SU(4)磁单极子与双子解

以SU(4)规范群为例,提出一个简单求解磁单极子及双子的经典解的方法,它可系统地推广于一般的SU(N)群的情况.所得到的SU(4)单磁荷为■     

低温强磁场下Si MOS反型层输运特性的研究

制备了4.2K下电子迁移率达1～2×10~4cm~2/v·sec的MOS反型层,在强磁场下观察到二维电子系统的一系列典型物理现象:SdH振荡及量子霍尔效应.     

激光大气等离子体时间演化特性的光谱研究

采用延时光谱法和谱线演化法 ,对YAG脉冲激光器 1 0 6 μm光束击穿一个大气压的空气所产生的等离子体进行了时间分辨光谱研究。对激光大气等离子体连续光谱的短波带与长波带分别进行了时间分辨测量 ,结果表明两者的衰变速率均在等离子体激发约 0 5微秒以后明显变慢。分析认为这种衰变速率的变慢可能与空气中氧对自由电子的吸附与去吸附有关。对激光大气等离子体线状光谱所作的时间分辨测量则表明 ,大部分线状光谱的演化寿命大于其标称寿命 ,部分线状光谱还呈现“衰变—增涨—衰变”的复杂形式。分析认为线状光谱的这些演化特征可能与等离子体在衰变期间的各种复合过程和能量转移过程有关。     

The structure of XLPE and the distribution of space charge

The formation and accumulation of space charge under charge treatment are investigated using PWP method. The interaction between space charge and the structure of XLPE is measured using infrared spectroscopy (IR) method. The related mechanism about space charge distribution and the structure of XLPE are discussed.     

稀磁半导体的研究进展

本文主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其它稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的研究进展,在文章的最后描述了理想的稀磁半导体应该具备的特征以及对未来的展望。     

温度对Al0.5Ga0.5As/AlAs分布布喇格反射器的反射谱影响

采用光学传输矩阵理论对Al0.5Ga0.5As/AlAs材料分布布喇格反射器(DBR)进行理论研究,分析了－10℃到100℃的范围内,温度变化对不同DBR结构的反射光谱影响.结果表明：随着温度的升高,传统20周期DBR的反射光谱向长波长方向移动,速率约0.05 nm/℃,其中由线热膨胀系数带来的影响小于0.001 nm/℃.当传统DBR的周期数增大时,温度对DBR光谱反射率的影响在减小,同时DBR的反射谱峰值波长发生红移.为了降低温度对DBR反射光谱的影响,提出一种新型的复式DBR结构.分析指出：该复式DBR比传统DBR有更大的反射光谱半峰宽,基本能覆盖同温度的AlGaInP LED电致发光光谱,这对提高LED的出光效率有现实意义.     

石墨炉原子化器中氧在原子化过程的作用

石墨炉中氧的来源石墨炉中氧分压一直认为是决定于下列反应。2C(s)+O_2→2CO (1) 按照这个假定,除了最稳定的金属氧化物(B,La,Ta,Th,U,Zr)之外,一般认为在高温石墨炉中氧化物解离是完全的,同时自由氧分压是很低的。例如,假定CO分压为100Pa,那么在1400—2500°K范围Po_2将为3×10~(-19)—2×10~(-15)Pa。近年来,许多实验资料表明,石墨炉中自由氧分压的实际值大于按反应(1)计算的数值。这说明基于反应(1)估计Po_2是不够全面的。对基于反应(1)获得的有关元素的原子化机理,值得重新考虑。     

Rh2（CO）4（μ—Cl）2 和Rh4（μ—CO）3（CO）9的简正振动分析

金属簇合物因其独特的结构和成键而引人注目，鉴于文献上对铑簇合物的结构、成键、反应和催化性能存在的不同看法，本文的两个铑簇合物的简正振动分析以及另文的铑系簇合物的电子结构计算和催化性能研究，为进一步认识上述问题提供了有意义的结果。     

关于酚酞变色机理的量子化学探讨

采用量子化学B3LYP/6-31G＊方法,对酚酞在不同酸度条件下的构型进行了计算,对分子轨道构成和能量进行了分析,从理论上说明了酚酞溶液的变色机理。