(5S)-5-烷氧基-3,4-二卤-2(5H)-呋喃酮与氨基酸的串联反应

在氢氧化钾作用下,直接以不同种类氨基酸为亲核试剂,与手性(5S)-5-烷氧基-3,4-二卤-2(5H)-呋喃酮在室温下进行串联的不对称迈克尔加成-消除反应,合成了15个新的光学活性2(5H)-呋喃酮衍生物.通过旋光度,UV-Vis,IR,1H NMR,13C NMR,MS,元素分析和X射线单晶衍射等表征方法,确定了目标化合物的化学结构和绝对构型.     

张量积的代数K——理论及其应用

本文研究了两个代数张量积的Ｇｒｏｔｈｅｎｄｉｅｃｋ群Ｋ０首先构作三个群同态Ψ１，ΨⅡ，ΨⅢ，并证明：若Ｒ为增广Δ０代数，则存在Ｋ０（Ｒ）ｋ０（Ａ）Ｋ０（Ｓ）的子群Ｃ使得Ｋ０，并存在Ｋ０（Ｒ）Ｋ１（Ｓ）的子群Ｄ使得Ｋ１（Ｓ）。然后给出在群代数和包络代数方面的应用，最后考虑Ｋ０（Ｒ）≌Ｚ的增广代数的情形。     

以丁基罗丹明B和夜蓝研制PVC膜汞(Ⅱ)电极

应用碱性染料研制汞(Ⅱ)电极已有文献报导,但未见丁基罗丹明B和夜蓝用于汞(Ⅱ)电极的研制。本文分别以丁基罗丹明B和夜蓝的大阳离子为定域体,应用正交试验法选择较佳条件,研制成性能良好的PVC膜电极和涂碳电极,测试了电极性能和电势滴定曲线,得到了较满意的结果。一、主要仪器和试剂 DS-26型五位数字电压表(天津无线电一厂),pHS-73型精密酸度计(天津永红仪器厂),217型饱和甘汞电极(泰县无线电厂)。汞(Ⅱ)标准溶液称取一定量溴化汞,以0.1M(或0.2M)溴化钠溶液溶解,定容,配得10~2M汞(Ⅱ)标液。再以0.1M(或(0.2M)溴化钠溶液逐级     

用模拟退火模型研究非晶硅的结构和振动性质

采用Monte Carlo技术模拟高温退火物理过程,用计算机建立了非晶硅无序网络模型,它具有十分接近真实样品的结构特性。还用分子动力学方法得到该模型的振动态密度,研究了它的几何缺陷与局域振动模的关系。 关键词：     

Pu300能量窗钚年龄算法

美国LLNL提出了采用钚材料γ谱的330—350keV(Pu300)能量窗计算钚年龄, 用此能量窗建立了相关钚年龄算法, 并对几个不同样品的谱数据进行了计算, 并将其结果与PC/FRAM的结果进行比较, 结果表明两者吻合得比较好.     

双核铜配合物[Cu2（pida）2（2,2′-bipy）2]的合成、表征及其结构

N-苯基亚氨基二乙酸,Cu2 离子和2,2′-联吡啶在溶液中组装得到标题配合物[Cu2(pida)2(2,2′-bipy)2](H2pida=N-苯基亚氨基二乙酸)。用元素分析、红外光谱、单晶衍射对配合物的组成和结构进行了表征,结果表明,该标题配合物为N-苯基亚氨基二乙酸根桥联的双核结构,配体pida中的N原子没有参与配位,中心铜离子为五配位畸变的四方锥构型。     

线性代数簡介(II)

54.矩障 由。只”个数aii(i=1,2,…,“;z=l,2,所粗成的一个、行n列的表a12a22al移口2,…,n) (15)al勺a仍la仍2.”am耳阱做一个矩障.当”:=。时,也阱做一个n阶方障.为了筒单起晃,矩障(l幻常简写作(aii)。,.两个矩障被敲为是相等的,假如对应的行数与列数分别相等,且对应位置的元素相等.歌才=(aij).,与B==(bij)。。是两个‘行”列矩障.我们定义刁与B的和注十B为矩障(at’i十句i)。。.换一句韶税,两个,行n列的矩障A与B的和仍是一个“行n列的矩障,它的元素是才与B的相应位置元素的和.例如“一(一;}一:),‘一(;一::),“ B一( =·( 3十l一2十2 1…     

研究强非线性振动问题的最简规范形方法

提出了一种应用最简规范形理论研究强非线性振动问题稳态渐近解的方法.最简规范形理论可以有效地化简传统规范形中的高阶项成分,复规范形方法的特点是简化矩阵分析的繁杂性,引入待定瞬时固有频率法则是将规范形理论的适用范围拓展至用于获取强非线性振动问题的稳态渐近解.结合上述特点,本文的改进方法克服了原有待定瞬时固有频率法在处理高阶传统规范形问题上遇到的计算复杂性问题.数值结果也表明本文方法更为简便、有效且具有更高的计算精度.     

自内射环的余Hopf性

本文证明了自内射环R是余Hopf的当且仅当R满足stablerangeone.于是得到了Varadarajan在[9]中的公开总是对于自内射环是成立的,即M_n(R)是余Hopf的当且仅当R是余Hopf的.作为应用证明了Goodeal的一个公开问题对于自内射正则环有肯定的回答.     

重掺硅衬底片的内吸除效应

本文研究了重掺p型(B)和重掺n型(P、As、Sb)硅单晶的内吸除效应.发现在本实验条件下,经过改进的内吸杂(IG)处理后,不同掺杂剂的重掺硅单晶片都出现了氧沉淀增强现象,但不同掺杂剂的重掺硅单晶中氧沉淀形态不同.且发现砷增强了硅片近表层区氧的外扩散.在相同的热处理条件下,不同掺杂剂的重掺硅清洁区宽度不同,重掺硼硅片的清洁区最窄,重掺砷的最宽.