物理教学必须与现代物理知识及其发展动态相结合

 几十年来,物理学的教学内容一直局限在经典物理和近代物理部分,近代物理部分也只涉及狭义相对论和量子力学的基本概念、基本原理。以上的内容只相当于本世纪20年代或30年代以前的物理学成就。而科学技术一直以前所未有的速度和规模发展着,在过去几十年,物理学本身在深度和广度上取得了辉煌的成果。     

含磺酸基的聚硅氧烷类光致变色液晶的合成及性能

通过重氮化反应合成了末端为磺酸基的刚性基元,再经过取代、加成、酯化反应最终合成了偶氮苯类聚硅氧烷液晶。通过UV表明其具有类似小分子的光致变性。并用POM、DSC对其液晶行为进行了表征,结果表明该化合物属于近晶A型液晶,相变区间为191.04—274.95℃,液晶范围较宽,有望作为光控开关和新型信息存储材料。     

97MeV 16O+51V反应中α粒子与类弹产物的关联测量

测量了α粒子与类弹产物的关联,得到的α粒子符合能谱呈现出类弹、类靶相继发射的特征;α粒子与类弹产物¹²C的关联表明了弹核破裂(break-up)机制的存在.在类弹产物探测方向附近,观察到核的阴影效应.     

720MeV~(12)C轰击~(232)Th裂变反应发射的质子和α粒子

本文介绍了720MeV ~(12)C轰击~(232)Th裂变反应发射的质子和α粒子的三重微分截面.实验结果证实p和α的发射先于裂变过程,p和α能谱的低能成分来源于类靶余核的准热蒸发.本文用运动源模型拟合了p和α能谱.用聚合模型很好地重现了α能谱。     

氢氟酸刻蚀对Ni/6H-SiC接触性质的作用

采用浓度为10%的氢氟酸（HF）刻蚀6H-SiC单晶片,研究了HF刻蚀时间对Ni/6H-SiC接触性质的影响．经24?h刻蚀的SiC基片在溅射Ni层后,其接触表现良好线性的电流-电压（I-V）曲线．低于这个腐蚀时间的接触具有明显的势垒,但在大于1000℃快速退火后,也得到了良好线性的I-V曲线．X射线衍射（XRD）和俄歇能谱（AES）深度元素分析表明Ni₂Si和C是快速退火后的主要产物．XRD和低能反射电子能量损失谱表明表层的C 关键词： 欧姆接触 SiC 富碳层 互扩散     

A PRELIMINARY STUDY ON CLAY MINERALS AND REE AND Li IN CLAY ORES (ROCKS)IN HENAN PROVINCE

A detailed study on the clay minerals from the working area was carried out through multiple methods,including X-ray diffraction, infrared absorption, DTA and TG, TEM and SEM, Mossbauer spectrometry,electron paramagnetic resonance and wet chemical analysis. Cookeite was discovered in the area for thefirst time. The determination of REE, Li, Nb, Ta and Sc in various ores and rocks as well as in variousclay minerals and their associations, and the cation exchange experiments (soaking experiments) carried outin various electrolyte solutions and designed for judging whether Li is in adsorption state indicate (i)clay minerals contain highest REE, and (ii) Li exists mainly in its own mineral-cookeite.     

吡啰红B为底物的氯化血红素催化荧光反应测定葡萄糖

吡红B在氯化血红素催化下可被过氧化氢氧化而使其荧光猝灭。在pH 5 .2弱酸性介质中 ,稳态催化速率由模拟酶和底物浓度决定 ,催化体系服从Michaelis Menten方程 ,用Lineweaver Burk作图法求得米氏常数 1.4× 10 - 5mol L ,最大反应速度 1.9× 10 - 6mol L·s ;催化常数 2 5 .6 /s。在最佳反应条件下 ,荧光猝灭程度F0 F与过氧化氢浓度在 0 .0～ 7.2× 10 - 7mol L范围内呈线性关系 ;检出限为 8.0× 10 - 9mol L。当与葡萄糖氧化酶联用时 ,可定量检测葡萄糖 ,线性关系为 (0 .0～ 1.0 )× 10 - 5mol L ;检出限为 3.3× 10 - 8mol L。方法用于分析人血清中葡萄糖含量 ,结果与苯酚 4 氨基安替比林法一致。     

线偏振光和圆偏振光下ZrO

将不同脉冲数的飞秒激光作用于陶瓷材料表面,研究了线偏振和圆偏振激光对氧化锆和氧化铝陶瓷材料烧蚀阈值的影响,利用光学显微镜和扫描电子显微镜分析了烧蚀坑表面形貌,利用激光扫描共聚焦显微镜确定了烧蚀坑深度.结果表明：两种材料在线偏振光下的饱和烧蚀阈值均小于在圆偏振光下的值;当偏振态相同时,氧化锆饱和烧蚀阈值小于氧化铝.随脉冲数增加,线偏振和圆偏振光下氧化锆烧蚀坑表面结构均由无序向有序发展,出现了周期性环形波纹结构和纳米孔洞阵列.与线偏振光相比,圆偏振光对烧蚀坑深度的作用更明显,且烧蚀坑表面形貌对能量密度变化比较敏感,更容易产生周期性结构.     

爆轰载荷作用下球形空腔的动力响应

以位移为未知量,利用拉普拉斯变换法,研究了球形空腔在爆轰载荷作用下的动力响应问题,获得了问题的参数解,并通过直接代入,验证了解的正确性。     

激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响

采用钒掺杂半绝缘4H-SiC衬底,利用磁控溅射在硅衬底上制备了Ni/Au金属电极,并封装加工成同面型横向电极结构SiC光导开关,研究了不同激光触发能量对光导开关光电响应及导通电阻的影响。用波长532 nm的激光作为触发源,当激光触发能量从26.7 mJ增加到43.9 mJ时,光导开关的导通电阻从295 降低到197 。利用复合理论推导出激光触发时导带中载流子浓度随时间的变化规律,并利用MATLAB模拟计算了不同触发能量下开关的导通电阻,得到了与实验较一致的结果。在此基础上,提出了降低开关导通电阻的两种途径。