 S_1空间,伪度量空间是 S_1一空间但未必是 T_1一空间。所以,我们的结果推广了[1]中的定理5、推论5和定理6。